- 全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領導者賽普拉斯半導體公司今日宣布推出面向高安全應用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應用的設計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動代碼，并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機頂盒、POS機、可穿戴設備和其他高安全應用提供帶有集成式分區(qū)保護特性的單一非易失性內存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。
賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
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賽普拉斯 NAND
- 《巴倫周刊》(Barron’s)報導指出，半導體廠商美光(Micron)盡管今年以來遭遇股價蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問世 的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機應用程式市場和大數據分析領域，料將大幅提升美光利潤率。
兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進美光2016年營收與凈利，而后者料自2018年起占美光營收比明顯擴大。
有看多美光者預測，股價可能于1年間上漲逾6成，達每股30美元。較保守的假設為，1年間上漲
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美光 NAND
- 中國半導體研究機構芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導體產業(yè)會有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺灣南亞科總經理高啟全將離職，加入中國紫光集團，負責半導體儲存業(yè)務。消息一出，果然在臺灣帶來震撼。外界也好奇，近來動作頻頻的紫光集團，究竟有什么背景與能耐，在半導體行業(yè)到處“興風作浪”?
■紫光發(fā)展簡歷
依紫光集團官網簡介，紫光的前身是中國清華大學在 1988 年所成立的科技開發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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紫光 NAND
- 東芝(Toshiba)財報不實風波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門，但日媒體日經Tech-On訪問日本半導體界人士，卻表示長期終將損害快閃存儲器產品競爭力。
目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產品，由于移動裝置需求持續(xù)成長，銷售量不斷增大，為日本少數仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產品;但這項產品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領先，受企業(yè)財務狀況影響比其他半導體產品更大。
現(xiàn)在東芝碰上財務問題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說新社長室町正志出身半導體事業(yè)，對這個
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東芝 NAND
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 內存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產能，市場似乎對內存前景不具信心，當日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。
美光財務長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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美光 NAND
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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英特爾 NAND
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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NAND 英特爾
- NAND閃存技術進入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
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東芝 NAND
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術不僅將導入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應商，2016年搶先導入SSD。不過，相關消息仍待慧榮正式對外宣布。
存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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DRAM NAND
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產階段，預計9月開始對客戶出貨。
快閃記憶體量產在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據日經新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產品明年才會投產。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士 NAND
- 幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進PC產業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構問世，SSD在價格方面已經逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進資料中心、數位看板、POS機等商用市場。
SanDisk：SSD全面進占資料中心
當云端應用已經成為重要產業(yè)趨勢，相關的基礎設備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
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SSD NAND
- 陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內魚兒游來游去。這里生產世界最先進技術的產品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。
對三星半導體來說，引導社會未來發(fā)展的不僅僅是生產全球最先進的產品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經營系統(tǒng)(G-EHS)。
形成半導體全產業(yè)鏈
三星半導體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產業(yè)基地。
西安是三星電子海外芯片生產線投資規(guī)模最大的一個
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三星 NAND
- 三星發(fā)展半導體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
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三星 NAND
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。
據韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產3D V-NAND業(yè)者。
據市調業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數量而言，2015年企業(yè)用SSD
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三星 V-NAND
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