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莫大康冷靜看待成都的“格芯”

  • 　　全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產線，GF占51%，并引入中國半導體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術。 　　“格芯”之所以引起業(yè)界關注有兩點： 　　1)與廈門的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè)，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式; 　　2)導入SOI技術，目前計劃是2018年開始成熟制程量產，以及2019年是22納米的FD-SOI技術量產。 　　為什么SOI技術對于中國是個亮點? 　　在摩爾
  • 關鍵字： SOI  格芯  

胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關注，為何?因為FD-SOI技術。 　　眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談談Fi
  • 關鍵字： FinFET  FD-SOI  

SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確

  • 中國半導體業(yè)發(fā)展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
  • 關鍵字： SOI  finFET  

新型智能手表顯示FD-SOI正當時？

  • 　　在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較，轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。 　　因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導體產業(yè)界許多工程師的質疑，例如：該技術的好處在哪?在商業(yè)市場上有實際產品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 　　終于，現(xiàn)在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
  • 關鍵字： 智能手表  FD-SOI  

RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術，占據(jù)了95%的市場份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。 　　   　　目前，RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
  • 關鍵字： RF-SOI  5G  

格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節(jié)點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現(xiàn)按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。 　　隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存
  • 關鍵字： 格羅方德  FD-SOI  

格羅方德半導體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。 　　隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，
  • 關鍵字： 格羅方德  FD-SOI  

格羅方德半導體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

  • 　　格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設計，并縮短產品上市時間。 　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現(xiàn)先進節(jié)點設計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。 　　通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
  • 關鍵字： 格羅方德  FD-SOI  

28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

  • 　　Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 　　三星晶圓代工業(yè)務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。 　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
  • 關鍵字： FD-SOI  存儲器  

FD-SOI制程決勝點在14nm！

  • 　　產業(yè)資深顧問Handel Jones認為，半導體業(yè)者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優(yōu)勢… 　　半 導體與電子產業(yè)正努力適應制程節(jié)點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會降低，帶來較高的閘成本。 　　  
  • 關鍵字： FD-SOI  14nm  

Globalfoundries正進行下一代FD-SOI制程開發(fā)

  • 　　Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
  • 關鍵字： Globalfoundries  FD-SOI  

RF-SOI技術：加強5G網(wǎng)絡和智能物聯(lián)網(wǎng)應用

  • 　　今天的智能手機和平板電腦內均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關、可調諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術可支持移動設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區(qū)域為無線設備提供持續(xù)強勁且清晰的網(wǎng)絡連接。　　移動市場對RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因為它以高性價比實現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內實現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關鍵作用?！　?/li>
  • 關鍵字： RF-SOI  5G  

FD-SOI會是顛覆性技術嗎？

  • 　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動，象征著為這項技術背書。 　　“我認為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
  • 關鍵字： FD-SOI  FinFET  

中國真的對FD-SOI制程技術有興趣？

  • 　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。 　　因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
  • 關鍵字： FD-SOI  FinFET  

FD-SOI與FinFET互補，是中國芯片業(yè)彎道超車機會

  • 本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應用領域和應用前景。
  • 關鍵字： FD-SOI  FinFET  制造  201604  
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soi介紹

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SO [ 查看詳細 ]

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