- 2013 年 12 月6 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，為其PRA系列高精度薄膜表面貼裝卷包片式電阻陣列增添073--- PRA073和074--- PRA074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8個不同歐姆值的電阻，是業(yè)內尺寸最小的此類器件，具有0.01%的嚴格公差比和1ppm/℃的TCR Tracking。
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Vishay PRA 電阻
- 2013 年 12 月3 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列高精度薄膜MELF電阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是針對對高可靠性和穩(wěn)定性有嚴格要求的應用而設計的，是業(yè)內首款在標準0207外形尺寸內實現±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF電阻。
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Vishay UMB MELF電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導通電阻
- 2013 年 11 月26 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用低外形SMF封裝的新系列表面貼裝ESD保護二極管---SMFxxA系列器件。該系列器件可用于便攜式電子產品，在10/1000μs條件下可承受200W的高浪涌。
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Vishay SMF ESD
- 2013 年 11 月25 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0603和0805外形精巧的新器件，功率等級分別達到0.375W和0.675W，擴展其PHP系列精密高功率薄膜片式電阻。Vishay Dale薄膜器件兼具高功率和達到±25ppm/℃絕對低值的TCR，容差低至±0.1%，可在-55℃～+125℃溫度范圍內工作。
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Vishay 薄膜片式電阻
- 日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低歐姆值的產品，擴充其MC系列專業(yè)和精密薄膜片式電阻。這些改進后的器件可為各種各樣的電子系統提供穩(wěn)定的性能。
現在，0402外形尺寸的專業(yè)和精密系列產品可以分別提供低至10Ω到100Ω的阻值，所有產品都具有良好的TCR和容差。采用0603外形尺寸的專業(yè)和精密系列電阻可以提供低至1Ω的更低阻值，TCR為±50ppm
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Vishay 薄膜片式電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低歐姆值的產品，擴充其MC系列專業(yè)和精密薄膜片式電阻。這些改進后的器件可為各種各樣的電子系統提供穩(wěn)定的性能。
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Vishay TCR 電阻
- 2013 年 11 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的光電子事業(yè)部推出專用演示套件，可演示使用一個數字式接近傳感器和兩個分立的紅外發(fā)射器，為任意設備增加非接觸式向右劃、向左劃、探測距離和進行點擊操作的簡化方法。演示套件現可訂貨。
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Vishay 傳感器 發(fā)射器
- 2013 年 11 月7 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光二極管---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面發(fā)射器和多量子井(MQW)技術，具有高發(fā)光強度和光功率，以及快速的開關時間。
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Vishay 二極管 發(fā)射器
- 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?
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Vishay CMOS 導通電阻
- 2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將與中國電源學會合作于10月16日舉辦電源專題研討會，該研討會內容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管，同期還將有多位業(yè)內專家出席并做宣講。研討會將在中國武漢的長江大酒店召開。
- 關鍵字：
Vishay MOSFET
- 2013 年 10 月18 日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出在滿功率情況下工作溫度達+155℃，在+250℃下線性降額至0W功率的新款精密車用薄膜片式電阻---PATT。該電阻通過AEC-Q200認證，工作溫度范圍比傳統薄膜片式電阻擴大了近100℃，絕對TCR低至±25ppm/℃，經過激光微調后的容差只有±0.1%。
- 關鍵字：
Vishay 電阻 PATT 薄膜片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用鐵粉的、符合WPC(無線充電聯盟)標準的新款無線充電接收線圈---IWAS-4832EC-50，可適用于有對準磁鐵或者沒有對準磁鐵的設計使用條件。該款無線充電接收線圈具有耐用的結構和高磁導率屏蔽，給7V電壓的便攜式電子產品充電時的效率超過75%。
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Vishay 接收線圈 IWAS-4832EC-50
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，強化其采用標準0402～1206外形尺寸的MC AT專業(yè)和精密系列車用薄膜片式電阻。Vishay Beyschlag器件是為了在汽車和工業(yè)應用等惡劣環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能而設計，具有低至±10ppm/K的TCR和1Ω～1MΩ的阻值。
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Vishay 電阻 MC AT
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于安全認證應用的新系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ Safety。該系列器件采用C0G(NP0)和X7R電介質，每款器件提供X1/Y2和X2安全分級，電壓達到250VAC。
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Vishay 電容器
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