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Magnolia Solar刷新InGaAs量子阱太陽能電池電壓記錄

作者: 時間:2011-06-28 來源:PV-Tech 收藏

  在西雅圖舉行的第37屆IEEE光伏專家會議上, Solar的首席技術官Roger E. Welser博士做了有關InGaAs的報告, Solar刷新了該類太陽能電池的電壓記錄。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/120837.htm

  “通過把窄帶隙量子阱嵌入寬帶隙材料中,量子阱結構太陽能電池吸收光譜更寬,同時吸收高能光子的能量損失更小。” Solar的董事長兼首席執(zhí)行官Ashok K. Sood博士表示,“單結在非聚光條件下的理論轉化效率高達45%。”

  Magnolia Solar稱公司正在努力提高InGaAs開路電壓,電池結構的相關專利也正在申請。

  “量子結構太陽能電池在過去遇到的挑戰(zhàn)主要是如何在引入窄帶隙材料的同時,盡量降低其對電池開路電壓的影響。” Welser博士表示,“為了克服這一問題,我們采用III-V族材料設計了新穎的寬帶隙發(fā)射極異質結結構,并使用這一裝置刷新了同類電池的最高開路電壓記錄。我們的工作將幫助量子阱太陽能電池實現(xiàn)其理論性能。納米結構的太陽能電池打破了傳統(tǒng)太陽能電池開路電壓與短路電流之間的約束關系。”



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