- 2013 年 12 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay Si8851EDB 導通電阻
- 2013 年 12 月23 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出可編程開關頻率高達4MHz的新款5A器件---SiP12108,擴大其microBUCK?集成式同步降壓穩(wěn)壓器系列。
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Vishay 穩(wěn)壓器 SiP12108
- 日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,對用于消費類產品中紅外遙控應用的TSOP36...系列小型表面貼裝紅外接收器的性能進行了升級。TSOP36…系列的最小發(fā)光強度達到0.12mW/m2,靈敏度比前一代器件高20%,可在有紅外3D電視信號和其他噪聲的情況下使用,并提高了對這些信號和噪聲的濾光功能。
今天發(fā)布的這些器件采用新一代集成電路,提供了5個針對短編碼和長突發(fā)編碼的自動增益控制(AGC)版本。TSOP361..和TSOP
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Vishay 紅外接收器
- 2013 年 12 月19 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機控制和電源而設計的,具有長使用壽命和高紋波電流,在100Hz下的紋波電流達2.80A,工作溫度為+105℃,最大ESR低至150mΩ。
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Vishay 電容器 159 PUL-SI
- 2013 年 12 月18 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的光電子事業(yè)部推出采用PLCC-2封裝的最新產品---VLM.334…,該系列LED能夠處理更高的驅動電流,從而提高發(fā)光強度。
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Vishay LED
- 2013 年 12 月17 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列不銹鋼制動/撬棒電阻---ULDCR電阻,電阻可承受3.46MJ的脈沖能量和12kA的脈沖電流,適用于新能源和其他重載應用。Vishay還可以根據定制指標提供更高脈沖負載能力的版本。
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Vishay ULDCR 電阻
- 2013 年 12 月13 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,對用于消費類產品中紅外遙控應用的TSOP36...系列小型表面貼裝紅外接收器的性能進行了升級。TSOP36…系列的最小發(fā)光強度達到0.12 mW/m2,靈敏度比前一代器件高20%,可在有紅外3D電視信號和其他噪聲的情況下使用,并提高了對這些信號和噪聲的濾光功能。
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Vishay 紅外接收器
- 2013 年 12 月12 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
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Vishay MOSFET
- 2013 年 12 月6 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為其PRA系列高精度薄膜表面貼裝卷包片式電阻陣列增添073--- PRA073和074--- PRA074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8個不同歐姆值的電阻,是業(yè)內尺寸最小的此類器件,具有0.01%的嚴格公差比和1ppm/℃的TCR Tracking。
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Vishay PRA 電阻
- 2013 年 12 月3 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列高精度薄膜MELF電阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是針對對高可靠性和穩(wěn)定性有嚴格要求的應用而設計的,是業(yè)內首款在標準0207外形尺寸內實現±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF電阻。
- 關鍵字:
Vishay UMB MELF電阻
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導通電阻
- 2013 年 11 月26 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用低外形SMF封裝的新系列表面貼裝ESD保護二極管---SMFxxA系列器件。該系列器件可用于便攜式電子產品,在10/1000μs條件下可承受200W的高浪涌。
- 關鍵字:
Vishay SMF ESD
- 2013 年 11 月25 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用0603和0805外形精巧的新器件,功率等級分別達到0.375W和0.675W,擴展其PHP系列精密高功率薄膜片式電阻。Vishay Dale薄膜器件兼具高功率和達到±25ppm/℃絕對低值的TCR,容差低至±0.1%,可在-55℃~+125℃溫度范圍內工作。
- 關鍵字:
Vishay 薄膜片式電阻
- 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低歐姆值的產品,擴充其MC系列專業(yè)和精密薄膜片式電阻。這些改進后的器件可為各種各樣的電子系統提供穩(wěn)定的性能。
現在,0402外形尺寸的專業(yè)和精密系列產品可以分別提供低至10Ω到100Ω的阻值,所有產品都具有良好的TCR和容差。采用0603外形尺寸的專業(yè)和精密系列電阻可以提供低至1Ω的更低阻值,TCR為±50ppm
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Vishay 薄膜片式電阻
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低歐姆值的產品,擴充其MC系列專業(yè)和精密薄膜片式電阻。這些改進后的器件可為各種各樣的電子系統提供穩(wěn)定的性能。
- 關鍵字:
Vishay TCR 電阻
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