下一波SiC浪潮：制造、供應(yīng)鏈和成本

來源：碳化硅SiC半導(dǎo)體材料

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：大家好，歡迎來到PowerUP的新劇集。今天，我們將討論碳化硅，下一波SiC制造，供應(yīng)鏈和成本。SiC行業(yè)在許多市場(chǎng)都在增長(zhǎng)。電動(dòng)汽車市場(chǎng)正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向SiC逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。梅賽德斯-奔馳已將安森美碳化硅技術(shù)用于牽引逆變器，作為戰(zhàn)略合作的一部分。因此，SiC器件的范圍正得到廣泛認(rèn)可，并為傳統(tǒng)IGBT提供了一種寬帶隙替代方案。隨著行業(yè)從內(nèi)燃機(jī)轉(zhuǎn)向電動(dòng)汽車，采用可以提高效率并提供更長(zhǎng)續(xù)航里程和更快充電的新解決方案將在整個(gè)動(dòng)力總成中帶來好處，設(shè)備制造商希望確保他們能夠獲得高質(zhì)量的 SiC 基板來支持他們的客戶。此外，包括開關(guān)速度和成本在內(nèi)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)仍然是重要的一點(diǎn)。此外，SiC的重要性促使許多公司審查和投資晶圓技術(shù)，以根據(jù)需求確定發(fā)展計(jì)劃。有幾種方法可以改善SiC器件的供應(yīng)側(cè)。這些范圍包括使用更大直徑的單晶晶圓進(jìn)行大規(guī)模制造，提高性能、缺陷率和良率。所有這些改進(jìn)協(xié)同工作有助于滿足這些功率器件預(yù)計(jì)需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。在與安森美汽車牽引解決方案總監(jiān)Pietro Scalia的播客中，我們將發(fā)現(xiàn)制造SiC解決方案的面貌，設(shè)計(jì)問題及其成本背后的原因。讓我們和皮埃特羅談?wù)劇?/p>

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：大家好，歡迎收聽最新一集的PowerUP。今天，我們就來聊一聊碳化矽（碳化硅），SiC的下一波的製造、供應(yīng)鏈和成本。SiC產(chǎn)業(yè)在許多市場(chǎng)都在成長(zhǎng)中。正如特斯拉（Tesla）已在進(jìn)行的，電動(dòng)車（EV）市場(chǎng)正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向SiC逆變器。賓士（Mercedes-Benz）也與安森美半導(dǎo)體（onsemi）策略合作，將其SiC技術(shù)用於牽引逆變器。因此，SiC元件的範(fàn)圍得到了廣泛認(rèn)可，並提供作為傳統(tǒng)IGBT的寬能隙替代品。隨著產(chǎn)業(yè)從內(nèi)燃機(jī)轉(zhuǎn)向電動(dòng)車，採用可提高效率並提供更長(zhǎng)續(xù)航里程和更快充電速度的新解決方案，將為整個(gè)動(dòng)力系統(tǒng)帶來好處，元件製造商也希望確保能夠獲得高品質(zhì)的SiC基板以支持其客戶。包括開關(guān)速度和成本等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，仍然是重點(diǎn)之一。此外，SiC的重要性促使許多公司重新審視並投資晶圓技術(shù)，以定義符合需求的開發(fā)計(jì)劃。有幾種方法可以改善SiC元件的供應(yīng)面，包括使用更大直徑的單晶晶圓擴(kuò)展製造規(guī)模、改善性能、缺陷率和產(chǎn)量。結(jié)合這些改進(jìn)之處將有助於滿足預(yù)期對(duì)這些功率元件需求的指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。在這集podcast中，我們邀請(qǐng)到onsemi汽車牽引解決方案總監(jiān)Pietro Scalia，一起探索SiC解決方案的製造階段、設(shè)計(jì)問題及其成本背後的原因。讓我們和Pietro好好聊聊吧！

嗨，彼得羅。非常感謝您的到來。你好嗎？

嗨，彼得羅。謝謝您的參與。您好嗎？

彼得羅·斯卡利亞：很好，毛里齊奧。感謝您參加此次會(huì)議。

PIETRO SCALIA：我很好，Maurizio。謝謝您邀請(qǐng)我參加這集節(jié)目。

毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：好的。所以今天，我們就來聊聊SiC，下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。但在此之前，請(qǐng)告訴我們的電力電子社區(qū)更多關(guān)于您的信息。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：好的。那麼，今天我們就從製造、供應(yīng)鏈、成本等方面來談?wù)凷iC、SiC的下一波。但在此之前，請(qǐng)跟我們的Power Electronics社群介紹更多關(guān)於您自己。

彼得羅·斯卡利亞：謝謝，毛里齊奧。所以比方說，我對(duì)權(quán)力并不陌生?，F(xiàn)在已經(jīng)有大約30年的時(shí)間在不同公司之間旅行了，我也想說跨越不同的技術(shù)。所以我當(dāng)然從硅開始，跨越不同的應(yīng)用，首先是電信，然后是云，這是非常大的，比方說，大趨勢(shì)?，F(xiàn)在，這種新的汽車電氣化是一個(gè)非常令人興奮的旅程，我們最終將寬帶隙帶入一個(gè)不同的可用性狀態(tài)。推動(dòng)這場(chǎng)額外的革命非常令人興奮，我相信這場(chǎng)革命才剛剛開始，但會(huì)鞏固。所以我在西門子開始了我的旅程，然后我在愛立信從事微電子工作，然后從意大利搬到德國(guó)和德州儀器。我之前曾在Wolfspeed工作過寬帶隙，最近兩年在安森美半導(dǎo)體工作，安森美半導(dǎo)體正在將汽車行業(yè)提升到一個(gè)新的水平。

PIETRO SCALIA：謝謝Maurizio。其實(shí)，電源領(lǐng)域?qū)ξ襾碚f並不陌生。在大約30年的職涯旅程中，我經(jīng)歷過不同的公司，可以說也橫跨不同領(lǐng)域的技術(shù)。當(dāng)然，我從矽晶開始接觸各種不同的應(yīng)用，首先是電信，然後是雲(yún)端，這些都是非常大的領(lǐng)域，或者可以說是大趨勢(shì)?，F(xiàn)在，新的汽車電氣化是一個(gè)非常激動(dòng)人心的旅程，我們最終將寬能隙帶入了一個(gè)不同的可利用狀況。推動(dòng)這場(chǎng)無比的革命非常令人興奮，雖然才剛剛開始但我相信但它將會(huì)日益增強(qiáng)。我從加入西門子（Siemens）開始了我的職業(yè)生涯，接著在愛立信（Ericsson）從事微電子工作，然後從意大利搬到德國(guó)，後來到了德州儀器（Texas Instruments;TI）。在加入Wolfspeed之前曾經(jīng)參與寬能隙團(tuán)隊(duì)，最近這兩年加入了onsemi，致力於提升汽車產(chǎn)業(yè)到寬能隙領(lǐng)域的新境界。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：因此，在制造器件之前，我們?cè)赟iC晶圓的生長(zhǎng)和加工方面面臨著一些挑戰(zhàn)。所以我想了解更多。因此，讓我們了解SiC制造的主要步驟，主要階段，也許突出一些現(xiàn)在對(duì)創(chuàng)新有更強(qiáng)烈要求的點(diǎn)。那么SiC制造與硅制造有何不同呢？主要的碳化硅晶圓廠有哪些型號(hào)？

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：在製造元件之前，我們面臨著與SiC晶圓生長(zhǎng)和製程相關(guān)的幾個(gè)挑戰(zhàn)。那麼，我想進(jìn)一步了解，哪些是SiC製造的主要步驟、主要階段，或許也能重點(diǎn)介紹一些目前對(duì)創(chuàng)新有更高要求之處。SiC製造與矽製造有何不同？以及有哪些主要的SiC晶圓製造模式？

PIETRO SCALIA：邀請(qǐng)觀眾參觀我們?cè)诠逻d的設(shè)施將非常有趣。我們開始生產(chǎn)這種碳化硅。并且已經(jīng)在觀察這些設(shè)備，你會(huì)看到硅的驚人差異。通常，我認(rèn)為每個(gè)人都熟悉這種硅，它非常非常高。在SiC中，我們談?wù)摰幕旧鲜怯⒋?，需要?shù)周才能開發(fā)出來。因此，從裸露的材料開始是一個(gè)更加困難的過程，即制造激光器的下一階段所需的包裝。所以這是一個(gè)溫度問題。因此，就能耗而言，這是一個(gè)非常繁重的過程，因?yàn)樗璧臏囟燃s為300 K。這是在特殊的爐子里制造的。安森美制造自己的熔爐。這一點(diǎn)也非常重要。我們?cè)?2021 年收購的公司 GT Advanced 擁有大量 IP。他們從藍(lán)寶石開始，然后他們?nèi)チ?SiC。兩者都非常，比方說，硬材料。碳化硅的硬度是另一點(diǎn)，對(duì)吧？我的意思是，只有鉆石基本上比這更硬。但是，當(dāng)然，鉆石也會(huì)被消費(fèi)。因此，在所有三個(gè)主要步驟中，這是一個(gè)昂貴的過程。因此，正如我們所說，反向生產(chǎn)，然后是晶圓，這也與硅完全不同。我們可以多談一點(diǎn)，因?yàn)槔?，onsemi，我們使用通過振動(dòng)產(chǎn)生的裂縫傳播方式。然后第三階段更標(biāo)準(zhǔn)。外延，比方說，在某種程度上是相似的。但在晶圓和外延之間，SiC的特點(diǎn)是缺陷。材料有幾處固有的缺陷，可以分類，文獻(xiàn)中也有很多文獻(xiàn)。但同樣非常重要的是，其中一些缺陷基本上是致命缺陷。因此，必須將它們從創(chuàng)建的晶圓中移除。這是一個(gè)非常密集的篩選活動(dòng)，需要用晶圓級(jí)來完成，這意味著活動(dòng)，這也是通過光學(xué)。這是與硅非常不同的內(nèi)在新元素，也給整個(gè)過程的產(chǎn)量帶來了許多挑戰(zhàn)。

PIETRO SCALIA：如果有機(jī)會(huì)邀請(qǐng)觀眾來參觀我們?cè)诠逻d（Hudson）的製造設(shè)施，將會(huì)更有意思。我們已經(jīng)開始生產(chǎn)這種SiC了。如果您看過這些元件，就會(huì)知道它與矽的驚人差異。通常，我認(rèn)為每個(gè)人都熟悉這種非常、非常高的矽。而在SiC，我們基本上談?wù)摰氖怯?，這需要幾週的時(shí)間才能開發(fā)出來。因此，從裸材料開始就是一個(gè)更困難的過程，即創(chuàng)建雷射的下一階段所需要的封裝。所以這是溫度的問題。因此，以能源消耗而言，這是一個(gè)非常繁重的過程，因?yàn)樗璧臏囟燃s為300K。這是在特殊的熔爐中製造的。Onsemi自行製造熔爐，這也很重要。我們?cè)?021年收購的公司GT Advanced，帶來了很多IP。他們從藍(lán)寶石起家，然後轉(zhuǎn)向SiC，這兩者都是非常堅(jiān)硬的材料。SiC的硬度是另一個(gè)重點(diǎn)，對(duì)吧？我的意思是，基本上只有鑽石比它更硬。但當(dāng)然，鑽石也會(huì)被消耗掉。因此，在所有三個(gè)主要步驟中都是一個(gè)昂貴的過程。因此，正如我們所說，生產(chǎn)以及晶圓加工也與矽完全不同。這部份可以多談一點(diǎn)，因?yàn)椋?，在onsemi，我們使用振動(dòng)產(chǎn)生的傳播裂縫方式。然後第三階段則更標(biāo)準(zhǔn)。例如外延層，在某種程度上是相似的。但在晶片和外延之間，SiC的特殊之處在於缺陷。有幾種材料固有的缺陷，它們是可以分類的，這部份在文獻(xiàn)中有很多相關(guān)出版品。但同樣重要的是，其中一些缺陷基本上是致命缺陷。因此必須將它們從創(chuàng)建的晶圓中移除。這是一項(xiàng)非常密集的篩選，需要在晶圓級(jí)進(jìn)行，這意味著活動(dòng)也是透過光學(xué)進(jìn)行的。這是內(nèi)在固有的新元素，與矽截然不同，對(duì)整個(gè)製程的良率也提出了很多挑戰(zhàn)。

毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：讓我們退后一步。讓我們了解導(dǎo)致超過25年投資的SiC的主要屬性是什么。因?yàn)閷?duì)這項(xiàng)技術(shù)有很多投資。在這些發(fā)展過程中，除了RDS（on）的改進(jìn)外，我們還看到了非常具體的導(dǎo)通電阻的進(jìn)一步降低，傳導(dǎo)損耗也降低了。具有相同芯片面積的器件的傳導(dǎo)損耗。在電動(dòng)汽車中使用SiC肯定可以獲得多少性能，但在能源趨勢(shì)中也是如此？

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：讓我們退後一步來看。首先來了解這種引領(lǐng)超過25年投資的SiC，其主要屬性是什麼。畢竟在這項(xiàng)技術(shù)上有著很多的投資。在這些發(fā)展過程中，除了改善了RDS(on)，我們還看到非常特定的導(dǎo)通電阻進(jìn)一步降低，具有相同晶片面積的元件傳導(dǎo)損耗也降低了。在EV中使用SiC可以提升多少性能是確定的，而在能源領(lǐng)域也有這樣的趨勢(shì)嗎？

PIETRO SCALIA：我認(rèn)為你提到的這兩個(gè)領(lǐng)域正好是我們看到最大規(guī)模采用的領(lǐng)域。我認(rèn)為，如果我們談?wù)撃茉瓷a(chǎn)和儲(chǔ)存，如果我們談?wù)撈?，情況會(huì)非常不同。讓我用一些數(shù)字進(jìn)入汽車領(lǐng)域。當(dāng)然，我們使用SiC，從車載充電器開始，到DC / DC，再到AB牽引。通常，效率的提高非常顯著。所以我們談?wù)搸讉€(gè)單位和時(shí)間給出高達(dá) 7%。但是在故事的最后，特別是為了牽引力，它是關(guān)于范圍的。因此，如果我們開始比較基本基于IGBP的解決方案和基于SiC的解決方案，我們就能夠擴(kuò)展車輛可以行駛的公里數(shù)。因此，我們每天都在一級(jí)和 OEM 中進(jìn)行此練習(xí)，甚至減少 10%。當(dāng)然，這取決于模型的力量。但現(xiàn)在 SiC 將提供高達(dá) 325、350 kW 的型號(hào)。節(jié)省是巨大的。你看到兩個(gè)電機(jī)。你可以看到每個(gè)機(jī)翼一個(gè)電機(jī)。有時(shí)您甚至可以看到三個(gè)電機(jī)合二為一。當(dāng)然，所有這些功率都需要最佳效率;否則，這是對(duì)能源的極大浪費(fèi)。

PIETRO SCALIA：我認(rèn)為你提到的這兩個(gè)領(lǐng)域正是我們看到最大規(guī)模採用的領(lǐng)域。我認(rèn)為，如果我們談?wù)撃茉瓷a(chǎn)和儲(chǔ)存，這與談?wù)撈囀欠浅２煌?。讓我們用一些?shù)字來看汽車。當(dāng)然，我們使用SiC，例如從車載充電器（OBC）開始使用，到DC/DC，再到AB循跡控制。一般來說，效率的提升是非常顯著的。因此，我們談?wù)撟疃?%的幾個(gè)單位和時(shí)間，而到最後，特別是對(duì)於循跡控制，它跟續(xù)航里程是有關(guān)的。因此，如果我們開始比較基於IGBP的解決方案和基於SiC的解決方案，就能夠延長(zhǎng)車輛的行駛里程。因此，我們每天都在和一線（Tier 1）供應(yīng)商和原始設(shè)備製造商（OEM）中進(jìn)行演練，即使是10%。當(dāng)然，這取決於電源的類型。但現(xiàn)在，SiC將提供高達(dá)325、350kW的供電模型。在節(jié)能省電方面是巨大的。你看到它有兩個(gè)馬達(dá)，每個(gè)機(jī)翼都有一個(gè)馬達(dá)。有時(shí)您甚至可以看到三個(gè)馬達(dá)合而為一。當(dāng)然，所有這些電源都需要最高效率；否則，這是能源的一種巨大浪費(fèi)。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：展望未來，目標(biāo)將是開發(fā)擴(kuò)大這些設(shè)備應(yīng)用的技術(shù)。降低成本是必須的。如何更快地降低碳化硅片價(jià)格？200-mm基板的下一步意味著什么？因此，SiC器件主要在150毫米基板上開發(fā)，并且有一個(gè)升級(jí)應(yīng)該提供重要的優(yōu)勢(shì)。那么我們什么時(shí)候才能看到這些優(yōu)勢(shì)呢？你覺得怎么樣？

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：展望未來，目標(biāo)將是開發(fā)技術(shù)以擴(kuò)大這些元件的應(yīng)用。降低成本勢(shì)在必行。SiC晶圓如何更快降價(jià)？200毫米（mm）基板的下一步意味著什麼？還有，SiC元件主要在150-mm基板上開發(fā)，而且還帶來可提供重要的優(yōu)勢(shì)的一次升級(jí)。那麼，什麼時(shí)候才能看到這些優(yōu)勢(shì)呢？您怎麼看？

彼得羅·斯卡利亞：我認(rèn)為我們需要考慮三個(gè)因素。首先，讓我們分為兩類。一是市場(chǎng)需求更多，這當(dāng)然會(huì)產(chǎn)生最后的價(jià)格。第二個(gè)更具技術(shù)性。因此，讓我們首先快速了解市場(chǎng)需求。顯然，今天討論了無能為力的問題。所以所有球員，六名球員，我們都在市場(chǎng)上。沒有足夠的能力來滿足岳父的全部需求。這種情況正在迅速改變。顯然，生產(chǎn)投資非常高。安森美去年正式宣布投資9%，現(xiàn)在甚至將投入15%，大部分投入SiC。有趣的是，即使這個(gè)數(shù)字在增長(zhǎng)，投資者對(duì)我們的股****感到滿意，因?yàn)轱@然他們認(rèn)為這項(xiàng)投資是值得的，并將為公司帶來收入和利潤(rùn)。因此，市場(chǎng)需求在某個(gè)時(shí)候會(huì)得到更好的滿足，并且肯定會(huì)在本十年中期之后看到這種意義上的改善?，F(xiàn)在，稀缺性顯然將價(jià)格帶到了更高的水平。

PIETRO SCALIA：我認(rèn)為這需要考慮三個(gè)要素。首先，讓我們分為兩類來看，其一是更多的市場(chǎng)需求，這當(dāng)然會(huì)在最後產(chǎn)生價(jià)格。其次是更具技術(shù)性。因此，讓我們首先快速了解市場(chǎng)需求。顯然地，今天討論的是產(chǎn)能不足。所以，所有的六家參與業(yè)者，都在市場(chǎng)上。然後，並沒有足夠的產(chǎn)能來滿足整個(gè)需求。這正在迅速改變中。很顯然地，生產(chǎn)投資非常高。Onsemi去年正式宣佈9%的投資，如今甚至要做到15%的投資，大部份都會(huì)投向SiC。有趣的是，即使這個(gè)數(shù)字在成長(zhǎng)，投資者對(duì)我們的股****感到滿意，因?yàn)樗麄冿@然相信這項(xiàng)投資是值得的，而且將會(huì)為公司帶來營(yíng)收和利潤(rùn)。因此，市場(chǎng)需求在某個(gè)時(shí)候會(huì)得到更好的滿足，在這個(gè)十年中期之後，我們肯定會(huì)看到在這方面的改善。目前，由於稀缺顯然將價(jià)格推高了。

如果我們?cè)诩夹g(shù)方面，讓我們關(guān)注兩個(gè)要素。第一個(gè)是儀表，對(duì)，正如你所討論的。我想聽聽我喜歡它花了多長(zhǎng)時(shí)間，就像在硅中一樣，從一個(gè)步驟移動(dòng)到另一個(gè)步驟。再一次，寬帶隙，你可以看到這個(gè)加速度非常寬。所以 200 毫米現(xiàn)在肯定在開發(fā)中，至少我可以談?wù)?onsemi。我們的首席執(zhí)行官一直在股****分析師會(huì)議上宣布這一點(diǎn)。我們將在 2025 年基本開始生產(chǎn)。我們已經(jīng)擁有GT Advanced在收購時(shí)已經(jīng)擁有的材料。當(dāng)然，現(xiàn)在將其擴(kuò)展到數(shù)量需要一些時(shí)間，因?yàn)樘魬?zhàn)仍然存在，對(duì)吧？我們談到了缺陷。缺陷有時(shí)非常密集地進(jìn)入晶圓邊緣。所以當(dāng)然，你不想擴(kuò)大規(guī)模，然后發(fā)現(xiàn)你的產(chǎn)量有很多缺陷。這是不可持續(xù)的。所以收益率決定價(jià)格，對(duì)吧？

如果我們繼續(xù)看技術(shù)方面，讓我們關(guān)注於兩項(xiàng)要素。第一個(gè)是儀表，就像你所討論的。我想知道從這一步到另一步需要多長(zhǎng)時(shí)間，就像在矽一樣。再次強(qiáng)調(diào)，寬能隙，你會(huì)看到這種加速非常寬。所以，200mm現(xiàn)在當(dāng)然已在進(jìn)行中，至少我可以談onsemi的情況。我們的執(zhí)行長(zhǎng)已在股****分析師會(huì)議上宣佈了這一點(diǎn)?；旧?，我們將在2025年開始量產(chǎn)。我們?cè)谑召廏T Advanced時(shí)取得了其所擁有的材料?，F(xiàn)在，當(dāng)然，將這個(gè)量擴(kuò)大會(huì)需要一些時(shí)間，因?yàn)樘魬?zhàn)仍然存在，對(duì)吧？接著來談?wù)勅毕?。缺陷有時(shí)會(huì)非常密集地進(jìn)入晶圓的邊緣。所以當(dāng)然，你不想擴(kuò)大規(guī)模後才發(fā)現(xiàn)你的產(chǎn)量中有很多缺陷。那是不可持續(xù)的。所以，產(chǎn)量決定價(jià)格，對(duì)嗎？

現(xiàn)在我介紹第三點(diǎn)。我認(rèn)為這也是定價(jià)的一個(gè)非常關(guān)鍵的因素。今天，我們都試圖生產(chǎn)至少中等產(chǎn)量，超過70%的數(shù)字是更好的數(shù)字，可能會(huì)有更好的數(shù)字。這一切都取決于模具的大小。讓我們假設(shè)今天的25 mm2是一種市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)，愿意在我之前說過的那個(gè)領(lǐng)域。因此，一旦增加晶圓尺寸，該產(chǎn)量就不會(huì)降低。實(shí)際上，八英寸應(yīng)該具有相似的產(chǎn)量。因此，這是一個(gè)行動(dòng)呼吁和一個(gè)挑戰(zhàn)。

接著介紹第三點(diǎn)。我認(rèn)為這也是定價(jià)的一個(gè)非常關(guān)鍵因素。今天，我們都試圖產(chǎn)生至少中等產(chǎn)量，超過70%產(chǎn)量是更好的數(shù)字，也可能會(huì)有更好的數(shù)字。這一切也取決於晶片的尺寸。讓我們假設(shè)今天的25mm2是一種市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)，願(yuàn)意在我之前說過的那個(gè)區(qū)域。所以當(dāng)你增加晶圓尺寸時(shí)，這個(gè)產(chǎn)量不應(yīng)該下降。實(shí)際上，8吋晶圓的產(chǎn)量應(yīng)該差不多。因此，這是一項(xiàng)行動(dòng)呼籲也是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。

我認(rèn)為另一方面，讓我們也談?wù)劶夹g(shù)。所以幾年前誰開始市場(chǎng)基本上是過去，他們開始平面。安森美也開始平面。我們已經(jīng)跨越了不同的世代。我們現(xiàn)在是第四代。平面提供了保護(hù)結(jié)構(gòu)門的很多可能性，因?yàn)檫@是其可靠性的關(guān)鍵要素之一。SiC具有非常高的能量密度，近距離和高電壓密度。關(guān)閉您需要保護(hù)的大門。在溝槽結(jié)構(gòu)中做到這一點(diǎn)非常困難。那么影響是什么呢？其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)決定很快去挖溝，但他們?cè)诨顒?dòng)面積方面付出了代價(jià)。有源區(qū)域是您用于傳導(dǎo)的 SiC 區(qū)域。當(dāng)然，當(dāng)您想為 25-mm2 SiC 付費(fèi)時(shí)，您希望擁有幾乎 100%。假設(shè)一個(gè)現(xiàn)實(shí)的數(shù)字在 80% 到 90% 之間，甚至可能更高。過去用戰(zhàn)壕做到這一點(diǎn)幾乎是不可能的。因此，如果你分析一些競(jìng)爭(zhēng)死亡，你會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)非常低的活動(dòng)區(qū)域，今天可以做一些不同的事情，因?yàn)榕c此同時(shí)，該技術(shù)基本上實(shí)現(xiàn)了走溝的可能性。

另一方面，讓我們也談?wù)劶夹g(shù)。幾年前開始做市場(chǎng)的基本上都是過去了，他們做的是平面的。Onsemi也開始平面化。我們已經(jīng)跨越不同的平面世代發(fā)展，現(xiàn)在來到第四代。平面提供了許多保護(hù)結(jié)構(gòu)閘極的可能性，因?yàn)檫@是其可靠性的關(guān)鍵要素之一。SiC具有非常高的能量密度，封閉且高電壓密度。它能封閉您需要保護(hù)的閘。在溝槽結(jié)構(gòu)中做到這一點(diǎn)非常困難。那麼影響是什麼？其他競(jìng)爭(zhēng)者已決定很快採用溝槽結(jié)構(gòu)，但其代價(jià)是主動(dòng)區(qū)域。主動(dòng)區(qū)域是您用於傳導(dǎo)的SiC區(qū)域。當(dāng)然，當(dāng)你想採用25mm2SiC時(shí)，幾乎可達(dá)到100%。假設(shè)一個(gè)現(xiàn)實(shí)的數(shù)字在80%到90%之間，甚至可能更高。而在過去用溝槽做到這一點(diǎn)幾乎是不可能的。所以如果你分析一些競(jìng)爭(zhēng)晶片，你會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)非常低的主動(dòng)區(qū)域，而今我們以做一些不同的事了，因?yàn)榕c此同時(shí)，該技術(shù)基本上可以實(shí)現(xiàn)溝槽的可能性。

溝槽，就像硅一樣，絕對(duì)是增加密度的明顯方法，當(dāng)然也可以實(shí)現(xiàn)更好的價(jià)格。那么我們?cè)谑袌?chǎng)上看到了什么？安森美已經(jīng)宣布M4將是戰(zhàn)壕，我認(rèn)為其他計(jì)劃好的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手可能也在做同樣的事情。所以市場(chǎng)正在轉(zhuǎn)向溝槽，因?yàn)榻裉煳覀內(nèi)匀豢梢栽?0%使用溝槽的活躍區(qū)域。這是一場(chǎng)巨大的革命。因此，要走上這條很長(zhǎng)的道路，我想我想強(qiáng)調(diào)的是，有一個(gè)成分給了市場(chǎng)。所以市場(chǎng)容量可用性。第二個(gè)元素，絕對(duì)是 8 英寸到位。第三個(gè)要素，即在不過度降低有效面積比例的情況下從平面到溝槽的技術(shù)轉(zhuǎn)變，因?yàn)槲覀儸F(xiàn)在無論如何都有辦法保護(hù)閘門并使技術(shù)更加強(qiáng)大。這當(dāng)然是專有技術(shù)。我無法過多地解釋我們?nèi)绾巫龅竭@一點(diǎn)。

如同矽一樣，溝槽絕對(duì)是增加密度的明顯方式，當(dāng)然也能帶來更好的價(jià)格。那麼我們?cè)谑袌?chǎng)上看到了什麼？Onsemi已經(jīng)宣布M4將採用溝槽結(jié)構(gòu)，我認(rèn)為其他採用平面型結(jié)構(gòu)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手可能也在做同樣的事情。所以市場(chǎng)正在轉(zhuǎn)向溝槽，因?yàn)榻裉煳覀儝裼脺喜劢Y(jié)構(gòu)仍然可以擁有90%的主動(dòng)區(qū)域。這是一場(chǎng)大革命。因此，為了走上這條漫長(zhǎng)的道路，我想強(qiáng)調(diào)市場(chǎng)有這樣一個(gè)組成元素。所以市場(chǎng)還有一定的產(chǎn)能可用。第二個(gè)元素絕對(duì)是8吋晶片到位。第三個(gè)要素則是從平面到溝槽的技術(shù)過渡，但不會(huì)過度降低主動(dòng)區(qū)域的比例，因?yàn)槲覀儸F(xiàn)在有辦法保護(hù)閘極並使技術(shù)更加穩(wěn)健。這當(dāng)然是專有技術(shù)。我無法解釋太多我們?nèi)绾螌?shí)現(xiàn)。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：讓我們談?wù)劻硪粋€(gè)大話題：可靠性。因此，在可靠性方面，柵極氧化層可靠性，閾值電壓不穩(wěn)定性等在過去幾年中得到了研究。也許柵極氧化物將是最重要的。所以告訴我你的想法。因?yàn)闁艠O氧化層的質(zhì)量決定了SiC器件的壽命、工作壽命。那么你的考慮是什么？

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：讓我們談?wù)劻硪粋€(gè)重要話題：可靠性。在可靠性方面，過去幾年來一直在研究閘氧化層的可靠性、閾值電壓不穩(wěn)定性等。也許閘極氧化物將是最重要的。所以，告訴我們你的看法，因?yàn)殚l氧化層品質(zhì)決定了SiC元件的壽命、工作壽命。那麼，您的考慮是什麼？

彼得羅·斯卡利亞：是的，絕對(duì)正確，毛里齊奧。所以大門絕對(duì)是這里的關(guān)鍵部分，對(duì)吧？我的意思是，至少進(jìn)入 DPH 意味著至少進(jìn)入 RDS 關(guān)閉，對(duì)吧？正如你在開始時(shí)所說，降低比阻力是我們的目標(biāo)之一。所以今天，這項(xiàng)技術(shù)在175°C的高溫下，每平方厘米500萬個(gè)。我們正在走下去，走下來。但同樣，VTH需要超級(jí)穩(wěn)定。這又是我之前介紹的概念的一部分，關(guān)于如何保護(hù)您的柵極免受高壓影響，如何保護(hù)高磁場(chǎng)，并且有一些技術(shù)可以使我們成為可能。實(shí)際上，安森美為擁有超級(jí)穩(wěn)定的BTH而感到自豪。目前，AQG324已經(jīng)進(jìn)行了一些測(cè)試，甚至使用了動(dòng)態(tài)柵極偏置，這些測(cè)試對(duì)放置SiC芯片的模塊施加了壓力，這些模塊可能是為了響應(yīng)這些特性而設(shè)置的。我們不得不說，JEDEC做得很好，這當(dāng)然要?dú)w功于行業(yè)和半導(dǎo)體行業(yè)的貢獻(xiàn)。我們正在快速行動(dòng)。我想五年前，我們認(rèn)為SiC在穩(wěn)健性方面還不成熟。今天，我們認(rèn)為相反，因?yàn)槲覀兇_實(shí)有很多時(shí)間在實(shí)地工作。老實(shí)說，信心水平增加了很多。我們很少有失敗，坦率地說，它可以比較。IGBT領(lǐng)域的故障比我今天在硬質(zhì)合金中看到的還要多。

PIETRO SCALIA：是的，Maurizio，完全正確。所以閘極絕對(duì)是這裡的關(guān)鍵部份，對(duì)吧？我的意思是，至少進(jìn)入DPH系列意味著至少進(jìn)入RDS（off），對(duì)嗎？正如您一開始所說，降低特定電阻是我們的目標(biāo)之一。所以今天，這項(xiàng)技術(shù)在175?C的高溫下可以達(dá)到每平方公分500萬個(gè)。我們正在走下坡路。但同樣地，VTH需要超級(jí)穩(wěn)定。再次強(qiáng)調(diào)，這就是我之前介紹關(guān)於如何保護(hù)閘極免受高壓、如何保護(hù)高場(chǎng)的概念之一部份，而且也有了一些技術(shù)可以幫助我們。實(shí)際上，onsemi非常自豪能夠擁有一個(gè)超級(jí)穩(wěn)定的BTH。如今，已經(jīng)有一些測(cè)試採用AQG324進(jìn)行了，例如動(dòng)態(tài)閘極偏置，這些測(cè)試對(duì)放置SiC晶片的模組施加壓力，這些模組可能是為了響應(yīng)這些特性而放置的。我們不得不說JEDEC做得很好，這當(dāng)然要感謝來自產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)。我們正在快速進(jìn)展中。五年前，我們認(rèn)為SiC在穩(wěn)健性方面還不成熟。今天我們的想法恰恰相反，因?yàn)槭聦?shí)上，我們?cè)谶@個(gè)領(lǐng)域有很多時(shí)間。老實(shí)說，信心水平提高了很多。我們很少會(huì)有失敗，坦地說，它也經(jīng)得起比較。你在IGBT領(lǐng)域的失敗比我今天在碳化物中看到的還要多。

而半導(dǎo)體制造和封裝的方法肯定應(yīng)該發(fā)揮，在器件可靠性方面也起著重要作用？供應(yīng)鏈呢？

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：讓我們繼續(xù)談?wù)劰?yīng)鏈。盡可能以垂直整合為目標(biāo)的供應(yīng)鏈非常重要。晶圓(包括晶圓和元件)的供應(yīng)鏈產(chǎn)能當(dāng)然需要增加，而且晶圓的成本也必須降下來。那麼，該技術(shù)正在尋求哪些改善之處，以及半導(dǎo)體製造和封裝的方法應(yīng)該發(fā)揮什麼作用？還有在元件可靠性方面也起著重要作用？至於供應(yīng)鏈呢？

PIETRO SCALIA：所以當(dāng)然，假設(shè)降價(jià)總是一個(gè)微妙的話題，對(duì)吧？它涉及采購，沒有圖形很難放。但我要說的是，如果我們給出一個(gè)特定的阻力常數(shù)，對(duì)，我們將看到成本下降。這是毫無疑問的。當(dāng)然，請(qǐng)求來了，因?yàn)橐坏┠募夹g(shù)得到改進(jìn)，您也希望看到RSP下降。所以也許在這一點(diǎn)上，謹(jǐn)慎的價(jià)格變得平坦。所以我可以說，我們今天擁有的載體，一個(gè)是向更大的方面移動(dòng)。第二個(gè)是降低音高。我們現(xiàn)在在幾微米的范圍內(nèi)，絕對(duì)可以朝著市場(chǎng)需求的方向發(fā)展。進(jìn)入供應(yīng)鏈對(duì)于控制所有步驟是絕對(duì)必要的。通過收購GT Advanced，我們已經(jīng)完成了這一步。這是一項(xiàng)巨大的投資，但極具戰(zhàn)略意義，因?yàn)槟枰刂普麄€(gè)流程來控制容量。今天，當(dāng)客戶遇到新機(jī)會(huì)時(shí)，我們會(huì)控制產(chǎn)能。容量不夠，對(duì)吧？你肯定需要投入投資，只有當(dāng)你控制了整個(gè)供應(yīng)鏈時(shí)，你才能做到。客戶，原始設(shè)備制造商，一級(jí)，很高興知道他們的供應(yīng)受到控制，不是由兩三方控制，而是由一方控制，對(duì)吧？他們簽署協(xié)議，通常是戰(zhàn)略性的，長(zhǎng)期的，五年，十年，對(duì)吧？因?yàn)槿藗兿胍Ｗo(hù)材料以確保他們可以交付切割。在 Covid 期間，我們協(xié)助解決了市場(chǎng)上這場(chǎng)非常瘋狂的交付危機(jī)。當(dāng)我們用電氣模型替換IC模型時(shí)，沒有人希望看到這樣的事情。所以供應(yīng)鏈?zhǔn)且粋€(gè)非常關(guān)鍵的點(diǎn)。以非常負(fù)責(zé)任的方式確?？蛻舢a(chǎn)能的唯一方法是擁有整個(gè)步驟，因此擁有滾球創(chuàng)造，擁有晶圓，了解外延，如果我們談?wù)摴β誓Ｐ鸵约皳碛猩a(chǎn)的kackend部分。

PIETRO SCALIA：當(dāng)然，降價(jià)始終是一個(gè)微妙的話題，對(duì)吧？它涉及採購，沒有圖表也很難定價(jià)。但是，我認(rèn)為，如果我們給出一個(gè)特定的電阻常數(shù)，我們就會(huì)看到成本下降。這是無庸置疑旳。當(dāng)然，要求出現(xiàn)了，因?yàn)橐坏┠募夹g(shù)得以改善，您也希望看到RSP下降。因此，也許到那時(shí)，審慎的價(jià)格會(huì)變得持平。所以我可以說今天所擁有的向量之一是向更大的方向移動(dòng)。其次是縮小間距。我們現(xiàn)在處於幾微毫米的範(fàn)圍內(nèi)，絕對(duì)可以使趨勢(shì)朝著市場(chǎng)需求的方向發(fā)展。進(jìn)入供應(yīng)鏈對(duì)於控制所有步驟是絕對(duì)必要的。隨著GT Advanced的收購，我們已經(jīng)完成了這一步。這是一項(xiàng)巨大的投資，但極具策略意義，因?yàn)槟枰刂普麄€(gè)流程以控制容量。今天，當(dāng)客戶帶來新機(jī)會(huì)時(shí)，我們會(huì)控制產(chǎn)能。產(chǎn)能不夠吧？你一定要投資，而且只有當(dāng)你控制了整個(gè)供應(yīng)鏈，才能達(dá)到目標(biāo)?？蛻?、OEM、Tier 1供應(yīng)商很高興知道他們的供應(yīng)受到控制，並不是由兩方或三方控制，而是由一方控制，對(duì)吧？他們簽署協(xié)議，通常是策略性的、長(zhǎng)期的、五年、十年的協(xié)議，對(duì)嗎？因?yàn)槿藗兿胍_保材料以確保他們能夠交付。在COVID期間，我們協(xié)助解決了這場(chǎng)非常瘋狂的市場(chǎng)交付危機(jī)。當(dāng)我們用電氣模型替換IC模型時(shí)，沒有人希望看到這樣的事情。所以供應(yīng)鍊是一個(gè)非常關(guān)鍵的點(diǎn)。以對(duì)客戶非常負(fù)責(zé)任的方式確保產(chǎn)能的唯一方法是擁有整個(gè)步驟，因此擁有晶圓製造、擁有晶片、了解外延，如果我們談?wù)摴β誓Ｐ鸵约皳碛嗅岫瞬糠?的生產(chǎn)。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：在我最后一個(gè)問題之前，我想和你談?wù)劙b。因此，寬帶隙器件，我的意思是，GaN和SiC肯定會(huì)保證更高的工作溫度和更高的效率。這是眾所周知的。但是，設(shè)計(jì)人員在將這些器件設(shè)計(jì)到系統(tǒng)中時(shí)需要考慮一些熱管理問題。您如何看待功率密度增加的熱管理需求對(duì)工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展有何影響？您對(duì)這些包裝技術(shù)的戰(zhàn)略是什么？

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：在我最後一個(gè)問題之前，我想和你談?wù)劮庋b。所以，寬能隙元件，我的意思是，GaN和SiC肯定會(huì)承諾更高的工作溫度和更高的效率。這是眾所周知的。但是，在將這些元件設(shè)計(jì)到系統(tǒng)時(shí)，設(shè)計(jì)人員需要考慮熱管理問題。您如何看待隨著功率密度增加而影響製程和封裝技術(shù)未來發(fā)展的熱管理需求？您對(duì)這些封裝技術(shù)的策略是什麼？

PIETRO SCALIA：所以我們之前說過，對(duì)，為了降低價(jià)格，提高性能，我們也在減少芯片的間距。模具變得越來越密集，這意味著許多作品被限制在非常有限的空間內(nèi)。所以我們知道SiC當(dāng)然可以在更高的溫度下抵抗，這是一個(gè)很大的熱阻。但是我們需要從一個(gè)非常小的空間中消散。所以包需要幫助。從這個(gè)意義上說，有不同的技術(shù)。但是讓我說，今天的模具燒結(jié)是強(qiáng)制性的，讓我說最先進(jìn)的，你必須在市場(chǎng)上擁有。這是頂部和底部。我們有所謂的STM。這是一個(gè)評(píng)估，是焊接頂部，焊接/燒結(jié)頂部金屬和底部金屬。因此，我們可以在兩個(gè)方向上燒結(jié)骰子，我認(rèn)為這是必不可少的。這也使您能夠在模塊內(nèi)部具有各向同性耗散。該模型還需要配備材料，絕對(duì)可以在高達(dá) 200 度的結(jié)下工作，因?yàn)橥瑯?，SiC 可以輕松地將其范圍擴(kuò)展到硅以上，傳統(tǒng)上硅僅限于 175。但是轉(zhuǎn)移模式的環(huán)氧樹脂需要出現(xiàn)。夾子也非常具有戰(zhàn)略意義，可以提取熱量。正如我所說，它們可以燒結(jié)。他們可以焊接。機(jī)械結(jié)構(gòu)對(duì)于傳播熱量也非常重要，因?yàn)殡娏?，通常這些是有多個(gè)芯片和功率的應(yīng)用。電流需要以非常均勻的方式流動(dòng)。因此，您需要非常確定電源模塊內(nèi)部具有良好的均流。這不僅是由于芯片的特性，還由于封裝的特性。關(guān)于芯片，我們沒有說一些事情，這一點(diǎn)也很重要，要記住，芯片需要變得更智能，從某種意義上說，它需要包括一些功能，當(dāng)然是溫度監(jiān)控，還有電流監(jiān)控。這就是您可以在模型中擁有更多智能的地方。您不僅可以監(jiān)控電壓，我們所說的溫度，這是非常傳統(tǒng)的，還可以監(jiān)控電流，以嘗試了解是否存在危險(xiǎn)的溫差。溫度需要均勻，電流當(dāng)然是一個(gè)很好的表示。如果您控制電流和電壓，您確實(shí)可以在該點(diǎn)測(cè)量功率。我們?cè)诼闫穆肪€圖和實(shí)現(xiàn)中都有這個(gè)，現(xiàn)在這與電源模塊路線圖相結(jié)合。

PIETRO SCALIA：我們之前說過，為了降低價(jià)格、提高性能，我們也在縮減晶片的間距。晶片越來越密集，意味著很多功能都被限制在一個(gè)非常有限的空間中。所以我們知道，SiC當(dāng)然可以抵抗更高的溫度，而且是一個(gè)很好的熱阻。但是我們必須從一個(gè)很小的空間中散熱。所以必須藉由封裝的幫忙。從這方面來說，有幾種不同的技術(shù)。但是，我認(rèn)為當(dāng)今的晶片燒結(jié)是強(qiáng)制性的，讓我談?wù)勈袌?chǎng)上必須擁有的先進(jìn)技術(shù)。這包括頂部和底部。我們有所謂的STM。這是對(duì)於焊接頂部、焊接/燒結(jié)頂部金屬和底部金屬的評(píng)估。所以我們可以在兩個(gè)方向上燒結(jié)晶片，而且我認(rèn)為這是必不可少的。這也讓您能在晶片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)各向同性耗散。

該模型還需要配備材料，絕對(duì)可以在高達(dá) 200 度的結(jié)下工作，因?yàn)橥瑯?，SiC 可以輕松地將其范圍擴(kuò)展到硅以上，傳統(tǒng)上硅僅限于 175。但是轉(zhuǎn)移模式的環(huán)氧樹脂需要出現(xiàn)。夾子也非常具有戰(zhàn)略意義，可以提取熱量。正如我所說，它們可以燒結(jié)。他們可以焊接。機(jī)械結(jié)構(gòu)對(duì)于傳播熱量也非常重要，因?yàn)殡娏?，通常這些是有多個(gè)芯片和功率的應(yīng)用。電流需要以非常均勻的方式流動(dòng)。因此，您需要非常確定電源模塊內(nèi)部具有良好的均流。這不僅是由于芯片的特性，還由于封裝的特性。關(guān)于芯片，我們沒有說一些事情，這一點(diǎn)也很重要，要記住，芯片需要變得更智能，從某種意義上說，它需要包括一些功能，當(dāng)然是溫度監(jiān)控，還有電流監(jiān)控。這就是您可以在模型中擁有更多智能的地方。您不僅可以監(jiān)控電壓，我們所說的溫度，這是非常傳統(tǒng)的，還可以監(jiān)控電流，以嘗試了解是否存在危險(xiǎn)的溫差。溫度需要均勻，電流當(dāng)然是一個(gè)很好的表示。如果您控制電流和電壓，您確實(shí)可以在該點(diǎn)測(cè)量功率。我們?cè)诼闫穆肪€圖和實(shí)現(xiàn)中都有這個(gè)，現(xiàn)在這與電源模塊路線圖相結(jié)合。

該模型還需要材料，絕對(duì)可以在高達(dá)200度的接面運(yùn)行，因?yàn)镾iC可以輕鬆地將其範(fàn)圍擴(kuò)展到傳統(tǒng)上限制在175度的矽之上。但是轉(zhuǎn)移模式的外延層需要一起來進(jìn)行。這些夾子也非常具有策略意義，可以提取熱量。正如我所說的，它們可以被燒結(jié)，可以焊接。機(jī)械對(duì)於傳播熱量也非常重要，因?yàn)殡娏?，通常這些是您擁有多個(gè)晶片和電源的應(yīng)用。電流需要以非常均勻的方式流動(dòng)。所以你需要非常確定電源模組內(nèi)部有良好的電流共享。發(fā)生這種情況不僅是由於晶片的特性，還由於封裝的特性。關(guān)於磊晶，我們並未提及，但同樣重要的是要記住，晶片需要變得更加智慧，因?yàn)樗枰恍┕δ?，?dāng)然還有溫度監(jiān)控和電流監(jiān)控。這就是您可以在模型中擁有更多智慧之處。您不僅可以監(jiān)控我們所說的非常傳統(tǒng)的電壓、溫度，還可以監(jiān)控電流，嘗試了解是否存在危險(xiǎn)的溫差。溫度需要均勻，電流當(dāng)然是一個(gè)很好的代表。如果你控制電流和電壓，真的可以在那個(gè)點(diǎn)測(cè)量功率。這已在我們的藍(lán)圖中並實(shí)施了Bare die，而這與電源模組發(fā)展藍(lán)圖相結(jié)合。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：最后，Pietro，你關(guān)于SiC的下一個(gè)項(xiàng)目是什么？因此，SiC以及GaN可以為創(chuàng)建下一代智能電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)，以解決能源問題，特別是談?wù)撾妱?dòng)汽車。那么等待我們的未來是什么？但特別是，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，您認(rèn)為基于SiC的功率器件應(yīng)該如何發(fā)展以滿足下一個(gè)更嚴(yán)格的行業(yè)要求？

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：總而言之，Pietro，關(guān)於SiC，您的下一項(xiàng)專案是什麼？還有，SiC和GaN都可以為創(chuàng)建下一代智慧電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)，以解決能源問題，尤其是電動(dòng)車。那麼，等待著我們的未來是什麼？特別是，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，您認(rèn)為基於SiC的功率元件應(yīng)該如何發(fā)展才能滿足下一個(gè)更嚴(yán)格的產(chǎn)業(yè)要求？

彼得羅·斯卡利亞：我認(rèn)為我們必須誠實(shí)，對(duì)吧？這十年，仍然是IGBT和硅用于這種高功率應(yīng)用的十年。另一方面，SiC將從2025年開始主導(dǎo)業(yè)務(wù)。現(xiàn)在還談到寬帶隙，包括GaN，我們清楚地看到，在能量和前端高達(dá)60°C的GaN，我們將有一個(gè)非常好的增長(zhǎng)，即使今天遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于SiC。在高壓下，很明顯，帶有電池的應(yīng)用是800 V.SiC將是王者，現(xiàn)在即使在低功率下也在普及，因?yàn)镮GBT并沒有真正付出很大的代價(jià)，相同功率所需的IGBT面積比SiC甚至高于三。有時(shí)有一個(gè)神奇的數(shù)字，采購確實(shí)介意SiC比IGBT貴三倍。所以IGBT沒有支付賬單。因此，在故事的最后，即使在非常低的功率下，SiC的入侵也低于150 kW，而且我們?cè)诓煌男吞?hào)中看到的肯定會(huì)達(dá)到350 kW。因此，我認(rèn)為我們面前是十年中非常令人興奮的下半年。在接下來的幾年里，仍然要與產(chǎn)能作斗爭(zhēng)。每個(gè)人都在大量投資。同樣，安森美半導(dǎo)體基本上正在建立捷克共和國(guó)羅茲諾夫的雙重產(chǎn)能。今年，我們擴(kuò)建了五倍于翰德的設(shè)施，用于生產(chǎn)大部分碳化硅滾球。當(dāng)然，[Epi]在那里投資總是很重要，因?yàn)榻回洉r(shí)間非常重要。因此，未來兩三年我們?cè)谑袌?chǎng)上的產(chǎn)能有限，但我認(rèn)為從2025年開始，SiC將無處不在。我認(rèn)為在我們面前，我們有一個(gè)非常好的十年來發(fā)展這項(xiàng)令人興奮的技術(shù)。

PIETRO SCALIA：我想這必須老實(shí)說，對(duì)嗎？在接下來的十年，對(duì)於這種高功率應(yīng)用來說，仍然是IGBT和矽的十年。另一方面，從2025年開始，SiC將開始主導(dǎo)業(yè)務(wù)?，F(xiàn)在還談到寬能隙，包括GaN，我們清楚地看到，在能源以及高達(dá)60°C的GaN前端，我們將會(huì)看到非常好的成長(zhǎng)，即使今天遠(yuǎn)遠(yuǎn)落後於SiC。在高電壓下，很明顯電池的應(yīng)用是800V。SiC將成為王者，現(xiàn)在即使在低功率下，它也正在普及中，因?yàn)镮GBT並沒有真正付出巨大的代價(jià)，同樣需要IGBT的面積比相同功率的SiC還要高。有時(shí)會(huì)有一個(gè)神奇的數(shù)字，採購上確實(shí)介意SiC比IGBT貴三倍。所以，IGBT並未買單。而發(fā)展到最後，SiC正在侵入150kW以下，即使是在非常低的功率下，它肯定會(huì)達(dá)到350kW，我們?cè)诓煌哪Ｐ椭锌吹搅诉@一點(diǎn)。所以我們面前擺著我認(rèn)為十年中非常激動(dòng)人心的第二部份。未來幾年仍將與產(chǎn)能作鬥爭(zhēng)。每個(gè)人都在大量投資。同樣地，onsemi基本上在捷克共和國(guó)建設(shè)Roznov的雙重產(chǎn)能。今年，我們將Hudson的大部份SiC 晶錠設(shè)施擴(kuò)大了五倍。當(dāng)然，[Epi]在那裡投資總是很重要的，因?yàn)榻回洉r(shí)間非常重要。所以我們?cè)谑袌?chǎng)上未來兩三年的產(chǎn)能是有限的，但是我認(rèn)為從2025年開始，SiC將會(huì)無處不在。而且我認(rèn)為在我們面前，在這項(xiàng)令人興奮的技術(shù)的發(fā)展方面經(jīng)歷了非常美好的十年。

毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：太好了。非常感謝你，彼得羅。非常感謝您在PowerUP的支持。謝謝。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：太棒了。非常感謝，Pietro。非常感謝您對(duì)PowerUP的支持。謝謝你。

彼得羅·斯卡利亞：非常感謝你，毛里齊奧。再次感謝您成為您的客人。

PIETRO SCALIA：非常感謝，Maurizio。再次感謝您的邀請(qǐng)。

毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：謝謝你，彼得羅。因此，即使在非常低的功率下，SiC的入侵功率也低于160 kW，而且我們?cè)诓煌男吞?hào)中看到的功率肯定會(huì)達(dá)到250 kW?？梢钥隙ǖ氖?，正如Pietro所說，200毫米現(xiàn)在正在生產(chǎn)中，安森美半導(dǎo)體將在2025年基本開始生產(chǎn)。他們發(fā)展了不同的世代。它們處于第四代，很有可能保護(hù)結(jié)構(gòu)門，這是可靠性的關(guān)鍵要素之一。置信度提高了很多。正如Pietro所說，我們很少有失敗，在我們面前，我們有一個(gè)非常好的十年來發(fā)展這項(xiàng)令人興奮的技術(shù)。

MAURIZIO DI PAOLO EMILIO：謝謝Pietro。因此，SiC正在湧入160kW以下，即使是在非常低功率，它肯定會(huì)達(dá)到我們?cè)诓煌Ｊ街锌吹降?50kW。當(dāng)然，正如Pietro所說的，200mm如今正在進(jìn)行中，而基本上，onsemi將在2025年開始量產(chǎn)。他們已經(jīng)開發(fā)了不同世代的產(chǎn)品，如今也來到第四代了，對(duì)於可靠性關(guān)鍵要素之一的結(jié)構(gòu)閘可望帶來更大的保護(hù)能力，同時(shí)也提升了信心程度。正如Pietro所說的：「我們很少很少會(huì)失敗」，因此，展現(xiàn)在我們面前的，我們將看到這項(xiàng)令人興奮的技術(shù)成就極其美好的十年發(fā)展。