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Vishay發(fā)布新款850nm紅外發(fā)射器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝,占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驅(qū)動電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功率,同時具有低熱阻系數(shù)。
- 關(guān)鍵字: Vishay 發(fā)射器 VSMY7852X01 VSMY7850X01
Vishay推出新款4線總線端口保護(hù)陣列
- 除了能節(jié)省電路板空間,4線VBUS54ED-FBL采用了“滲流”設(shè)計,這種設(shè)計支持筆記本電腦、手機(jī)、MP3播放器和便攜式游戲機(jī)等移動式電子產(chǎn)品中USB 3.0、HDMI、DisplayPort、eSATA和1394/Firewire等應(yīng)用中高速數(shù)據(jù)線對浪涌電阻的要求。
- 關(guān)鍵字: Vishay ESD VBUS54ED-FBL
Vishay業(yè)界首款CAT IV高壓隔離光耦
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產(chǎn)品通過了國際安全監(jiān)管機(jī)構(gòu)VDE的認(rèn)證,具有長爬電距離和高隔離測試電壓,可保護(hù)在類似太陽能發(fā)電和風(fēng)電機(jī)組的電網(wǎng)連接等高壓環(huán)境中的工人和設(shè)備?,F(xiàn)在,希望在產(chǎn)品中全面使用表面貼裝元器件以實(shí)現(xiàn)靈活生產(chǎn)的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST,這兩款器件填補(bǔ)了現(xiàn)有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上
- 關(guān)鍵字: Vishay 太陽能 CAT IV
Vishay Siliconix推出CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn),可用于高速、高精度開關(guān)應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù),具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。 ? 與前一代S系列器件相比,新的
- 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix MOSFET
vishay介紹
威世(VISHAY)集團(tuán)成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個制造基地遍布全球17個國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]
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