Ramtron推出MaxArias無(wú)線內(nèi)存

　　鐵電內(nèi)存(F-RAM)供貨商Ramtron International Corporation稍早前展示了一款MaxArias無(wú)線內(nèi)存。這種無(wú)線內(nèi)存結(jié)合了Gen2 RFID無(wú)線存取功能與其非揮發(fā)性F-RAM內(nèi)存技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性，能讓設(shè)計(jì)師運(yùn)用RF兼容高性能應(yīng)答器(transponder) IC來(lái)發(fā)送、擷取和儲(chǔ)存更多的信息，從而擴(kuò)大其系統(tǒng)的通訊范圍和內(nèi)存容量。

　　Ramtron表示，MaxArias無(wú)線內(nèi)存非常適合高價(jià)值資產(chǎn)追蹤、藥物追蹤、制造和維護(hù)記錄收集以及智能型能源讀表等應(yīng)用。

　　MaxArias無(wú)線內(nèi)存的第一批產(chǎn)品包括：WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為256/512/1024 x 16位，這些組件具有幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數(shù)(寫(xiě)入次數(shù)大約為1,014次)，以及二十年的數(shù)據(jù)保存期。就運(yùn)作范圍、持續(xù)的內(nèi)存存取帶寬及可靠性而言，MaxArias無(wú)線內(nèi)存具有完全對(duì)稱的讀/寫(xiě)運(yùn)作能力，達(dá)到Gen-2標(biāo)準(zhǔn)的最大數(shù)據(jù)速率。

　　Ramtron表示，首款MaxArias無(wú)線記憶體系列結(jié)合了最高16Kb的高性能非揮發(fā)性F-RAM內(nèi)存和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無(wú)線接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，運(yùn)作頻率為860MHz至960MHz。結(jié)合優(yōu)化的天線設(shè)計(jì)，MaxArias WM710xx產(chǎn)品系列可以使用由射頻場(chǎng)感應(yīng)出的能量來(lái)供電。根據(jù)Gen-2標(biāo)準(zhǔn)，MaxArias芯片可接收和處理經(jīng)由RFID閱讀器傳輸?shù)闹噶睢?/p>

　　Ramtron的MaxArias無(wú)線內(nèi)存具有超越傳統(tǒng)以EEPROM為基礎(chǔ)的RF IC的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。它具備更高的RF靈敏度，WM710xx能實(shí)現(xiàn)零功耗寫(xiě)入運(yùn)作，因而在執(zhí)行寫(xiě)入時(shí)不會(huì)影響功率或速度。使用低功耗F-RAM的MaxArias無(wú)線內(nèi)存具有逾十公尺或更大范圍的對(duì)稱無(wú)線讀/寫(xiě)功能;而在寫(xiě)入速度方面，MaxArias無(wú)線內(nèi)存的速度較EEPROM快六倍，能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)內(nèi)存區(qū)塊的寫(xiě)入運(yùn)作，以更快的速度儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，免除以EEPROM為基礎(chǔ)的組件的「預(yù)備時(shí)間」(soak time)限制。

　　此外，Ramtron的SureWrite特性可確保數(shù)據(jù)完整性，防止在全區(qū)塊寫(xiě)入期間出現(xiàn)數(shù)據(jù)損壞。由于F-RAM組件完全不受磁場(chǎng)的影響，并具有高伽瑪輻射承受能力，MaxArias無(wú)線內(nèi)存是需暴露于磁場(chǎng)或輻射干擾之應(yīng)用的理想選擇。

　　WM710xx MaxArias無(wú)線內(nèi)存能在整個(gè)工業(yè)溫度范圍(-40℃至+85℃)運(yùn)作，并備有幾種配置，包括標(biāo)準(zhǔn)RoHS兼容的6腳UDFN封裝、凸塊芯片、裸片，或經(jīng)全面測(cè)試且符合ISO-18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的電子卷標(biāo)。