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Vishay推出新款4線雙向?qū)ΨQESD保護陣列

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向?qū)ΨQ(BiSy)ESD保護陣列，可保護PC和便攜式消費電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數(shù)據(jù)端口應(yīng)用。 　　新的保護陣列在0V時具有16pF的低容值，在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝，在生產(chǎn)過程中很容易進行處理，0.7mm的超薄厚度可節(jié)省電路板空間。 　　VCUT05A4-05S-G-08能夠?qū)?條數(shù)據(jù)線提供瞬態(tài)保護，保護等級達到pe
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Vishay推出超高容值液鉭電容器 DSCC 10011

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高達72,000µF的容值，采用A、B和C外形編碼。對于高可靠性應(yīng)用，10011器件采用玻璃至金屬的密封結(jié)構(gòu)，可以在-55℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，1kHz時的最大ESR低至0.035?。 　　10011器件的特殊陰極系統(tǒng)具有單位體積的最高容
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Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進性

  • Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級應(yīng)用

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級應(yīng)用制定的“T”-level要求。 　　為達到T級的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16進行了額外測試，對原材料和產(chǎn)品批次定義進行嚴(yán)格控制，并達到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下進行了100%的C浪涌試驗。此外，電容器進行了完備的視覺和
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。 　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay推出其最小的IHLP器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP®小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達1.0MHz。 　　IHLP-1212BZ-11具有0.22µH~1.5µH的感值范圍，飽和電流范
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Vishay推出適用在極端惡劣環(huán)境下的薄膜貼片電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。 　　新的Vishay Sfernice RMKHT打線式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，最高儲存溫度可達+230℃，是業(yè)界首款達到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經(jīng)過1000小時后的負(fù)載壽命穩(wěn)定率依然可達0.5%，并同時保持嚴(yán)格的TCR和容差。 　　新款分立電阻的
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Vishay推出新的外形尺的寸電阻器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。 　　越來越多的電子設(shè)計要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應(yīng)，因為這些效應(yīng)會影響到器件的穩(wěn)定性和性能。Vishay的MC AT專業(yè)和精密電阻能夠在這些應(yīng)用當(dāng)中提供穩(wěn)定的性能。 　　今天發(fā)布的新款專業(yè)系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過了DSCC Drawing 10004認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對于高可靠性應(yīng)用，擴展的SuperTan® 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。 　　10004
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電
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Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件

  • 　　日前，Vishay宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP®電感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高頻率、高達92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。 　　新款I(lǐng)HLP-6767DZ-01的頻率范圍達2MHz，是終端產(chǎn)品中電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)和DC-DC應(yīng)用的高效能、節(jié)省空間和低功耗的解決方案，這些應(yīng)用領(lǐng)域包括下一代移動設(shè)備、桌面電腦、服務(wù)器、圖形卡和汽車電子系統(tǒng)，低外形、
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Vishay發(fā)布新款集成功率光敏

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴充了其光電產(chǎn)品組合。這些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和電源TRIAC兩個器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC，這些器件可節(jié)省電路板空間和降低成本。這些光耦產(chǎn)品采用8引腳的DIP封裝，可保護人體免受電擊，在家電和很多其他系統(tǒng)中，可對低壓控制電路與高壓電源進行光電隔離，避免出現(xiàn)過流情況。 　　VO2223和VO2223A的
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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。 　　2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對于+28V應(yīng)
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Vishay推出保護USB-OTG端口的新款ESD保護陣列

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護陣列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內(nèi)可提供3路USB ESD保護，在12V工作電壓范圍內(nèi)提供1路VBUS保護。 　　VBUS053BZ-HNH-G-08采用無鉛的LLP1713-9M,封裝，具有0.6mm的超低外形，可在高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中減少有源ESD保護所需的電路板
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

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