ARM全力對付硅和電池的障礙
硅縮放和電池技術的一個大障礙阻礙了在移動通信系統(tǒng)中的巨大的機遇,一個ARM執(zhí)行在主題演講中說。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/122801.htm“硅縮放,在某一時刻會結(jié)束,而且我認為它的到來早于很多人所料想的,”ARM的物理IP部門的總經(jīng)理Simon Segars,在一年一度的熱芯片的事件說。更重要的是,“我們確實需要一個新的電池技術,”他說。
用硅原子測量一小部分在直徑和單個納米數(shù)字工藝技術接近的納米位數(shù),“在我們需要其他材料,如III-V半導體之前,你只能規(guī)模到目前為止。”他說
難以提供生產(chǎn)質(zhì)量的EUV(極紫外)光刻技術已經(jīng)造成了問題。今天的浸泡系統(tǒng)芯片制造商必須使用復雜的雙圖形技術,而等待他們的EUV,可用于14nm節(jié)點所需的,Segars說。
“你需要產(chǎn)生一個每小時200-300晶圓,今天的EUV技術的機器現(xiàn)在可以做每小時約五晶圓”Segars說。 “有人質(zhì)疑是否將成為主流——研發(fā)仍然需要深入探究。”他補充說。
設計問題顯得突出。 4G調(diào)制解調(diào)器可以500倍的2G版本的復雜性,需要專用的數(shù)據(jù)處理引擎。
他說,需要更多的性能和功耗也推動了多個電源域的復雜性和時序收斂。不過,ARM 執(zhí)行承諾提出包括Cortex A15處理器充分的跨多個CPU和GPU,到2015年。
電池技術看起來同樣具有挑戰(zhàn)性,增加每年只有約11%,遠遠落后于摩爾定律的步伐。即使維持蕭條率,“將需要一些特殊材料,如硅合金或碳納米管——電池是真正的毫無價值,”他說。
在另一側(cè)的障礙是巨大的移動機遇。“所有的數(shù)字都很大。”Segars說,注意到去年的40億移動電話用戶市場的銷售額為280萬部智能手機。
“雖然我們已經(jīng)取得了意想不到的進展,仍然會有一些問題存在,未來也不會再像過去。”他警告說。
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