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DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機

  • 　　據(jù)國外媒體報道，人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價格。從積極的角度看，較低的內(nèi)存價格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片，同時將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進的第三代內(nèi)存芯片。 　　全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內(nèi)存價格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過以往。就在三個月前，三星公司曾表示，由于價格疲弱，電腦標配內(nèi)存已從512M變成了1G。 　　目前，主流DRAM芯片為1G字
  • 關鍵字： DRAM  DD2  DDR3  電腦組件  

臺灣內(nèi)存雙雄同時宣布暫緩擴產(chǎn)

  •  　　臺灣最大兩家內(nèi)存芯片生產(chǎn)商日前均表示，行業(yè)的下滑趨勢讓他們?nèi)狈ΜF(xiàn)金，維持將推遲原定的擴產(chǎn)計劃。 　　力晶半導體(Powerchip)不但是臺灣最大的動態(tài)隨機存儲芯片(DRAM)生產(chǎn)商，也是業(yè)內(nèi)最積極興建新廠的廠商之一，但近日卻表示將把今年的資本投資額從新臺幣340億元(約11億美元)下調(diào)至240億元。與此同時，其對手南亞科技也預計今年的資本支出額會從原來預測的新臺幣300億元減少至230億元。 　　由于內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，兩家公司已經(jīng)連續(xù)五個季度錄得凈虧損。這種下滑趨勢對一些內(nèi)存芯片
  • 關鍵字： 內(nèi)存  臺灣  Powerchip  DRAM  南亞科技  

關于數(shù)Gpbs高速存儲器接口設計的分析

虧損將導致廠商控制三季度DRAM內(nèi)存供貨量

  • 　　7月6消息，據(jù)臺灣地區(qū)DRAM內(nèi)存廠商稱，由于全球大多數(shù)DRAM內(nèi)存廠商推遲建設新的工廠或者推遲實施其它擴大生產(chǎn)能力的計劃，今年第三季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)出貨量的增長率將受到限制。 　　DRAM內(nèi)存價格下降引起的虧損使許多DRAM內(nèi)存廠商暫停建設新的12英寸晶圓工廠，同時減少新的晶圓產(chǎn)量。臺灣地區(qū)的主要DRAM內(nèi)存廠商包括南亞科技、力晶半導體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內(nèi)存出貨量的增長率控制在50%至60%。據(jù)介紹，華亞科技2007年內(nèi)存出貨量的增長率是112%。力晶半導體20
  • 關鍵字： DRAM  內(nèi)存  晶圓  

Spansion開發(fā)Spansion EcoRAM全新存儲產(chǎn)品

  • 　　Spansion宣布開發(fā)稱作Spansion EcoRAM的全新存儲產(chǎn)品計劃，旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術，Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務器的四倍。 數(shù)據(jù)中心能源危機 　　能效專家及斯坦福大學顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報告指出，數(shù)據(jù)中
  • 關鍵字： 存儲  Spansion  數(shù)據(jù)中心  DRAM  

Spansion助力互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器降低能耗達75%

  • 　　全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布開發(fā)稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲產(chǎn)品計劃，旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術，Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務器的四倍。 　　數(shù)據(jù)中心能源危機
  • 關鍵字： Spansion  閃存  中心服務器  能耗  EcoRAM  DRAM  

三星8000萬顆瑕疵DRAM被退回 可能流向市場

  • 　　6月20日消息，據(jù)中國臺灣媒體報道，繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現(xiàn)問題后，三星的68納米DRAM日前也曝出問題，導致8000萬顆1GB DDR2被客戶退回。 　　今年4月，因Hynix 66納米工藝良率不高，導致大批1GB DDR2晶圓報廢。日前，三星也曝出同樣的問題。有消息稱，三星有8000萬顆瑕疵1GB DDR2被OEM廠商退回。 　　對此，下游客戶表示出了一絲擔心，三星將如何處理這批瑕疵產(chǎn)品呢？如果以較低價格傾銷到現(xiàn)貨市場，那勢必將對該市場價格產(chǎn)生劇烈影響。目前，三星并未給出具體
  • 關鍵字： 三星  DRAM  晶圓  

半導體產(chǎn)業(yè)是否進入“無利潤繁榮”時代？

  • 　　半導體產(chǎn)業(yè)是否進入了“無利潤繁榮”時代？半導體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求？在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點，并指出目前復雜的財務狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
  • 關鍵字： 半導體  DRAM  NAND  NOR  

2008年全球半導體市場將出現(xiàn)從緊態(tài)勢

  • 　　市場調(diào)研機構Gartner公司最近發(fā)布報告，稱由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場拖累，預計2008年全球半導體廠商支出將下降19.8%，達475億美元。 　　Gartner公司負責半導體制造業(yè)務調(diào)查的副總裁Klaus Rinnen表示，“原來所預測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了，大多數(shù)廠商選擇了從緊的投資策略。就當前的市場行情，預計今年DRAM市場支出將減少47%，而整個存儲芯片市場費用支出將減少29%”。 　　Gartner還稱，預計今年全球用于芯片設
  • 關鍵字： 半導體  DRAM  NAND  存儲芯片  

AMD否認撤銷Kuma處理器傳言 將按計劃推出

  • 　　6月13日消息，AMD稱，它將按計劃推出代號為“Kuma”的雙核處理器，否認某些型號的“Kuma”處理器已經(jīng)取消的猜測。 　　AMD發(fā)言人Jake Whitman說，這種猜測完全是不真實的。我們?nèi)詫从媱澰?008年下半年推出代號為“Kuma”的處理器。這種處理器仍采用65納米生產(chǎn)工藝，仍以Star的內(nèi)核為基礎。 　　AMD發(fā)言人稱，不像某些文章說的那樣，“Kuma”處理器與代號為“Phen
  • 關鍵字： AMD  Kuma  處理器  半導體  存儲芯片  DRAM  

手機拆機分析揭示移動存儲的未來

  • 　　NAND和mDRAM激增，NOR-less機型增多 　　手機內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化？ 　　在相對較短的時間內(nèi)，隨著手機從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具，手機所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 　　這種轉(zhuǎn)變的背后，是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
  • 關鍵字： 手機  NOR閃存  pSRAM  DRAM  NAND閃存  iSuppli    

磁阻式隨機存儲器將挑戰(zhàn)閃存

  • 　　磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。 　　根據(jù)消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個風險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關產(chǎn)品的市場份額”。 　　MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
  • 關鍵字： MRAM  快閃記憶體  Flash  DRAM  Everspin  

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復蘇時日不明 投資者可能轉(zhuǎn)向模擬芯片領域

  • 　　由于處境不佳的電腦內(nèi)存市場今年預計僅會溫和復蘇，考慮押注全球芯片產(chǎn)業(yè)的投資者可能打算把資金投向快速增長的模擬芯片領域。用于便攜產(chǎn)品的閃存價格似乎正在趨穩(wěn)，但參加路透全球技術、媒體與電信峰會的高管們表示，他們對于該產(chǎn)業(yè)何時復蘇不太確定。 　　分析師預計今年全球DRAM銷售額下降10%，2009年增長約20%。主要DRAM供應商三星(Samsung)電子和海力士(Hynix)半導體的DRAM價格自4月以來反彈，促使業(yè)內(nèi)高管預期市場供需在今年下半年恢復平衡。 　　閃存價格持平 　　全球第二
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  模擬芯片  

三星:內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已走出波谷 價格即將反彈

  • 　　5月27日消息，隨著供過于求的緩解，三星預計計算機內(nèi)存價格在今年晚些時候會出現(xiàn)反彈。 　　據(jù)國外媒體報道稱，新上任的三星電子內(nèi)存業(yè)務主管Kwon Oh Hyun今天在一次會議上表示，內(nèi)存芯片價格將不再“處于底部”。但內(nèi)存產(chǎn)業(yè)今年下半年的前景仍不明朗。 　　德意志銀行曾預計內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于波谷，供應增長的明顯減速將使得價格有望在2009年結束前出現(xiàn)反彈，Kwon的評論正好與德意志銀行的預計相符。 　　在內(nèi)存生產(chǎn)廠商上季度因存貨過多導致包括三星在內(nèi)的主要廠商出現(xiàn)虧損后，DRA
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存  波谷  價格  DRAM  

存儲器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價格

  • 　　近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動價格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來的“自然減產(chǎn)機制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制程凸捶，導致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個人電腦(PC)的成長性，很難再出現(xiàn)需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價格秩序。 　　意外事件＋制程出錯 穩(wěn)定價格的捷徑 　　2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火，導致NAND Fla
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  NAND  晶圓  三星  海力士  NB  DT  
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