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飛思卡爾首推單芯片器件S12VR64

作者: 時(shí)間:2012-02-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  半導(dǎo)體[NYSE:FSL]日前在其S12MagniV混合信號(hào)微控制器()系列中推出了首個(gè)單芯片器件。該器件旨在用于汽車車窗升降的直流引擎以及連接到本地互聯(lián)網(wǎng)(LIN)汽車車身網(wǎng)絡(luò)的天窗應(yīng)用。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/129417.htm

  基于創(chuàng)新型LL18UHV技術(shù)(2010年10月推出),該技術(shù)在上實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)展模擬集成,使開發(fā)人員可以在其汽車設(shè)計(jì)中將高壓信號(hào)和電源直接連接到MCU,幫助節(jié)省電路板空間,提高系統(tǒng)質(zhì)量,并降低復(fù)雜性。

  傳統(tǒng)來說,汽車電子設(shè)計(jì)需要多個(gè)器件:某些器件通過高壓工藝制造,以連接到電池和電源驅(qū)動(dòng)器輸出,還有通過低壓數(shù)字邏輯工藝制造的MCU。當(dāng)終端應(yīng)用空間有限時(shí),這就構(gòu)成一個(gè)挑戰(zhàn)。MCU將繼電器驅(qū)動(dòng)引擎控制所需的各種裝置,包括LIN物理層、穩(wěn)壓器和低端與高端驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)器件內(nèi)。

  這種集成度通過LL18UHV技術(shù)實(shí)現(xiàn),使用經(jīng)過驗(yàn)證的低漏電0.18微米(LL18)制造工藝在一個(gè)芯片上集成40V模擬、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和數(shù)字邏輯。產(chǎn)生一個(gè)緊湊型、經(jīng)濟(jì)高效的解決方案,它能夠?qū)崿F(xiàn)目前設(shè)計(jì)中4個(gè)芯片才能實(shí)現(xiàn)的功能。元件更少卻提高了整體質(zhì)量,使客戶創(chuàng)造更小的電路板,最終減少汽車的重量。

  飛思卡爾高級(jí)副總裁兼微控制器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理RezaKazerounian表示,“我們利用在汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和成熟的工藝技術(shù)專業(yè)知識(shí)來創(chuàng)建針對(duì)網(wǎng)絡(luò)化汽車應(yīng)用的更有效的解決方案。S12VR64混合信號(hào)MCU是首個(gè)基于LL18UHV技術(shù)的器件,我們將不斷向我們的S12MagniV系列添加產(chǎn)品,為廣泛的車身電子及其他汽車領(lǐng)域的引擎控制和照明應(yīng)用提高適當(dāng)?shù)木_度和智能特性。”

  S12MagniV系列在廣泛的應(yīng)用中使用成熟的、支持完備的S1216位MCU、使能軟件兼容性和工具重復(fù)使用特性。該系列的成員包括:

  •新S12VR64混合信號(hào)MCU:基于LL18UHV技術(shù)的單芯片器件,將高壓模擬、NVM和數(shù)字邏輯集成在一片芯片上。該器件提供了系列內(nèi)最小的尺寸。

  •現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)解決方案(MM912F634、MM912G634、MM912H634):這些器件將使用兩個(gè)獨(dú)立工藝制造的S12MCU和SMARTMOS模擬控制IC集成在一個(gè)封裝內(nèi)。這些SiP設(shè)備是要求為需要高電流應(yīng)用的雙芯片解決方案的客戶的理想選擇。

  飛思卡爾計(jì)劃擴(kuò)展S12MagniV系列,將廣泛的AEC-Q100認(rèn)證產(chǎn)品包括在內(nèi),從而將MCU、汽車穩(wěn)壓器、LIN和CAN物理層、引擎驅(qū)動(dòng)器及其它單芯片或雙芯片形式的其它項(xiàng)集成在一個(gè)單封裝解決方案中。計(jì)劃向S12MagniV系列添加的部分是針對(duì)無刷DC引擎控制、LED照明、步進(jìn)電機(jī)控制、通用LIN從節(jié)點(diǎn)或結(jié)合了高壓I/O的通用MCU等應(yīng)用的單芯片解決方案。



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