IDT一款新的推出數(shù)字步進(jìn)衰減器
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前發(fā)布一款新的數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA),在多種標(biāo)準(zhǔn)的 4G、3G 和 2G 蜂窩基站以及工業(yè)應(yīng)用中,該產(chǎn)品在最高有效位(MSB)轉(zhuǎn)換時(shí),可將瞬態(tài)毛刺降低多達(dá)95%。IDT 的無(wú)毛刺(Glitch-Free™)DSA 使客戶(hù)能簡(jiǎn)化軟件接口、提高可靠性并防止損壞昂貴的子組件,例如功率放大器。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/138769.htmIDT F1950 和 F1951數(shù)字步進(jìn)衰減器為要求苛刻的基站收發(fā)信臺(tái)(BTS)的接收、發(fā)送和數(shù)字預(yù)失真(DPD)通路而優(yōu)化。IDT 的創(chuàng)新性無(wú)毛刺技術(shù)消除了蜂窩通信系統(tǒng)中發(fā)送和接收通路的衰減穩(wěn)定過(guò)沖(毛刺),同時(shí)降低了插入損耗并改善了失真性能。這極大地簡(jiǎn)化了 BTS 的硬件和軟件接口,因而降低了成本并最大限度地減少了開(kāi)銷(xiāo)。極低的 IM3 失真提高了 DPD 通路性能,從而更好地符合了發(fā)送器頻譜屏蔽要求并實(shí)現(xiàn)了更低的功耗。IDT F1950(7 位)和 F1951(6 位)DSA 擴(kuò)大了 IDT 全面的無(wú)線通信產(chǎn)品線,該產(chǎn)品線包括 RF混頻器、可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)、RapidIO® 串行開(kāi)關(guān)、業(yè)界領(lǐng)先的定時(shí)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換以及數(shù)據(jù)壓縮產(chǎn)品。
IDT 公司副總裁兼通信部總經(jīng)理Tom Sparkman表示:“IDT 新的 DSA 是又一個(gè)客戶(hù)目前正需要的、通信信號(hào)鏈路的關(guān)鍵基本構(gòu)件。其他同類(lèi) DSA 在 MSB 轉(zhuǎn)換時(shí),毛刺可能高達(dá) 10 dB,而 IDT 的無(wú)毛刺 DSA 將毛刺限制為不到 0.5 dB,這對(duì)我們的客戶(hù)而言是一個(gè)極大的性能優(yōu)勢(shì)。此外,我們的產(chǎn)品具備很大的衰減范圍和非常高的分辨率,為客戶(hù)開(kāi)發(fā)所有最流行的無(wú)線平臺(tái)提供了所需的靈活性。這些最新產(chǎn)品提升了我們的創(chuàng)新性無(wú)線通信解決方案產(chǎn)品線的品質(zhì),而這些解決方案正對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生強(qiáng)大的吸引力。”
IDT F1950 和 F1951 在 100 MHz 至 4000 MHz 范圍內(nèi)工作,可通過(guò)并行或串行接口通信。這些器件非常適用于為 4G 長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、時(shí)分雙工(TDD)、寬帶碼分多址(WCDMA)、擴(kuò)展的全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(EGSM)以及其他流行的系統(tǒng)設(shè)定功率值。這些 DSA 具備非常低的插入損耗(在 2 GHz 時(shí) < 1.3 dB),而且極其準(zhǔn)確(隨溫度變化 < 0.2 dB),因此可在接收器通路中改善靈敏度和信噪比(SNR)。
供貨
IDT F1950 和 F1951 目前處于生產(chǎn)和客戶(hù)送樣階段,采用 4 mm x 4 mm 24 引腳 QFN 封裝。
評(píng)論