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非晶硅
非晶硅 文章 進(jìn)入非晶硅技術(shù)社區(qū)
太陽(yáng)模擬器測(cè)試非晶硅薄膜的注意事項(xiàng)
- 太陽(yáng)電池,也稱(chēng)為光伏電池,是將太陽(yáng)光輻射能直接轉(zhuǎn)換為電能的器件,而測(cè)量太陽(yáng)能電池的效率是通過(guò)用輻射強(qiáng)度...
- 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)模擬器 非晶硅薄膜 非晶硅 光譜響應(yīng)
臺(tái)設(shè)備廠(chǎng)切入薄膜太陽(yáng)能 非晶硅與CIGS為主流
- 臺(tái)系設(shè)備廠(chǎng)切入薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域,目前主要以非晶硅及銅銦鎵硒(CIGS)領(lǐng)域?yàn)橹?,臺(tái)系設(shè)備業(yè)者指出,由于開(kāi)發(fā)薄膜太陽(yáng)能設(shè)備成功關(guān)鍵在于制程設(shè)備,其與半導(dǎo)體制程類(lèi)似,為臺(tái)系業(yè)者欠缺之技術(shù),開(kāi)發(fā)難度遠(yuǎn)較先期預(yù)期來(lái)的高,恐怕未來(lái)能在薄膜設(shè)備領(lǐng)域成功者僅少數(shù)。 臺(tái)系設(shè)備業(yè)者指出,目前切入薄膜太陽(yáng)能設(shè)備者主流為非晶硅與CIGS兩大領(lǐng)域,多數(shù)大廠(chǎng)皆朝向開(kāi)發(fā)Turnkey Solution,不過(guò)其中關(guān)鍵制程設(shè)備,就臺(tái)廠(chǎng)能力來(lái)說(shuō),還難以追上國(guó)際腳步。目前臺(tái)灣投入薄膜設(shè)備開(kāi)發(fā)的包括均豪、盟立、志圣、廣運(yùn)、富臨、帆宣、
- 關(guān)鍵字: 薄膜太陽(yáng)能 面板 非晶硅 CIGS
非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池前景
- 在整個(gè)太陽(yáng)能電池家族中,非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池因?yàn)槠浼夹g(shù)和應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì),正在獲得爆發(fā)性增長(zhǎng)。2007年行業(yè)增速約120%,預(yù)計(jì)未來(lái)3年內(nèi)年均增速高達(dá)100%。 業(yè)內(nèi)之前曾對(duì)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池持有疑慮,主要原因在于其電池轉(zhuǎn)化效率較低(5%-9%),而且衰減特別快,使用壽命只有有限的2-3年。而隨著技術(shù)的進(jìn)步,目前主流的非晶硅薄膜電池使用壽命已在10年以上。這使得非晶硅薄膜電池成為目前最被看好的薄膜電池技術(shù)之一,從經(jīng)濟(jì)和技術(shù)方面綜合來(lái)看,非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池有以下優(yōu)勢(shì): 生產(chǎn)成本
- 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)能 非晶硅 玻璃基板 OEM
薄膜太陽(yáng)能今年新進(jìn)業(yè)者估不逾5家
- 即使多晶硅仍在缺乏之際,但2008年投入非晶硅薄膜太陽(yáng)能就不如2007年般來(lái)得熱烈,預(yù)估2008年新進(jìn)者恐不超出5家,主要原因即是薄膜太陽(yáng)能除進(jìn)入的門(mén)票貴以外,后續(xù)的挑戰(zhàn)也不低,再加上多晶硅料源似乎開(kāi)出在即,所以,進(jìn)入者反而可能是較為重量級(jí)的集團(tuán)加入,其它有意加入者則進(jìn)入冷靜思考期。 包括聯(lián)電集團(tuán)旗下的聯(lián)相、中環(huán)集團(tuán)的富陽(yáng)、旭能、宇通、奇美電、綠能、大億光等陸續(xù)2006~2007年正式投入,目前包括聯(lián)相、富陽(yáng)、大億光能等陸續(xù)踏入量產(chǎn),綠能計(jì)劃第4季度量產(chǎn),而奇美則將采用日本真空(Ulvac)設(shè)備
- 關(guān)鍵字: 多晶硅 薄膜太陽(yáng)能 非晶硅
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非晶硅介紹
amorphous silicon α-Si
又稱(chēng)無(wú)定形硅。單質(zhì)硅的一種形態(tài)。棕黑色或灰黑色的微晶體。硅不具有完整的金剛石晶胞,純度不高。熔點(diǎn)、密度和硬度也明顯低于晶體硅?;瘜W(xué)性質(zhì)比晶體硅活潑。可由活潑金屬(如鈉、鉀等)在加熱下還原四鹵化硅,或用碳等還原劑還原二氧化硅制得。結(jié)構(gòu)特征為短程有序而長(zhǎng)程無(wú)序的α-硅。純?chǔ)?硅因缺陷密度高而無(wú)法使用。采用輝光放電氣相沉積法就得含氫的非晶硅薄膜, [ 查看詳細(xì) ]
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