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為中國(guó)芯片"穿針引線" 博威合金引領(lǐng)芯片材料產(chǎn)業(yè)升級(jí)

  • 近日，第19屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)于江蘇如期舉行，受疫情影響，此次會(huì)議以線下+線上的形式進(jìn)行，博威合金（上證所股票代碼：601137）受邀參與。在專題研討會(huì)上，博威板帶技術(shù)市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理張敏帶來(lái)了《高品質(zhì)半導(dǎo)體引線框架銅合金》的主題演講，并與現(xiàn)場(chǎng)的半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＜?、?quán)威人士共同探討了后摩爾時(shí)代先進(jìn)封裝材料和工藝技術(shù)的發(fā)展方向。半導(dǎo)體芯片材料；博威合金解決引線框架技術(shù)難題  為"中國(guó)芯"制造"穿針引線"在演講中，張敏梳理了引線框架材料的發(fā)展趨勢(shì)，他
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新內(nèi)存芯片材料實(shí)現(xiàn)速度高于閃存千倍

  • 　　北京時(shí)間12月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì)近日表示，已開發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料；與當(dāng)前常用的閃存相比，相變內(nèi)存運(yùn)行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。  　　據(jù)悉該新型材料為復(fù)合半導(dǎo)體合金。IBM納米科學(xué)部門資深經(jīng)理斯派克
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芯片材料介紹

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