rf-cmos 文章最新資訊

低成本四運(yùn)放驅(qū)動RF調(diào)制器

本文介紹的視頻電路組合了音頻副載波

圖1. 用于NTSC制式的陷波器和延遲均衡器

為了獲得最佳性能，輸入應(yīng)該由低阻信號源驅(qū)動，例如運(yùn)算放大器或有源濾波器。兩個二階全通濾波環(huán)節(jié)(U1a、R1、C1、L1)和(U1c、R13、
關(guān)鍵字：調(diào)制器 RF 驅(qū)動成本

新型CMOS圖像傳感器原理及應(yīng)用

金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件，CMOS則應(yīng)
關(guān)鍵字：原理應(yīng)用傳感器圖像 CMOS 新型

通用的集成電路RF噪聲抑制能力測量技術(shù)

GSM手機(jī)的隨處可見正導(dǎo)致不需要的RF信號的持續(xù)增加，如果電子電路沒有足夠的RF抑制能力，這些RF信號會導(dǎo)致電路產(chǎn)生的結(jié)果失真。為了確保電子電路可靠工作，對于電子電路RF抑制能力的測量已經(jīng)成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)必不可少的一
關(guān)鍵字：能力測量技術(shù) 抑制噪聲集成電路 RF 通用

ADI推出新款PLL頻率合成器

ADI公司，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商和RF IC(射頻集成電路)領(lǐng)先者，最近推出兩款新的PLL頻率合成器ADF4151和ADF4196，這些器件能夠提供最大的靈活性和最佳的相位噪聲性能，可簡化多種應(yīng)用的設(shè)計(jì)，包括通信基礎(chǔ)設(shè)施基站、脈沖和多普勒雷達(dá)應(yīng)用、測試與測量儀器設(shè)備、微波點(diǎn)對點(diǎn)系統(tǒng)、專業(yè)移動無線電(PMR)、甚小孔徑終端(VSAT)、航空航天系統(tǒng)等等。
關(guān)鍵字： ADI RF ADF4151

下一代LTE基站發(fā)射機(jī)的RF IC集成設(shè)計(jì)

從3G升級到LTE-Advance，對下一代移動通信基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)備和器件供應(yīng)商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無線設(shè)備要求支持更寬的信號帶寬、更復(fù)雜的調(diào)制方式，以便在全球范圍內(nèi)部署的各種運(yùn)行頻段上都能獲得更高的數(shù)據(jù)速率。因此
關(guān)鍵字： IC 集成設(shè)計(jì) RF 發(fā)射機(jī) LTE 基站下一代

基于CMOS探測器的射線檢測設(shè)計(jì)應(yīng)用

概述：以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測技術(shù)，檢測精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列，需要在檢測時進(jìn)行相對掃描運(yùn)動，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢測工裝設(shè)計(jì)，完成了探測器的固定、位置調(diào)節(jié)及實(shí)現(xiàn)與檢測工件的相對運(yùn)動。介紹了檢測應(yīng)用中的探測器配置與校準(zhǔn)、透照方式選取、運(yùn)動速度控制、檢測參數(shù)優(yōu)化、缺陷定量分析和圖像存檔管理等。應(yīng)用結(jié)果表明，經(jīng)過工藝優(yōu)化，CMOS探測器能夠?qū)崿F(xiàn)大多數(shù)產(chǎn)品零部件的射線檢測。最后分析了應(yīng)用中存在的問題及后續(xù)研究方向。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 應(yīng)用檢測射線 CMOS 探測器基于

基于射頻RF技術(shù)的魚塘溶解氧無線監(jiān)控系統(tǒng)的探討

RF(Radio Frequency)專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，電磁波可由其頻率表述為：KHz(千赫)，MHz(兆赫)及GHz(千兆赫)；其頻率范圍為VLF(極低頻)也即10-30KHz至EHF(極高頻)也即30-300GHz。RF(射頻)技術(shù)被廣泛
關(guān)鍵字：無線監(jiān)控系統(tǒng) 探討溶解魚塘射頻 RF 技術(shù) 基于

CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應(yīng)用

CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應(yīng)用,1 引言隨著醫(yī)療診斷儀器小型化、便攜化的進(jìn)程，高性能32位微處理器正在越來越多地應(yīng)用于各類小型醫(yī)療影像設(shè)備中，但是如何利用這些微處理器傳送和處理實(shí)時圖像，卻是一個丞待解決的問題。從ARM 7系列開始，ARM處理器
關(guān)鍵字： CMOS 圖像超聲診斷儀中的應(yīng)用

創(chuàng)新成像/圖像處理技術(shù)打造更安全的智能汽車

在過去五年中，汽車行業(yè)中駕駛輔助系統(tǒng)（automotivedriverassistancesystems，ADAS）領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，真正...
關(guān)鍵字： CMOS ADAS 汽車電子

用基于CMOS技術(shù)的接收器芯片設(shè)計(jì)高性價(jià)比的汽車收

高增長的經(jīng)濟(jì)體如巴西、印度尼西亞、印度和中國已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級和快速增長的汽車市場。這些市場要求汽車零售價(jià)相對較低，因此給汽車組件帶來很大的成本壓力。此外，在發(fā)達(dá)經(jīng)濟(jì)體如美國、歐洲國家和日本的汽車市場
關(guān)鍵字： CMOS 接收器芯片設(shè)計(jì) 汽車

IDT推出低功耗、低失真RF至IF混頻器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; ) 宣布，已推出兩款面向手機(jī)基站設(shè)備的低功耗、低失真射頻(RF)至中頻(IF)混頻器以擴(kuò)展其模擬無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合。新的器件可改善系統(tǒng)三階互調(diào)(IM3)性能并減少功耗，從而實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量(QoS)和 4G 無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中更小的附件和增強(qiáng)的可靠性。
關(guān)鍵字： IDT RF 混頻器

CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖

CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的，亦叫十進(jìn)制技術(shù)、譯碼驅(qū)動顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
關(guān)鍵字： CL102 CMOS-LED 數(shù)碼顯示器

以碳納米管取代銅　TSV芯片效能更好

　　來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會比銅來得更好。　　TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因?yàn)殂~遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。　　「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS

泰克推出緊湊型射頻、微波功率傳感器/功率計(jì)

為微波和射頻行業(yè)提供信號發(fā)生和分析解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)創(chuàng)新廠商--泰克公司日前宣布，推出緊湊型射頻(RF)和微波功率傳感器/功率計(jì)產(chǎn)品系列，這些產(chǎn)品具備業(yè)內(nèi)最快的測量速度，覆蓋射頻、微波頻率范圍，并提供從基本平均功率到脈沖參數(shù)(pulse profiling)的廣泛功率測量。泰克PSM 功率計(jì)系列在全工作溫度范圍內(nèi)已完全校準(zhǔn)，無需傳感器歸零和功率計(jì)參考校準(zhǔn)。
關(guān)鍵字：泰克 RF 功率計(jì)

Crocus與中芯國際簽署技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議

Crocus科技，領(lǐng)先的強(qiáng)化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)商，和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)，中國內(nèi)地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)針對汽車應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進(jìn)一步加工。
關(guān)鍵字：中芯國際半導(dǎo)體 CMOS