IDT推出低頻段RF混頻器

　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT^® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低頻段 RF 混頻器，該混頻器可通過在擁擠頻譜中為 4G LTE、3G 和 2G 系統(tǒng)減少互調(diào)失真增強(qiáng)用戶的移動(dòng)連接體驗(yàn)。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收發(fā)信機(jī)(BTS)多樣混頻器可通過減少功耗改進(jìn)系統(tǒng)三階互調(diào)失真(IM3)，針對(duì)移動(dòng)通信(EGSM)頻率范圍涵蓋 450 MHz、長期演進(jìn)(LTE)和擴(kuò)展的全球系統(tǒng)?！　?/p>本文引用地址：http://2s4d.com/article/135606.htm

　　IDT F1102 是一款低功耗、低失真的雙通道 400-1000 MHz RF 變頻到IF 混頻器，與標(biāo)準(zhǔn)混頻器相比，可改進(jìn) IM3 超過 15 dB，同時(shí)減少功耗超過 40%。這些性能品質(zhì)可為改進(jìn)服務(wù)品質(zhì)(QoS)實(shí)現(xiàn)更好的信噪比(SNR)，同時(shí)減少散熱，從而在密集的射頻卡密封中降低散熱要求(5V 時(shí) 1.15W，高達(dá) +43 dBm IP3O)。F1102 可提供無與倫比的性能與效率，是多載波、多模式4G LTE 和 EGSM BTS 系統(tǒng)的理想選擇。

　　IDT 公司副總裁兼通信部總經(jīng)理 Tom Sparkman 表示：“在發(fā)現(xiàn)我們高頻段和低頻段混頻器優(yōu)異的性能之后，客戶開始需要這款產(chǎn)品。我們的零失真技術(shù)可幫助客戶增加射頻卡的前端增益以改進(jìn) SNR，同時(shí)在擁擠的 EGSM 和 U.S. 蜂窩頻段中減少失真。憑借我們廣泛的高性能、低功耗可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)產(chǎn)品組合，業(yè)界領(lǐng)先的計(jì)時(shí)、串行交換、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)壓縮產(chǎn)品，IDT 成為通信信號(hào)鏈解決方案的一站式提供商。”

　　F1102 與 IDT 其他混頻器產(chǎn)品系列一起，可在上電與下電模式下提供快速的建立時(shí)間和恒定的本機(jī)振蕩器(LO)輸入阻抗。這允許客戶在時(shí)分雙工(TDD)接收機(jī)插槽間關(guān)閉混頻器，從而進(jìn)一步降低功耗。此外，IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式，與市場上現(xiàn)有器件管腳相容，從而提供令人信服的升級(jí)選擇。

　　供貨

　　IDT F1102 目前正向合格客戶提供樣品，提供 6x6 毫米 36 引腳 QFN 封裝。