高創(chuàng)科技推出電源架構GTLVR系列CPU/GPU核心電壓調節(jié)耦合電感器
高創(chuàng)科技 推出嶄新電源架構GTLVR系列 CPU/GPU核心電壓調節(jié)耦合電感器,專屬高可靠度服務器/產業(yè)電腦/車載AI電腦應用。 高創(chuàng)科技
傳統(tǒng)大功耗CPU/GPU應用的服務器產品,其核心電壓VRM規(guī)格已經來到VR14版,然而所定義的分立式電感(通常使用氣隙夾片式電感,或稱為氣隙Bead Core電感,例如 : 高創(chuàng)科技 GTV系列)透過愈來愈高的工作頻率,搭配愈來愈低的感值,雖然帶來承載大功耗的能力,但其帶來越大的紋波電流及電感耦合系數(shù)下,需求愈來愈多的輸出電容,占用了更多的PCB空間,這些都是研發(fā)人員的苦惱,也是服務器機種效能及穩(wěn)定性的諸多瓶頸。
IEEE APEC 2020會議上Google著眼于此些問題而提出嶄新TLVR耦合電感結構,透過1:1變壓器式的設計以及更簡約的結構,解決分立式電感的缺點,同時間帶來更多效能及成本上的競爭力。
高創(chuàng)科技(GOTREND Technology)推出GTLVR966411PV& GTLVR126011PV系列TLVR架構的耦合電感器,具備更大的耐電流,更強固的本體以及優(yōu)異的EMI效果,可用低成本應用于需要強調可靠度的產品上,應用領域如產業(yè)電腦/5G****/服務器/車載AI電腦...等。
傳統(tǒng)VR架構多相(N Phase)電源使用的氣隙大電流分立式電感器(高創(chuàng)科技 GTV系列)多年來在高功耗的CPU/GPU服務器上扮演了很好的高轉換效率SMPS儲能放能穩(wěn)壓的角色,透過多相電源架構(N Phase)分流,可以達到更大功率下的電流需求,但隨著更新VRM版本的推出,電源相數(shù)持續(xù)增加,開關切換頻率持續(xù)拉高,同時間必須使用更小感值的電感器來匹配儲能放能。
耦合電感器常應用于多相電源拓撲,充分利用其相間磁耦合電流紋波相抵消的技術優(yōu)勢。而通常使用普通分立式電感時,一般只在多相降壓轉換器輸出抵消電流紋波。當耦合電感器通過磁耦合時,電流紋波抵消作用到所有電路元件、MOSFET、電感線圈。最終所有相關操作僅影響到單相,從而減小電流紋波幅值,并達到頻率倍增的效果。
而減小電流波形的RMS可有助于提高電源轉換的效率,且可縮小磁性元件,并且在獲得較快的瞬態(tài)響應下,可進而減少輸出電容需求,節(jié)約BOM Cost。
應用電路圖。高創(chuàng)科技
高創(chuàng)科技TLVR架構的耦合電感器特色與應用領域
特色為1: 1耦合電感器,超高工作頻率達5MHz以上。并且擁有超低直流阻抗 : DCR 0.125 & 0.33 ; 0.125 & 0.37mohm,超高飽和-溫升電流耐受:98A-75A ; 125A-77A。其氣隙特性本體強固,且有優(yōu)異體積面積占比 : 9x6x10mm ; 11x5x11mm。另外,有超低銅阻可直接引腳端子,配有5種感值,匹配PMIC設計。產品經有害物質檢測,符合RoHS Directive 2002 / 95 / EC。
可應用于PMIC多相電壓調節(jié)器、新架構電壓調節(jié)器模塊(TLVR)、電腦服務器 / 產業(yè)電腦級 VRM和EVRD、5G數(shù)據(jù)網(wǎng)絡和存儲系統(tǒng)、GPU圖形卡和BMS電池電源系統(tǒng)PMIC控制、POL負載點模塊和DCR感應電路。
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