IDT推出業(yè)界最低抖動MEMS振蕩器

　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款差異化MEMS振蕩器，具有100飛秒(fs)典型相位抖動性能和集成的頻率裕量設(shè)定能力。IDT高性能振蕩器的超低相位抖動和可修改的輸出頻率顯著降低萬兆以太網(wǎng)(10GbE)交換器、路由器和其他相關(guān)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的誤碼率(BER)?！　?/p>本文引用地址：http://2s4d.com/article/143595.htm

 

　　IDT的4H性能MEMS振蕩器擁有一個差分的LVDS / LVPECL輸出，和相比同級別產(chǎn)品最低的相位抖動(100 fs @ 1.875 – 20MHZ和亞300 fs @ 12KHZ– 20MHZ)，滿足高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對低抖動芯片組的需要。集成的頻率裕量(frequency margining)設(shè)定功能使客戶在應(yīng)用操作中能夠?qū)⒄袷幤黝l率微調(diào)至±1000 ppm，實現(xiàn)誤碼率最小并便于裕量測試。IDT的4H MEMS振動器適用于多種封裝尺寸，包括更小的3225(3.2 x 2.5 mm)，以節(jié)省密集部署應(yīng)用中的板空間和成本。IDT是提供可將MEMS振蕩器性能、特性和小封裝尺寸組合在一起的唯一供應(yīng)商。

　　IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經(jīng)理 Christian Kermarrec 表示：“IDT最新的MEMS系列構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)的4M和升級的4E振蕩器系列基礎(chǔ)上，滿足萬兆以太網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對高性能的要求。作為計時解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商，我們?yōu)榭蛻籼峁┳罡咝阅懿考蛣?chuàng)新特性，以便于他們進行下一代產(chǎn)品開發(fā)。我們很高興看到很多OEM廠商越過MEMS起步型提供商而選擇IDT，這正是由于IDT所能提供的經(jīng)驗和技術(shù)創(chuàng)新。”

　　HIS公司MEMS與傳感器部門總監(jiān)和首席分析師Jérémie Bouchaud表示：“云計算和存儲架構(gòu)正在快速發(fā)展，幾乎50%的服務(wù)器和存儲簇隨著萬兆以太網(wǎng)而出貨。高性能MEMS振蕩器能使企業(yè)級計算和存儲架構(gòu)的誤碼率更低，并能同時提供更好的可靠性。”

　　IDT的集成頻率裕量設(shè)定功能使客戶能夠在業(yè)界采用一個技術(shù)技巧作為“額外PPM時鐘”。這一技術(shù)時鐘系統(tǒng)處在一個稍微更高的頻率，允許OEM廠商降低誤碼率，并能減少網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的封裝損失。與只提供固定頻率的競爭性MEMS器件不同，IDT的器件允許數(shù)以百計的偏頻，它們會在達到625兆赫的任何基礎(chǔ)頻率選擇之后——甚至在最終生產(chǎn)系統(tǒng)中產(chǎn)生。這使得設(shè)計人員能夠加快開發(fā)進程和優(yōu)化系統(tǒng)性能。

　　4H MEMS振蕩器利用IDT專利的壓電MEMS(pMEMS™)諧振器技術(shù)，可提供一個擁有無與倫比性能和可靠性的高頻率源。IDT MEMS振蕩器提供優(yōu)于石英40倍的可靠性，無擾動、無零時故障、對電磁干擾 (EMI) 有更高抖動阻力，并具有出色的抗沖擊和抗振性，這使它們成為傳統(tǒng)的基于石英振蕩器的一個理想的升級解決方案。

　　IDT 4H系列是在成功的4M和4E 系列MEMS振蕩器基礎(chǔ)上拓展的。作為差分石英振蕩器的嵌入式替代品，4M標(biāo)準(zhǔn)振蕩器可提供顯著性能，相位抖動不到1皮秒(ps)。 4E 升級版振蕩器將一個LVDS 或 LVPECL 輸出和一個同步CMOS 輸出集成到單一封裝中，無需外部晶體和二級振蕩器。此外，4E 振蕩器擁有四個可選的輸出頻率，允許用一個單一的器件替換四個組件，減少材料清單，鞏固庫存。

　　供貨

　　IDT 4H MEMS 振蕩器目前處于客戶送樣階段，采用標(biāo)準(zhǔn)的 7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封裝?？捎么蠖鄶?shù)標(biāo)準(zhǔn)頻率。自定義頻率可根據(jù)要求進行配置。