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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 非晶硅

加拿大對(duì)中國(guó)光伏提起“雙反”調(diào)查

  • 中國(guó)企業(yè)實(shí)行的“薄利多銷(xiāo)”,國(guó)外可不買(mǎi)帳:除了美國(guó)和歐洲,加拿大也開(kāi)始對(duì)來(lái)自中國(guó)的光伏產(chǎn)品進(jìn)行“反補(bǔ)貼、反傾銷(xiāo)”調(diào)查,很可能致使其他國(guó)家效仿,對(duì)中國(guó)進(jìn)行較大的限制措施。
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太陽(yáng)模擬器測(cè)試非晶硅薄膜的注意事項(xiàng)

非晶硅反熔絲FPGA提升系統(tǒng)可靠性

  •  現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)技術(shù)因其提供的設(shè)計(jì)靈活性,已為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員廣泛采用。非晶硅反熔絲FPGA技術(shù)尤其有用,它可以提供一種高電路密度與低功耗,以及非易失性編程和高可靠性的組合。為了充分發(fā)揮其可靠性,FPGA廠(chǎng)
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臺(tái)設(shè)備廠(chǎng)切入薄膜太陽(yáng)能 非晶硅與CIGS為主流

  •   臺(tái)系設(shè)備廠(chǎng)切入薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域,目前主要以非晶硅及銅銦鎵硒(CIGS)領(lǐng)域?yàn)橹?,臺(tái)系設(shè)備業(yè)者指出,由于開(kāi)發(fā)薄膜太陽(yáng)能設(shè)備成功關(guān)鍵在于制程設(shè)備,其與半導(dǎo)體制程類(lèi)似,為臺(tái)系業(yè)者欠缺之技術(shù),開(kāi)發(fā)難度遠(yuǎn)較先期預(yù)期來(lái)的高,恐怕未來(lái)能在薄膜設(shè)備領(lǐng)域成功者僅少數(shù)。   臺(tái)系設(shè)備業(yè)者指出,目前切入薄膜太陽(yáng)能設(shè)備者主流為非晶硅與CIGS兩大領(lǐng)域,多數(shù)大廠(chǎng)皆朝向開(kāi)發(fā)Turnkey Solution,不過(guò)其中關(guān)鍵制程設(shè)備,就臺(tái)廠(chǎng)能力來(lái)說(shuō),還難以追上國(guó)際腳步。目前臺(tái)灣投入薄膜設(shè)備開(kāi)發(fā)的包括均豪、盟立、志圣、廣運(yùn)、富臨、帆宣、
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非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池前景

  •   在整個(gè)太陽(yáng)能電池家族中,非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池因?yàn)槠浼夹g(shù)和應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì),正在獲得爆發(fā)性增長(zhǎng)。2007年行業(yè)增速約120%,預(yù)計(jì)未來(lái)3年內(nèi)年均增速高達(dá)100%。   業(yè)內(nèi)之前曾對(duì)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池持有疑慮,主要原因在于其電池轉(zhuǎn)化效率較低(5%-9%),而且衰減特別快,使用壽命只有有限的2-3年。而隨著技術(shù)的進(jìn)步,目前主流的非晶硅薄膜電池使用壽命已在10年以上。這使得非晶硅薄膜電池成為目前最被看好的薄膜電池技術(shù)之一,從經(jīng)濟(jì)和技術(shù)方面綜合來(lái)看,非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池有以下優(yōu)勢(shì):   生產(chǎn)成本
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薄膜太陽(yáng)能今年新進(jìn)業(yè)者估不逾5家

  •   即使多晶硅仍在缺乏之際,但2008年投入非晶硅薄膜太陽(yáng)能就不如2007年般來(lái)得熱烈,預(yù)估2008年新進(jìn)者恐不超出5家,主要原因即是薄膜太陽(yáng)能除進(jìn)入的門(mén)票貴以外,后續(xù)的挑戰(zhàn)也不低,再加上多晶硅料源似乎開(kāi)出在即,所以,進(jìn)入者反而可能是較為重量級(jí)的集團(tuán)加入,其它有意加入者則進(jìn)入冷靜思考期。   包括聯(lián)電集團(tuán)旗下的聯(lián)相、中環(huán)集團(tuán)的富陽(yáng)、旭能、宇通、奇美電、綠能、大億光等陸續(xù)2006~2007年正式投入,目前包括聯(lián)相、富陽(yáng)、大億光能等陸續(xù)踏入量產(chǎn),綠能計(jì)劃第4季度量產(chǎn),而奇美則將采用日本真空(Ulvac)設(shè)備
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非晶硅介紹

  amorphous silicon α-Si   又稱(chēng)無(wú)定形硅。單質(zhì)硅的一種形態(tài)。棕黑色或灰黑色的微晶體。硅不具有完整的金剛石晶胞,純度不高。熔點(diǎn)、密度和硬度也明顯低于晶體硅?;瘜W(xué)性質(zhì)比晶體硅活潑。可由活潑金屬(如鈉、鉀等)在加熱下還原四鹵化硅,或用碳等還原劑還原二氧化硅制得。結(jié)構(gòu)特征為短程有序而長(zhǎng)程無(wú)序的α-硅。純?chǔ)?硅因缺陷密度高而無(wú)法使用。采用輝光放電氣相沉積法就得含氫的非晶硅薄膜, [ 查看詳細(xì) ]

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