pcm-400 文章 進(jìn)入pcm-400技術(shù)社區(qū)
可獲得400VP-P輸出的高電壓增強(qiáng)器
- 電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V,需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵器或壓電器件就要使用專門的激勵放大器,也有采用由耐高壓晶體管組成的獨立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性,在OP放大器后面增加
- 關(guān)鍵字: VP-P 400 高電壓 增強(qiáng)器
三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機(jī)閃存卡
- 三星計劃于今年晚些時候推出相變內(nèi)存卡(PCM),旨在取代當(dāng)前手機(jī)等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術(shù)。 相變內(nèi)存由相變材料制成,通過加熱材料形式來存儲數(shù)據(jù)。與閃存存儲相比,相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時更加省電,預(yù)計可延長電池續(xù)航時間20%。 在速度方面,相變內(nèi)存的優(yōu)勢更加明顯,其存取數(shù)據(jù)的速度比閃存快9倍。三星表示,相變內(nèi)存模塊預(yù)計于今年晚些時候下線,最初的容量為512MB。三星預(yù)計,對于多種電子產(chǎn)品,相變內(nèi)存最終取代當(dāng)前的閃存技術(shù)。 值得一提的是,相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時所需溫度在150至600攝氏度之間,
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恒憶推出新系列相變存儲器
- 恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者,今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù),具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性,適用于固線和無線通信設(shè)備、消費電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),并向市場供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身,一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。今天,新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM,其寫入速度有
- 關(guān)鍵字: NUMONYX PCM 相變存儲器
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市場可預(yù)期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求,擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級,進(jìn)一步擴(kuò)大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球存儲器解
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數(shù)字無線技術(shù)在實時無損檢測系統(tǒng)中應(yīng)用
- 在當(dāng)今無線測控工作站的檢測信號與控制信號傳輸過程中,一種是傳統(tǒng)的模擬式傳輸,以FM-FM為代表;一種是數(shù)字...
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字無線技術(shù) PCM FM-FM
Numonyx與Intel在相變存儲研究中取得關(guān)鍵性突破
- 相變存儲 (PCM) 是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術(shù),恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測試芯片,對于隨機(jī)存取非易失性存儲器及存儲應(yīng)用而言,這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲裝置。 上述發(fā)現(xiàn)是 Numonyx 與 Intel 長久以來共同進(jìn)行的一項研究計劃的成果,該計劃的目的著重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。
- 關(guān)鍵字: Numonyx PCM PCMS
英特爾與恒憶公布突破性相變存儲器技術(shù)研究成果
- 英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項突破性的相變存儲器(PCM)研究成果,這種新的非易失性存儲器技術(shù)結(jié)合了目前各種存儲器的優(yōu)勢。研究人員首次展示了能夠在單個硅片上堆疊或放置多個PCM陣列層的64Mb測試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲器設(shè)備鋪平了道路,能夠為隨機(jī)存取非易失性存儲器和存儲應(yīng)用降低所占用的空間。 這項成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開發(fā),雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現(xiàn)在能夠展示垂直集成的存儲器單元PCMS(
- 關(guān)鍵字: 英特爾 PCM PCMS
三星看好PCM內(nèi)存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
- 三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式. 多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會發(fā)生改變,晶體的變化對應(yīng)計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲. 一直以來,包括英特爾和英飛凌在內(nèi)的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認(rèn)為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 三星半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字: 三星 PCM 34納米 10納米 12納米
加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)
- 全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址,并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂,共同見證了這一重要歷史時刻。 恒憶正式成立于2008年3月,是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè),擁有技術(shù)
- 關(guān)鍵字: Numonyx NOR NAND RAM PCM
恒憶與三星合作的生意經(jīng)
- 2009年6月24日,恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)產(chǎn)品的市場規(guī)格,兩大存儲器廠商的攜手再次印證了“商場上沒有永遠(yuǎn)的對手”。 韓國三星電子稱霸存儲器行業(yè)已有多時,其DRAM市場近30%、閃存市場近40%的份額長期無可撼動。而恒憶作為存儲器行業(yè)的新寵,其正式成立距今不過一年左右的時間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM,并利
- 關(guān)鍵字: Numonyx PCM DRAM RAM NOR
恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機(jī)及移動應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn),將有效簡化設(shè)計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間,使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關(guān)鍵字: Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范,該技術(shù)有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱,PCM讀寫速度非??欤碾娏繀s低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。 三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規(guī)范將于今年完成,預(yù)計明年將推出兼容設(shè)備。
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
瞄準(zhǔn)亞洲存儲增長商機(jī) 恒憶積極開拓經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)
- 全球非易失性存儲領(lǐng)導(dǎo)廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強(qiáng)、世平、文曄、東棉、金龍等授權(quán)經(jīng)銷商合作,在中國大陸地區(qū)銷售恒憶產(chǎn)品,并提供支持服務(wù)。通過這個穩(wěn)固的經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò),恒憶在亞洲區(qū)的產(chǎn)品與技術(shù)布局將更加完整,足以滿足亞洲快速增長的嵌入式與無線市場需求,尤其是在數(shù)字消費電子、通信和手持裝置等領(lǐng)域。 亞洲市場規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿?,在恒憶的全球布局中始終占有關(guān)鍵性地位,中國大陸及臺灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長最快、爆發(fā)力最強(qiáng)的市場。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示,2
- 關(guān)鍵字: Numonyx 非易失性存儲 PCM 手持裝置 NOR RAM
pcm-400介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條pcm-400!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對pcm-400的理解,并與今后在此搜索pcm-400的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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