si-cmos 文章 最新資訊
凌力爾特擴大RS422/RS485 收發(fā)器產品系列,推出為高溫應用設計的“H 級”器件
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發(fā)器產品系列,推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標準低功率 CMOS 收發(fā)器產品線,有助于在汽車應用中常見的嚴酷環(huán)境條件下確保可靠數據傳輸。 凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉換率限制,同時其它版本具有接
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 凌力爾特 RS422 CMOS
意法半導體(ST)芯片向先進的45nm CMOS 射頻技術升級
- 意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(WLAN)應用產品至關重要。 這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產線制造的,原型產品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數字數據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數轉換器和濾波器都工作在1.1V下,整個電路僅占用0.45mm2)。 ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CM
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 意法半導體 45nm CMOS EDA IC設計
CMOS圖像傳感器中時問延遲積分的實現(xiàn)與優(yōu)化
- 1 引 言 利用高速線掃描攝像機進行監(jiān)控,具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點[1,2],一般常見的線掃描攝像機,感光器上的每個像素在進行動態(tài)掃描時,每次僅對移動中的物體做一次曝光,而時間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時間,從而增強信號的輸出強度。目前,TDI技術的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實現(xiàn)TDI的理想器件,它能夠實現(xiàn)無噪聲的電荷累加[3~5],但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術存在驅動電路和信號處理電路難與CCD成像陣列單片集成,需要較高的工作電壓,不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 TDI CMOS 圖像傳感器 傳感器 執(zhí)行器
一種帶有軟啟動的精密CMOS帶隙基準設計
- 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種,由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的突出優(yōu)點,所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流,這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結合工程實際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真,HSPICE的仿真結果表明該基
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 CMOS 帶隙基準 比較器 測量工具
奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務
- 奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業(yè)務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表,擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務,即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上,有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務 奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
- 關鍵字: 消費電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
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