si cmos 文章進(jìn)入si cmos技術(shù)社區(qū)

干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器

　　D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題。　　音頻放大器背景　　音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率范圍減小
關(guān)鍵字：音頻放大器 D類放大器 CMOS

風(fēng)來(lái)的山口，01專項(xiàng)、02專項(xiàng)企業(yè)集中亮相IC China 2014

　　最新消息，國(guó)務(wù)院正式發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》!中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在風(fēng)口集結(jié)，等待乘政策東風(fēng)起航。盡管有人認(rèn)為這個(gè)綱要，還是太虛，沒(méi)有太多實(shí)質(zhì)性推進(jìn)，但國(guó)務(wù)院的正式發(fā)文，還是讓整個(gè)產(chǎn)業(yè)集體為之一振。在這風(fēng)來(lái)的山口，各企業(yè)參與IC China這個(gè)最權(quán)威也是最重要的國(guó)家級(jí)半導(dǎo)體展示平臺(tái)，更是信心倍增，各方躍躍欲試。截止目前，小編從組委會(huì)獲悉，與集成電路密切相關(guān)的兩個(gè)重要國(guó)家科技重大專項(xiàng)企業(yè)將集中亮相展會(huì)，包括：01專項(xiàng)——“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)
關(guān)鍵字： IC China 電子器件 CMOS

CCD和CMOS相輔相成用于安防監(jiān)控

　　1、最近兩年安防監(jiān)控市場(chǎng)出現(xiàn)了哪些新趨勢(shì)和新技術(shù)? 　　答：在安防市場(chǎng)，零售商店及住宅保安等對(duì)成本敏感的近程應(yīng)用持續(xù)注重降低系統(tǒng)成本。盡管如此，一個(gè)行業(yè)趨勢(shì)是為遠(yuǎn)程、寬視場(chǎng)(WFOV)及空中監(jiān)控應(yīng)用改進(jìn)圖像品質(zhì)和功能。為了提供用于這些應(yīng)用的方案，圖像傳感器必須有這些關(guān)鍵特性：1)空間細(xì)節(jié)高精度; 　　2) 用于變焦鏡頭的大光學(xué)格式;3)快速幀的時(shí)間分辨率。　　安森美半導(dǎo)體的經(jīng)驗(yàn)是CCD及CMOS技術(shù)都應(yīng)用于安防監(jiān)控，視乎系統(tǒng)的要求，兩種技術(shù)能相輔相成。　　2) 面對(duì)客戶對(duì)低照度情況下獲得清
關(guān)鍵字：安森美 CCD CMOS

基于ARM和以太網(wǎng)供電的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)設(shè)計(jì)

　　1 系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) 　　整個(gè)系統(tǒng)由AT91RM9200處理器、CMOS傳感器、音頻采集系統(tǒng)、以太網(wǎng)供電系統(tǒng)和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)通信等幾部分組成。首先，通過(guò)CMOS傳感器鏡頭采集圖像，同時(shí)還可以進(jìn)行音頻采集，經(jīng)過(guò)AT91RM9200處理器處理，整個(gè)過(guò)程通過(guò)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行供電，從而實(shí)現(xiàn)以太網(wǎng)供電的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)系統(tǒng)功能。　　2 系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì) 　　2.1 AT91RM9200相關(guān)設(shè)計(jì) 　　AT91RM9200嵌入ARM920T ARM Thumb處理器核，工作于180 MHz時(shí)，性能高達(dá)200
關(guān)鍵字： ARM CMOS 網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)

淺談設(shè)計(jì)PCB時(shí)抗ESD的方法

　　來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。　　在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,通過(guò)預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過(guò)調(diào)整PCB布局布線,能夠很好
關(guān)鍵字： PCB ESD CMOS

基于CMOS圖像傳感器的指紋識(shí)別設(shè)計(jì)

　　引　言　　CMOS圖像傳感器是近年來(lái)得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿足了對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進(jìn)步和完善，CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時(shí)作為一種PC機(jī)與外圍設(shè)備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點(diǎn)：連接簡(jiǎn)便，可熱插拔，無(wú)需定位及運(yùn)行安裝
關(guān)鍵字： CMOS USB CPLD

十個(gè)電荷泵的設(shè)計(jì)方案以及經(jīng)典應(yīng)用案例

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：電荷泵 CMOS DC-DC 圖像傳感器鎖相環(huán)芯片

一種0.1-1.2GHz的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設(shè)計(jì)

　　設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。　　目前，全球無(wú)線通信系統(tǒng)正處于快速發(fā)展進(jìn)程中，無(wú)線通信“行業(yè)專網(wǎng)”系統(tǒng)也正處于飛速發(fā)展的黃金時(shí)期。我國(guó)無(wú)線通信行業(yè)專網(wǎng)所用頻點(diǎn)和帶寬種類繁多，其頻率主要集中在0.1-1.2GHz。各專網(wǎng)使用不同的頻點(diǎn)、射頻帶寬和信號(hào)帶寬，標(biāo)
關(guān)鍵字： CMOS 射頻無(wú)線收發(fā)芯片 RFID

東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級(jí)精確度

　　東京—東芝公司今天宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出一款采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)制造的原型參考時(shí)鐘振蕩器，該振蕩器達(dá)到了全球最高等級(jí)精確度。這款新設(shè)備用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體振蕩器，將為電子設(shè)備的微型化提供支持。　　東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項(xiàng)振蕩器技術(shù)。　　近年來(lái)，對(duì)于作為電子產(chǎn)品復(fù)雜功能來(lái)源的電子組件的微型化要求已經(jīng)擴(kuò)及振蕩器，激發(fā)了對(duì)超小型振蕩器的興趣。
關(guān)鍵字：東芝 CMOS 振蕩器

英飛凌推出最小的天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān)

　　英飛凌科技股份公司針對(duì)射頻前端擴(kuò)大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān)。新款天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)(Aperture tuning)對(duì)提升4G智能手機(jī)和平板電腦的終端用戶體驗(yàn)助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運(yùn)行中的數(shù)據(jù)率達(dá)到最高水平。BGS1xGN10系列開(kāi)關(guān)采用市面上最小封裝，這對(duì)新一代智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備等空間受限的應(yīng)用而言至關(guān)重要。此外，該系列進(jìn)一步降低電流消耗，延長(zhǎng)此類設(shè)備的待機(jī)和工作時(shí)間?！　〔捎糜w凌射頻CMOS開(kāi)關(guān)技術(shù)的天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān)有利于開(kāi)
關(guān)鍵字：英飛凌 BGSA14GN10 CMOS

英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)最快增速

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開(kāi)關(guān)領(lǐng)先供應(yīng)商之一的地位。預(yù)計(jì)，今后數(shù)年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來(lái)越多的LTE頻段，射頻開(kāi)關(guān)需求將呈兩位數(shù)增長(zhǎng)?！　‰S著4G/LTE手機(jī)可支持的工作頻段和運(yùn)行模式越來(lái)越多，其射頻前端部件設(shè)計(jì)日益復(fù)雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應(yīng)用之外，天線開(kāi)關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線開(kāi)關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
關(guān)鍵字：英飛凌 LTE CMOS

RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

　　專注于為無(wú)線連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！　FX241最新加入RFaxis瞄準(zhǔn)快速增長(zhǎng)的無(wú)線接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機(jī)頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場(chǎng)上
關(guān)鍵字： RFaxis RF CMOS

一種基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

1　PMM8713的功能特點(diǎn) PMM8713是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進(jìn)電機(jī)。PMM8713在控制二相或四相步進(jìn)電機(jī)時(shí)都可選擇三種勵(lì)磁方式(1相勵(lì)磁，2相勵(lì)磁，1-2相勵(lì)磁三種勵(lì)磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級(jí)功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路，抗干擾能力很強(qiáng)，其原理框圖如圖1所示。在PMM8713的內(nèi)部電路中，時(shí)鐘選通部分用于設(shè)定步進(jìn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
關(guān)鍵字： PMM8731 SI-7300

德國(guó)開(kāi)發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

　　在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過(guò)程中溫度通常會(huì)超過(guò)200℃，高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國(guó)弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開(kāi)發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。　　傳統(tǒng)的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會(huì)迅速下降。還有一種方法是對(duì)熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻，但是很難實(shí)現(xiàn)。此外，市場(chǎng)上也存在專門(mén)的高溫芯片，但是尺寸過(guò)大(最小尺寸也達(dá)1微米)。　　IMS開(kāi)發(fā)的微芯片尺寸僅有0
關(guān)鍵字：微芯片 CMOS

一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介

因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號(hào)加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開(kāi)。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
關(guān)鍵字： MOS CMOS