博客專欄

EEPW首頁(yè) > 博客 > 新型2D半金屬將存儲(chǔ)速度提升百倍!華人科學(xué)家領(lǐng)銜非硅基全新數(shù)據(jù)儲(chǔ)存方法 | 專訪

新型2D半金屬將存儲(chǔ)速度提升百倍!華人科學(xué)家領(lǐng)銜非硅基全新數(shù)據(jù)儲(chǔ)存方法 | 專訪

發(fā)布人:深科技 時(shí)間:2020-07-08 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章
隨著電腦在人類工作生活中所占比重越來(lái)越大,想必大家都面臨過(guò)文件太多需要額外儲(chǔ)存空間,或者利用 U 盤轉(zhuǎn)移文檔等情況。而硬盤,一定是人們最為熟悉的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)載體。
硬盤分為機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤兩種,機(jī)械硬盤由于其信息載體是磁性物質(zhì),又被人們叫做磁盤。它在工作中,內(nèi)部有馬達(dá)驅(qū)動(dòng)磁盤片轉(zhuǎn)動(dòng),然后通過(guò)機(jī)械手臂控制磁頭在盤片上進(jìn)行讀寫(xiě)。在盤片上有序地排列了許多小顆粒的磁性材料,它們可以被永久磁化并改變磁極,而兩個(gè)磁極就分別表示了計(jì)算機(jī)二進(jìn)制中的 0 和 1;這樣就可以記錄數(shù)據(jù)了。
固態(tài)硬盤則沒(méi)有復(fù)雜的機(jī)械機(jī)構(gòu),主要以 Flash 芯片作為儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的介質(zhì),F(xiàn)lash 芯片上包含許多儲(chǔ)存單元,這些儲(chǔ)存單元依靠是否存放電子來(lái)表示 0 和 1:當(dāng)一個(gè)單元位置中沒(méi)有存放電子,它就是 0;如果存放了電子,它就是 1。
而現(xiàn)在,由斯坦福大學(xué)研究人員領(lǐng)導(dǎo)的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)發(fā)明了一種全新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法,他們讓僅有 3 個(gè)原子層厚的二碲化鎢(WTe2)金屬層相互滑動(dòng),使得奇數(shù)層與偶數(shù)層發(fā)生穩(wěn)定的偏移,并利用其奇偶層的排列代表 0 和 1 來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。相比于現(xiàn)有的非易失性(NVW)存儲(chǔ)器,這種方法提供了一種可行的機(jī)制與新的材料平臺(tái),來(lái)實(shí)現(xiàn)更小空間且更少能耗卻存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù),并且能百倍提高存儲(chǔ)速度,這對(duì)于實(shí)現(xiàn)新興的內(nèi)存計(jì)算和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算極為有利。
這項(xiàng)研究集合了多個(gè)學(xué)校組織的合作,包括斯坦福大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院的副教授 Aaron Lindenberg 組,香港大學(xué)校長(zhǎng)、加州大學(xué)伯克利分校張翔教授組,得克薩斯州 A&M 大學(xué)材料學(xué)助理教授錢曉峰組和斯坦福材料與能源科學(xué)研究所(SIMES)所長(zhǎng) Thomas Devereaux 教授組。該論文的第一作者肖俊,現(xiàn)為 Lindenberg 實(shí)驗(yàn)室的博士后研究員,博士畢業(yè)于張翔教授組。
該研究結(jié)果對(duì)非易失性存儲(chǔ)類型來(lái)說(shuō),是一次革新的概念,可帶來(lái)重大升級(jí),證實(shí)不基于傳統(tǒng)硅材料的二維半金屬也可進(jìn)行存儲(chǔ)和讀取,該項(xiàng)成果發(fā)表在了近期的《自然·物理學(xué)》雜志上。DeepTech 與肖俊就該研究進(jìn)行了交流。



神奇的光控拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)材料


這項(xiàng)有望導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲(chǔ)革命的研究,受到了 Lindenberg 實(shí)驗(yàn)室在2019年相關(guān)研究的啟發(fā)。當(dāng)時(shí),這項(xiàng)名為“用光在拓?fù)洳牧现锌刂破洳牧咸匦缘拈_(kāi)關(guān)” (An ultrafast symmetry switch in a Weyl semimetal)的研究發(fā)表在《自然》雜志上。
此前,研究人員發(fā)現(xiàn)一些特殊材料的某種奇怪特性可以讓電子從材料的一個(gè)表面移動(dòng)到另一個(gè)表面,就好像兩者之間沒(méi)有任何阻擋一樣。隨后,他們證明了通過(guò)光脈沖能切換材料的穩(wěn)定拓?fù)錉顟B(tài),來(lái)開(kāi)啟和關(guān)閉這種特性。因此,這提供了一種新的操縱材料的方法,而這種材料則可用于未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)和無(wú)損耗傳輸電流的設(shè)備。
在數(shù)學(xué)中,拓?fù)鋵W(xué)描述的是一個(gè)幾何對(duì)象如何在不失去某些屬性的情況下轉(zhuǎn)換成各種形狀。而在材料中,拓?fù)涞母拍罡鼮槌橄螅愃频貙?dǎo)致了非凡的魯棒性:在外部擾動(dòng)下,處于拓?fù)錉顟B(tài)的材料可以保持其奇異的特性,如極低損耗的導(dǎo)電能力。而對(duì)拓?fù)洳牧系难芯恳搏@得了 2016 年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
Lindenberg 實(shí)驗(yàn)室一直致力于尋找利用光和張力來(lái)操縱拓?fù)洳牧系姆椒ǎ?chuàng)造出可能對(duì)未來(lái)應(yīng)用有用的新材料狀態(tài)。他們的研究重點(diǎn)是拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)材料——二碲化鎢,它是由二維層堆疊而成的。科學(xué)家們?cè)缫烟岢?,?dāng)材料處于拓?fù)錉顟B(tài)時(shí),原子在這些層中的特殊排列可以產(chǎn)生所謂的“外爾節(jié)點(diǎn)”(Weyl nodes),這種節(jié)點(diǎn)會(huì)表現(xiàn)出獨(dú)特的電子特性,比如零電阻導(dǎo)電。這些點(diǎn)被認(rèn)為有蟲(chóng)洞一般的特征,它們?cè)诓牧系南鄬?duì)表面之間隧穿電子。
在之前的實(shí)驗(yàn)中,研究人員發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)太赫茲輻射脈沖來(lái)調(diào)整材料的性能。太赫茲輻射是一種不可見(jiàn)的光,其波長(zhǎng)介于紅外和微波輻射之間。他們發(fā)現(xiàn)用這束光,就能在材料的拓?fù)錉顟B(tài)和非拓?fù)錉顟B(tài)之間進(jìn)行快速切換,有效地將零電阻狀態(tài)關(guān)閉,然后再打開(kāi)。不過(guò)因?yàn)槌旒す馐鸬姆瞧胶鈶B(tài)偏移非常有限而且不能穩(wěn)定存在,同時(shí)也是在接近一百層原子層的較厚晶體內(nèi)實(shí)現(xiàn)。如何克服這些難點(diǎn)去實(shí)現(xiàn)超薄節(jié)能的量子器件存儲(chǔ)和讀取,就是如今這項(xiàng)研究的出發(fā)點(diǎn)。

為開(kāi)發(fā)新一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)材料奠定基礎(chǔ)


在此基礎(chǔ)上,研究人員將 3 個(gè)原子層厚的二碲化鎢金屬層堆疊起來(lái),就好像一副納米級(jí)別的****牌。通過(guò)向堆棧中注入少量的載流子或施加縱向電場(chǎng),他們讓每一個(gè)奇數(shù)層相對(duì)于它上下面的偶數(shù)層都發(fā)生了橫向滑移。通過(guò)相應(yīng)光學(xué)和電學(xué)表征,他們觀察到這種較大滑移是永久性的,直到另一股電激勵(lì)使奇數(shù)層和偶數(shù)層再次重新排列。
“這些層的排列就成為了一種編碼信息的方法,我們創(chuàng)建了開(kāi)關(guān),讓其像 0 和 1 一樣來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)?!?Lindenberg 說(shuō)道。
論文第一作者肖俊說(shuō):“來(lái)回移動(dòng)這些金屬層所需要的能量十分少,如用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存,這意味著向新設(shè)備中寫(xiě)入一個(gè) 0 或 1 所消耗的能量,要比現(xiàn)在的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)所需的能量少得多?!彼硎?,根據(jù) 2019 年在《自然》雜志發(fā)表的研究結(jié)果,原子層滑動(dòng)的頻率是可以達(dá)到太赫茲波段的,類比到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)上的速度將比目前的技術(shù)快 100 倍以上。
隨后,為了讀取存儲(chǔ)在這些移動(dòng)原子層之間的數(shù)據(jù)信息,研究人員利用了在該半金屬材料里異常巨大的“貝利曲率”(Berry curvature),這種量子特性就像磁場(chǎng)一樣,可以引起材料中的電子定向偏移,再結(jié)合非線性霍爾輸運(yùn)效應(yīng),從而在不干擾堆疊的情況下讀取原子層的排列。



這項(xiàng)實(shí)驗(yàn)研究特別在貝利曲率和堆疊之間關(guān)系的研究上,得到了論文合作者錢曉峰和他實(shí)驗(yàn)室的博士生王華的理論計(jì)算支持。在研究人員觀察到與理論計(jì)算相符的實(shí)驗(yàn)結(jié)果之后,他們進(jìn)行了進(jìn)一步的計(jì)算,從而使他們相信,對(duì)其設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)將極大地提高這種新方法的存儲(chǔ)容量。
而這將為向新的、更遠(yuǎn)的方向鋪平道路,將會(huì)讓超薄二維材料成為功能更強(qiáng)大的非易失性存儲(chǔ)器材料。
肖俊表示,半金屬二碲化鎢具有異常巨大的“貝利曲率”,而且不同堆疊方式帶來(lái)的“貝利曲率”差異性極強(qiáng),利用這一量子特性可以很好地區(qū)分不同堆疊及金屬極化態(tài)。這一發(fā)現(xiàn)解決了長(zhǎng)期以來(lái),由于鐵電金屬的實(shí)空間弱極性,帶來(lái)的讀取區(qū)分不同極化態(tài)的障礙。進(jìn)而使得鐵電金屬不僅是在基礎(chǔ)物理的探索上很有趣,還證明了這類材料可能具有與主流半導(dǎo)體和鐵電絕緣體相當(dāng)?shù)膽?yīng)用前景。
目前研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)為這項(xiàng)技術(shù)申請(qǐng)了專利,同時(shí)這一概念驗(yàn)證的成功,促使他們將進(jìn)一步完善內(nèi)存原型和設(shè)計(jì)去優(yōu)化存儲(chǔ)指標(biāo)。他們還計(jì)劃尋找其他二維材料包括一些半金屬和窄能帶體系,這些材料作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的綜合性能可能比二化鎢還要好。
Aaron Lindenberg 補(bǔ)充道:“這里科學(xué)的底線是,對(duì)這些超薄層進(jìn)行非常細(xì)微的調(diào)整,就會(huì)對(duì)其功能特性產(chǎn)生很大影響。我們可以利用這些知識(shí)來(lái)設(shè)計(jì)新的節(jié)能設(shè)備,朝著可持續(xù)和智能的未來(lái)發(fā)展?!?/span>


*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。



關(guān)鍵詞:

相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉