super junction mosfet 文章進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)

繼2012年表現(xiàn)黯淡之后中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)將恢復(fù)生機(jī)

　　在綠色能源和節(jié)能計(jì)劃的帶動(dòng)下，加之出口回升，預(yù)計(jì)今年中國(guó)市場(chǎng)的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國(guó)以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢(shì)好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。　　據(jù)IHS公司的中國(guó)研究專題報(bào)告，今年中國(guó)功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長(zhǎng)3%。去年該市場(chǎng)比2011年的23.7億美元下降8%。　　明年增長(zhǎng)將更加強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 MOSFET

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹,我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高設(shè)計(jì)的可靠性。
關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
關(guān)鍵字： MOSFET 急聚點(diǎn) 損耗

L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電阻

在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

要點(diǎn)1.導(dǎo)通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實(shí)現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠(yuǎn)未到...
關(guān)鍵字：晶圓減薄 MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布推出2013年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導(dǎo)體和無(wú)源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，為設(shè)計(jì)工程師提供接觸業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格的捷徑，以及從中管窺Vishay非常廣泛的產(chǎn)品組合。
關(guān)鍵字： Vishay Super

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強(qiáng)大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對(duì)功率耗散的時(shí)間縮放功能，定義更多的真實(shí)條件以提高仿真精度和設(shè)計(jì)靈活性，減輕對(duì)用戶使用經(jīng)驗(yàn)的要求。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET DrMOS

摘要：先進(jìn)的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時(shí)增強(qiáng)了功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)性能。本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
關(guān)鍵字： MOSFET 鎮(zhèn)流器 FRFET 201302

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能，為繼電器更換和電池開關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性。
關(guān)鍵字： IR 驅(qū)動(dòng)IC AUIR3200S MOSFET

TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過(guò)去，降低RDS(ON)通常會(huì)以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
關(guān)鍵字： TrenchFET MOSFET DC/DC

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管
關(guān)鍵字： mosfet 場(chǎng)效應(yīng)管

PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個(gè)主要的組成部分：用于實(shí)施系統(tǒng)管理任務(wù)和控制算法的控制器，以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路?？刂破鞯奶匦匀Q于PV系統(tǒng)的類型和結(jié)構(gòu)以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細(xì)地分析每個(gè)組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
關(guān)鍵字： PV系統(tǒng) 逆變器 MOSFET 光伏逆變器

隨著LED用于室內(nèi)照明解決方案日漸盛行，成本結(jié)構(gòu)已成為關(guān)鍵因素。簡(jiǎn)單的反激式轉(zhuǎn)換器是實(shí)現(xiàn)低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而，LED照明的開關(guān)電源仍要求高功率因數(shù)及高系統(tǒng)效率。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，采用最新的功率器件至關(guān)重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級(jí)結(jié)MOSFET。
關(guān)鍵字： LED MOSFET DCM