高壓功率IC片上靜電防護(hù)器件之版圖形式

導(dǎo)語(yǔ)：nLDMOS已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在電源管理芯片、LED/LCD驅(qū)動(dòng)、便攜產(chǎn)品和汽車(chē)電子等功率IC領(lǐng)域，其優(yōu)點(diǎn)是：它可以被同時(shí)用作內(nèi)核電路的輸出驅(qū)動(dòng)管和輸出端口的ESD箝位器件。湖南靜芯微電子技術(shù)有限公司研究發(fā)現(xiàn)，nLDMOS版圖實(shí)現(xiàn)的具體形式對(duì)器件靜電防護(hù)性能也存在著一定的影響。

正文：

nLDMOS已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在電源管理芯片、LED/LCD驅(qū)動(dòng)、便攜產(chǎn)品和汽車(chē)電子等功率IC領(lǐng)域。LDMOS是功率IC常用的片上靜電自防護(hù)器件，可以被同時(shí)用作內(nèi)核電路的輸出驅(qū)動(dòng)管和輸出端口的ESD箝位器件。我司不僅開(kāi)發(fā)了BSDOT結(jié)構(gòu)的LDMOS器件，而且還研究了器件版圖實(shí)現(xiàn)形式對(duì)LDMOS靜電防護(hù)性能的影響。

1. nLDMOS器件的三種版圖實(shí)現(xiàn)形式

如圖1所示為三種不同版圖布局形式的nLDMOS器件，包括叉指型、正方形和八邊形，每個(gè)器件包含四個(gè)單元。沿切線(xiàn)方向的器件剖面圖，如圖2所示，其工作原理是利用器件體內(nèi)的寄生三極管工作，泄放靜電流。

圖1 三種不同版圖布局形式的nLDMOS器件

圖2 沿A-A’切線(xiàn)方向的nLDMOS器件剖面圖

2. 測(cè)試結(jié)果與對(duì)比

如圖3所示為叉指型、方形和八邊形nLDMOS TLP IV曲線(xiàn)，圖4為三者的性能對(duì)比直方圖，由測(cè)試結(jié)果可知：

A. 八邊形nLDMOS的V_t1略大一些；

B. 叉指型器件的V_h偏高4~5V；

C. 正方形nLDMOS單位面積放電能力I_t2/area為1.35mA/um²，是三種最大的。

圖3 叉指型、方形和八邊形nLDMOS TLP IV曲線(xiàn)

圖4 叉指型、正方形和八邊形nLDMOS器件的ESD性能比較

綜上，我司基于某0.5μm CDMOS 工藝，構(gòu)造了正方形、八邊形和傳統(tǒng)叉指型nLDMOS器件。其中，正方形版圖布局的nLDMOS器件，與傳統(tǒng)叉指型和八邊形結(jié)構(gòu)相比，單位面積靜電泄放能力分別增加了30%和25%。因此，方形器件具有相對(duì)高的魯棒性，在滿(mǎn)足ESD窗口的前提下，使用方形版圖器件作為

ESD防護(hù)應(yīng)用更為可取。