新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 基于MASH結構的多級電源調制器設計

基于MASH結構的多級電源調制器設計

作者:張良鈿 鮑景富 黃洪云 電子科技大學 電子工程學院 (四川成都 611731) 時間:2011-02-21 來源:電子產品世界 收藏

  開關電源陣列設計

本文引用地址:http://2s4d.com/article/117016.htm

  開關電源陣列主要采用MOSFET實現(xiàn),如圖7所示。

  高速數(shù)字隔離器ISO722將FPGA產生的四個開關控制信號與右側的開關電源隔離。MOSFET驅動選擇MC33152,驅動電壓選為15V,MOSFET為普通的IRF540,肖特基二極管IN5822用以防止當高電壓MOSFET導通時,電流倒流進低電壓的MOSFET管中。這四組電源輸入選為8V、6V、4V、2V。

  開關電源陣列后接一個4階LC濾波器用以濾波開關噪聲,如圖8所示,其中以5Ω電阻負載來替代功放。該濾波器的幅頻響應如圖9所示。

  測試結果

  使用上述調制器生成如圖10(a)所示的一個頻率101kHz,幅值為1V~6.5V的正弦波(在負載電阻上測得),可以看出其中間值處的紋波小于波峰和波谷處的紋波,這是因為2的噪聲遠比1的噪聲小,這是本設計中采用2和MASH1相結合的一個重要原因。圖10(b)是FPGA產生的四個MOSFET的控制信號,高電平打開,低電平關斷,在任一時刻有且只有一個MOSFET是打開的。

  為了計算的效率,使用該調制器在不同的開關頻率下生成若干個直流電壓加到5Ω電阻負載上,并記錄下此時各組電源的輸出電流,計算并繪制得到效率曲線如圖11。

  由測試結果可知,該能獲得高于87%的調制效率,開關頻率越高,的輸出紋波越小,但其效率越低,因為此時MOSFET的開關功耗增大。


上一頁 1 2 3 下一頁

關鍵詞: 電源調制器 MASH

評論


技術專區(qū)

關閉