最新技術(shù)：射頻芯片面積減少45%!

就在當前成熟制程有產(chǎn)能過剩疑慮，使得各家以成熟制程為主的晶圓代工廠，開始發(fā)展利基型產(chǎn)品，以突圍出自己的一片天空之際，晶圓代工大廠聯(lián)電宣布，推出業(yè)界首項RFSOI制程技術(shù)的3D IC解決方案，此55納米 RFSOI 制程平臺上所使用的硅堆疊技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小45% 以上，使客戶能夠有效率地集成更多射帶組件，以滿足5G更大的帶寬需求。

聯(lián)電指出，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷成長，聯(lián)電的 RFSOI 3D IC 解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收數(shù)據(jù)的關(guān)鍵組件，通過垂直堆棧芯片來減少面積，以解決在設(shè)備中為整合更多射頻前端模塊帶來的挑戰(zhàn)。該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產(chǎn)。

聯(lián)電技術(shù)開發(fā)處執(zhí)行處長馬瑞吉（Raj Verma）表示，聯(lián)電領(lǐng)先業(yè)界以創(chuàng)新射頻前端模組的3D IC技術(shù)，為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術(shù)不僅解決了 5G/6G 智能手機頻段需求增加所帶來的挑戰(zhàn)，更有助于在移動、物聯(lián)網(wǎng)和虛擬現(xiàn)實的設(shè)備中，通過同時容納更多頻段來實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸。未來我們將持續(xù)開發(fā)如 5G 毫米波芯片堆疊技術(shù)的解決方案，以滿足客戶對射頻芯片的需求。

聯(lián)電強調(diào)，擁有業(yè)界最完整的射頻前端模組芯片解決方案，提供包括移動設(shè)備、Wi-Fi、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和衛(wèi)星通訊等廣泛應(yīng)用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40納米的制程技術(shù)，以8吋和12寸晶圓生產(chǎn)，目前已完成超500個產(chǎn)品設(shè)計定案，出貨量更高達380多億顆。除了RFSOI技術(shù)外，聯(lián)電的6寸晶圓廠聯(lián)穎光電還提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術(shù)，可充分滿足市場對射頻前端模組應(yīng)用的各種需求。

來源：technews(臺)

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