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si mosfet 文章 最新資訊

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到,到2030年,受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上,與此同時(shí),使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導(dǎo)體一直專(zhuān)注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展
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IR推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡(jiǎn)化選型和電路設(shè)計(jì)

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出光盤(pán)版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計(jì)師手冊(cè),內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊(cè)、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計(jì)技巧等。   IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器,能把AC 和 DC 負(fù)載和感測(cè)信號(hào)從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測(cè)試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本,設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路,以免器件發(fā)生故障,避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn),但是在更多情況下,設(shè)計(jì)人員使用完全
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IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET,為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無(wú)線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
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基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

  • PMM8731是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進(jìn)電機(jī)集成功率放大器。它們和單片機(jī)一起可構(gòu)成一種高效電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能,給出了
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IR日推出新車(chē)用MOSFET系列

  •   國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日推出新的車(chē)用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
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力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強(qiáng)其分析和仿真能力

  • ??????? 力科公司,作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測(cè)試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商,今天宣布推出其信號(hào)完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品:信號(hào)完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品,它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作,還可以作為一個(gè)獨(dú)立的軟件使用。   可完成信號(hào)完整性分析、建模和仿真的功能   SI Studio針對(duì)信號(hào)完整性工程師而開(kāi)發(fā),可讓工程師使用一個(gè)軟件包就能完成對(duì)
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IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車(chē)用MOSFET

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日推出新的車(chē)用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

  • Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  

基于SI濾波器的一種小波變換的實(shí)現(xiàn)

  • 摘要:文中在應(yīng)用對(duì)數(shù)域電路的基礎(chǔ)上,提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法,它通過(guò)對(duì)母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式,并以Marr小波為例來(lái)模擬這個(gè)逼近過(guò)程,并用Matlab對(duì)逼近過(guò)程進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果顯示
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Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗

  •   Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小?! ?/li>
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說(shuō)出你的故事:中國(guó)IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

  •   現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為,企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”,引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”,目的是最大限度地獲取超額利潤(rùn)。創(chuàng)新催生利潤(rùn),因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧,幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號(hào)。   不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實(shí)踐著創(chuàng)新,作為“深圳(國(guó)際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會(huì)”的組織機(jī)構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)也在積極行動(dòng)。他們?cè)谏钊胝{(diào)研了
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飛兆半導(dǎo)體功率級(jí)非對(duì)稱(chēng)雙MOSFET器件

  • 電源工程師一直面對(duì)減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn),而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中,上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱(chēng)雙MOSFET模塊。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  FDMS36xxS  

IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù),為一系列的低功耗應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案?!?/li>
  • 關(guān)鍵字: IR  PQFN  MOSFET  

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù),為一系列的低功耗應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
  • 關(guān)鍵字: IR  HEXFET MOSFET  
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