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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展

- 從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到,到2030年,受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上,與此同時(shí),使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導(dǎo)體一直專(zhuān)注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展
- 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
IR推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡(jiǎn)化選型和電路設(shè)計(jì)

- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出光盤(pán)版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計(jì)師手冊(cè),內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊(cè)、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計(jì)技巧等。 IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器,能把AC 和 DC 負(fù)載和感測(cè)信號(hào)從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測(cè)試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
- 關(guān)鍵字: IR 微電子繼電器 MOSFET
IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET,為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無(wú)線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET
力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強(qiáng)其分析和仿真能力
- ??????? 力科公司,作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測(cè)試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商,今天宣布推出其信號(hào)完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品:信號(hào)完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品,它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作,還可以作為一個(gè)獨(dú)立的軟件使用。 可完成信號(hào)完整性分析、建模和仿真的功能 SI Studio針對(duì)信號(hào)完整性工程師而開(kāi)發(fā),可讓工程師使用一個(gè)軟件包就能完成對(duì)
- 關(guān)鍵字: 力科 軟件包 SI-Studio
IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車(chē)用MOSFET

- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日推出新的車(chē)用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: IR 柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET
Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

- Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET DMC4040SSD
Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗

- Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小?! ?/li>
- 關(guān)鍵字: Diodes DMC4040SSD MOSFET
說(shuō)出你的故事:中國(guó)IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

- 現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為,企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”,引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”,目的是最大限度地獲取超額利潤(rùn)。創(chuàng)新催生利潤(rùn),因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧,幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號(hào)。 不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實(shí)踐著創(chuàng)新,作為“深圳(國(guó)際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會(huì)”的組織機(jī)構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)也在積極行動(dòng)。他們?cè)谏钊胝{(diào)研了
- 關(guān)鍵字: IC設(shè)計(jì) MOSFET 音頻解碼器
飛兆半導(dǎo)體功率級(jí)非對(duì)稱(chēng)雙MOSFET器件

- 電源工程師一直面對(duì)減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn),而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中,上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱(chēng)雙MOSFET模塊。
- 關(guān)鍵字: 飛兆 MOSFET FDMS36xxS
IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù),為一系列的低功耗應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案?!?/li>
- 關(guān)鍵字: IR PQFN MOSFET
IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù),為一系列的低功耗應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
- 關(guān)鍵字: IR HEXFET MOSFET
si mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條si mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)si mosfet的理解,并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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