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rf-cmos 文章 最新資訊

CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10Lux以下基本沒(méi)用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了
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CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10
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設(shè)定相位同調(diào)RF量測(cè)系統(tǒng)：從MIMO到波束賦形

  • 自從傳送出第一筆無(wú)線電波之后，工程師就持續(xù)發(fā)明新方法，以優(yōu)化電磁微波訊號(hào)。RF 訊號(hào)已廣泛用于多種應(yīng)用，其中又以無(wú)線通信與 RADAR 的 2 項(xiàng)特殊應(yīng)用正利用此常見(jiàn)技術(shù)。就本質(zhì)而言，此 2 項(xiàng)應(yīng)用的獨(dú)到之處，即是利用電磁波的空間維度 (Spatial dimension)。直到今天，許多無(wú)線通信系統(tǒng)整合了多重輸入/輸出 (MIMO) 天線架構(gòu)，以利用多重路徑的訊號(hào)傳播 (Propagation) 功能。
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利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機(jī)方案

  • 每年生產(chǎn)10多億部手機(jī)的手機(jī)市場(chǎng)已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說(shuō)法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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RF芯片IA4420簡(jiǎn)介及其在無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸中的應(yīng)用

  • IA4420/21是射頻收發(fā)一體芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段，IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2～5.4V，采用低功耗模式，待機(jī)電流為0.3mu;A，采用FSK調(diào)制模式，發(fā)射功率為 5～8dbm，接
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RF WCDMA基準(zhǔn)比較測(cè)試

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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設(shè)定相位同調(diào) RF 量測(cè)系統(tǒng)：從 MIMO 到波束賦形

  • 設(shè)定相位同調(diào) RF 量測(cè)系統(tǒng)：從 MIMO 到波束賦形概觀自從傳送出第一筆無(wú)線電波之后，工程師就持續(xù)發(fā)明新方法，以優(yōu)化電磁微波訊號(hào)。RF 訊號(hào)已廣泛用于多種應(yīng)用，其中又以無(wú)線通信與 RADAR 的 2 項(xiàng)特殊應(yīng)用正利用此常見(jiàn)
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AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  • 　　AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺(tái)積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 　　在評(píng)論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來(lái)應(yīng)對(duì)英特爾和NVIDI
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CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS
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RF預(yù)失真修正信號(hào)

  • 現(xiàn)代RF放大器既需要線性也需要高效率。線性要求是源于現(xiàn)代調(diào)制方法的使用，如QAM(正交幅度調(diào)制)和OFDM(正交頻分多址調(diào)制，參考文獻(xiàn)1)。這些放大器還需要效率，以降低功耗和減少散熱。開發(fā)人員通常將現(xiàn)代RF放大器組件
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IC芯片的晶圓級(jí)射頻(RF)測(cè)試分析

  • 　對(duì)于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn)，對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路
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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
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一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時(shí)間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)基于SMIC 0．25mu;m CM
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聯(lián)電與星國(guó)微電子開發(fā)TSV技術(shù)

  • 　　聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測(cè)器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過(guò)這項(xiàng)技術(shù)，包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬(wàn)像素影像感測(cè)器，都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 　　聯(lián)電指出，市場(chǎng)上對(duì)于持續(xù)縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強(qiáng)，帶動(dòng)CMOS影像感測(cè)技術(shù)興起，而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級(jí)大小的像素，仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 　　聯(lián)電指出，這次專案目標(biāo)，希望提影像感測(cè)器靈敏度，支援更
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IMEC探討10nm以下制程變異

  • 　　在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。 　　明天的智慧系統(tǒng)將會(huì)需要更多的運(yùn)算能力和儲(chǔ)存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對(duì)晶片微縮技術(shù)的需求。 　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
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