T3/E3/STS-1 LIU的回波損耗測(cè)量

本應(yīng)用筆記討論了在線路接口單元(LIU) — Dallas Semiconductor公司的DS3150 — 應(yīng)用中，如何測(cè)量并改進(jìn)回波損耗(RL)。對(duì)回波損耗的定義、要求、測(cè)量以及改進(jìn)方法進(jìn)行了論述。


回波損耗定義
當(dāng)高速信號(hào)到達(dá)傳輸線路的終端時(shí)，如果傳輸線路沒有很好地端接，部分信號(hào)能量將會(huì)向發(fā)送器反射。該反射信號(hào)與原始信號(hào)混合，這將導(dǎo)致原始信號(hào)失真，使LIU接收器很難正確恢復(fù)時(shí)鐘和數(shù)據(jù)。
回波損耗是原始信號(hào)與反射信號(hào)的功率比(用dB表示)。因此，回波損耗表示的是反射信號(hào)的相對(duì)大小，同時(shí)也反映了傳輸線路終端的匹配度或者說失配度。如果在給定頻率下測(cè)得LIU卡的回波損耗為20dB，則表明在該頻率下反射信號(hào)比原始信號(hào)功率小20dB。


回波損耗要求
對(duì)于E3、ITU G.703和ETS 300-686，規(guī)定的輸入回波損耗如表1所列，輸出回波損耗如表2所列。
表1. 輸入端最小回波損耗 Frequency Range Return Loss 
860kHz to 1720kHz 12dB 
1720kHz to 34368kHz 18dB 
34368kHz to 51550kHz 14dB 

表2. 輸出端最小回波損耗 Frequency Range Return Loss 
860kHz to 1720kHz 6dB 
1720kHz to 51550kHz 8dB 



Dallas Semiconductor的LIU回波損耗測(cè)量
ETS 300-686規(guī)范中的A.2.5和A.2.6細(xì)則描述了測(cè)量E3回波損耗的測(cè)試設(shè)備和程序。圖1所示的測(cè)試裝置用于測(cè)量輸入回波損耗，并驗(yàn)證其是否符合表1所列出的要求。輸出回波損耗的測(cè)量裝置與之相似，只是測(cè)量裝置被連接到了發(fā)送器的輸出而非接收器輸入。
圖1裝置中，回波損耗電橋采用的是Wide Band Engineering公司的A57TLSTD。兩個(gè)50/75阻抗轉(zhuǎn)換器(Wide Band Engineering的A65L)用來連接75電橋與50信號(hào)發(fā)生器和50頻譜分析儀端口。圖1中橋右側(cè)的75精密電阻是回波損耗橋的組成部分。Advantest的R3132頻譜分析儀作為信號(hào)發(fā)生器和頻譜分析儀。


圖1. 回波損耗測(cè)量裝置

在圖1裝置中，發(fā)生器在860kHz至51550kHz的頻率范圍內(nèi)，提供峰值為1V的正弦信號(hào)。

若要在測(cè)量回波損耗之前檢查測(cè)試裝置，電橋的NTP接口(圖1中左側(cè)的接口)應(yīng)連接至75