佳能光刻機！大爆發(fā)！
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芯榜消息：日本佳能（7751）發(fā)布財務(wù)業(yè)績簡報。佳能下一財年用于功率半導體的i-line的預測顯著增加。
芯榜分析全球?qū)β拾雽w的資本投資可能會繼續(xù)。
從安全的角度來看，每個國家都在重復進行資本投資。產(chǎn)能將過剩，但對設(shè)備制造商來說將是順風車。
光刻機最核心的技術(shù)就是光源，光刻機按光源技術(shù)先進次序可分為 紫外光UV，深紫外光DUV、極紫外光EUV三大類。DUV、EUV最為市場緊缺，目前EUV被禁運風險下，DUV也面臨卡脖子風險。
化合物半導體
【芯榜】旗下化合物半導體研究中心，聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）等化合物半導體。
公眾號
當前，全球的光刻機主要可以分為兩類，EUV與DUV。簡單來說，EUV主要用于7nm及更先進的制程，在這個市場中，來自荷蘭的阿斯麥一家獨大。而在14nm以及更成熟的制程中，則主要使用的是DUV設(shè)備，這一市場則由阿斯麥以及來自日本的佳能、尼康三分天下。由于歷史的原因，在光刻機的生產(chǎn)中，阿斯麥采用全球分工，尤其是光刻機的核心零部件光源主要來自美國，因此會受到更多的美國長臂管轄，而日本企業(yè)更多采用垂直一體化的生產(chǎn)模式，相對來說受限較小。政治原因之外，于佳能而言，借助中國市場，實現(xiàn)光刻機產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，則是另一重它的隱秘“芯事”。
日本光刻機，卷土重來？懂行的可能知道，日本的佳能、尼康的光刻機市場份額曾遙遙領(lǐng)先荷蘭ASML，在上次佳能擴產(chǎn)光刻設(shè)備的2000年左右，ASML因為和臺積電的一次觸電式合作，從無名小卒一騎絕塵，反觀佳能、尼康已經(jīng)逐漸走下坡路。2000年初，因為一場光刻機干濕路線之爭，光刻機市場格局被ASML打破。2004年，ASML和臺積電共同研發(fā)出全球首臺浸潤式微影機，憑借優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定的技術(shù)，ASML一舉碾壓走“干法”路線的佳能和尼康，尼康、佳能從此淪為二三線半導體設(shè)備廠商。
佳能目前出售的光刻機涉及i-line到KrF級別，沒有浸入式光刻機，在EUV領(lǐng)域幾乎不可能趕超ASML，正在研究“納米壓印光刻（NIL）”，嘗試以低成本來制造尖端半導體。2021年佳能的i-line、KrF兩類光刻機出貨量達140臺，較2020年出貨增加18臺，增幅15%，其中出貨主力i-line機臺出貨了102臺。佳能預測2022年半導體光刻設(shè)備的銷量比上年增長29％，增至180臺，最近10年內(nèi)激增至4倍。建設(shè)新工廠后，2個基地的總產(chǎn)能將增至約2倍，以此滿足暴增的半導體設(shè)備需求。雖然高端光刻機攻不下，但中低端光刻機還有市場。比如佳能在2021年出貨的新式i線步進式光刻機“FPA-3030i5a”，可以制造硅基以及SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等化合物半導體晶圓。佳能還聯(lián)合鎧俠開發(fā)NIL工藝，號稱可以不使用EUV光刻機將芯片制程提升到5納米水平。所謂NIL技術(shù)，是將三維結(jié)構(gòu)的掩膜壓在晶圓的感光材料上，同時照射光線完成一次性轉(zhuǎn)印，被稱為是最有前景的光刻技術(shù)之一。相比EUV，NIL主要有兩大優(yōu)勢。第一，NIL更省錢。第二，技術(shù)更加獨立自主。第三，可以做5納米。中國半導體面臨美國聯(lián)合圍堵的境況下，日本光刻機能否卷土重來？我們拭目以待。來源：芯榜+
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