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從臺(tái)積電代工漲價(jià)中我們看到了什么

發(fā)布人:芯飛翔 時(shí)間:2023-10-23 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

臺(tái)積電一直致力于做晶圓代工龍頭企業(yè),隨著三星、英特爾等科技巨頭在先進(jìn)封裝領(lǐng)域發(fā)展勢(shì)頭迅猛,SK海力士、索尼、力成、德州儀器、聯(lián)電等也加強(qiáng)了在先進(jìn)封裝產(chǎn)能上的突破,進(jìn)一步加劇先進(jìn)封裝市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

臺(tái)積電在美建廠遇到了諸多難題

首先,建廠成本高。臺(tái)積電在美建廠投入了大量的資金,因通貨膨脹導(dǎo)致的建材成本高,為了拿到更多財(cái)政補(bǔ)貼換產(chǎn)線等諸多因素,建廠成本從120億美金漲到了400億美金, 面臨著越來(lái)越大的生產(chǎn)和資金壓力。

其次,工作強(qiáng)度不夠,工期延誤。美國(guó)工人到點(diǎn)下班,跟不上臺(tái)積電的高學(xué)歷研發(fā)技術(shù)人才的日夜輪班倒的工作強(qiáng)度,導(dǎo)致工期延誤。由于裝機(jī)人員不夠,不能24小時(shí)待命高度配合,推遲了量產(chǎn)時(shí)間,這還受到了美國(guó)當(dāng)?shù)毓?huì)的不滿,要求美國(guó)政府停止核發(fā)工作簽證給臺(tái)積電臺(tái)灣地區(qū)員工,而在美國(guó)很難找到那么多高學(xué)歷、成本佳、契合度高的各供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)的當(dāng)?shù)貑T工,人力不夠更加延誤工期。而代工的成本增高,未來(lái)也會(huì)很難令蘋果、高通等對(duì)成本管控極為嚴(yán)格的客戶滿意。

最后,補(bǔ)貼大大縮水。想拿到美國(guó)的補(bǔ)貼,是有限制條件的,先前承諾的520億美元變?yōu)槎嗉倚酒緛?lái)分,先補(bǔ)貼給像英特爾、德州儀器、美光等這樣的自家孩子,然后才是臺(tái)積電,能分到臺(tái)積電手里只剩53億美元了。

投資400億,到手53億,臺(tái)積電精英工程師、家屬、原材料、設(shè)備舉家搬遷到美國(guó),英特爾、高通便發(fā)出高薪招聘廣告貼到臺(tái)積電門口。臺(tái)積電沒了華為的訂單,蘋果一家獨(dú)大要求臺(tái)積電降價(jià),人、財(cái)兩受損。有芯片銷售工程師向筆者訴苦,今年芯片不好賣,不如去年。產(chǎn)能增加、成本上揚(yáng)、銷路不暢,臺(tái)積電是得漲價(jià)。

臺(tái)積電漲價(jià)帶給國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的影響

臺(tái)積電的漲價(jià)可以增加中芯國(guó)際的訂單,畢竟22nm以下的芯片制程的應(yīng)用市場(chǎng)是廣大的,這也大大提高了中芯國(guó)際的經(jīng)濟(jì)收益。

有朋友表示,這個(gè)漲只是普通的CPI漲出來(lái)的;28nm異或7nm,現(xiàn)在的工藝都是成熟的工藝。高性能的芯片需求再?gòu)?qiáng)烈,訂單數(shù)量應(yīng)該不及28nm。最終出貨量,還是28nm更多。

還有網(wǎng)友分析猜測(cè),目前7nm制程已經(jīng)經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證良品率很高,漲價(jià)是用來(lái)調(diào)節(jié)產(chǎn)能飽和,拉開產(chǎn)品差距。很多有實(shí)力的國(guó)內(nèi)芯片公司尤其已經(jīng)上市的AIoT芯片公司(比如恒玄科技、中科藍(lán)訊等),基帶公司(MTK,展銳),AI芯片公司(寒武紀(jì)、黑芝麻等),GPU(摩爾線程,壁韌科技等)為了把競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手甩開,保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),都要布局7nm以下芯片產(chǎn)品線,芯片漲價(jià),勢(shì)必增加成品,影響市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

脫離摩爾定律的納米壓印技術(shù)能否告別光刻機(jī)

最近佳能爆出的納米壓印技術(shù)可以脫離光刻機(jī),制造5nm的芯片。其實(shí)納米壓印技術(shù)早在數(shù)年前就有,應(yīng)用于大尺寸觸控、反光材料、光學(xué)膜等領(lǐng)域。是在PSS環(huán)節(jié)中,通過(guò)使用納米壓印環(huán)節(jié)省去了涂光刻膠環(huán)節(jié)進(jìn)行曝光的步驟,從而說(shuō)代替了光刻機(jī)。

納米壓印技術(shù)是基于機(jī)械復(fù)制,不受光衍射現(xiàn)象的限制。至于能否在5nm節(jié)點(diǎn)上完成芯片制造,還需拭目以待。

先進(jìn)封裝技術(shù)或許能幫助臺(tái)積電力挽狂瀾

隨著市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)中心、云、生成式AI、自動(dòng)駕駛、5G/6G應(yīng)用的需求加大和方向引領(lǐng),這些應(yīng)用所需要的先進(jìn)封裝工藝也隨之成為市場(chǎng)風(fēng)口。高性能計(jì)算也是臺(tái)積電關(guān)鍵市場(chǎng)突破口之一。而由臺(tái)積電創(chuàng)建的CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)恰恰是AI應(yīng)用的主要封裝形式,以滿足客戶對(duì)高性能、高計(jì)算密度、高能效、低時(shí)延、高集成度的要求。CoWoS 先進(jìn)封裝產(chǎn)能的擴(kuò)充勢(shì)必會(huì)幫助臺(tái)積電力挽狂瀾。后續(xù)推進(jìn)2nm的量產(chǎn)也必然會(huì)增加臺(tái)積電的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,我們期待臺(tái)積電能走出泥潭,直沖云霄。

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