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通過工藝建模進(jìn)行后段制程金屬方案分析

  • ●? ?由于阻擋層相對(duì)尺寸及電阻率增加問題,半導(dǎo)體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線材料?!? ?在較小尺寸中,釕的性能優(yōu)于銅和鈷,因此是較有潛力的替代材料。隨著互連尺寸縮減,阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此,半導(dǎo)體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。相比金屬線寬度,阻擋層尺寸較難縮減(如圖1)。氮化鉭等常見的阻擋層材料電阻率較高,且側(cè)壁電子散射較多。因此,相關(guān)阻擋層尺寸的增加會(huì)導(dǎo)致更為顯著的電阻電容延遲,并可能影響電路性能、并增加功耗。圖1
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后段制程介紹

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