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2011年DRAM市場(chǎng)將急劇萎縮
- 據(jù)iSuppli公司,預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑,全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮,盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。 2011年全球DRAM銷售額預(yù)計(jì)下降至355億美元,比2010年的403億美元減少11.8%。這種兩位數(shù)的下滑幅度,與2010年形成鮮明對(duì)比。2010年全球DRAM銷售額比2009年劇增77.5%。如圖所示,2011年以后的幾年,DRAM銷售額的波動(dòng)也較大,在ASP持續(xù)下滑的情況下,銷售額趨于下降。
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爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR 籌措新臺(tái)幣43.2億元
- 彭博信息(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出,全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃來臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR),募資約123億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣43.2億元),作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用,而爾必達(dá)亦將成為首家來臺(tái)發(fā)行TDR的日本業(yè)者。 據(jù)悉,爾必達(dá)擬發(fā)行2億單位的TDR;2月18日將敲定確切的發(fā)行價(jià)格。 另據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo),在發(fā)行TDR的同時(shí),爾必達(dá)亦計(jì)劃增發(fā)1,000萬股新股,新股發(fā)行后,爾必達(dá)的股數(shù)將增為2.16億股左右。 報(bào)導(dǎo)提到,爾必達(dá)透過發(fā)行T
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三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額
- 存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營(yíng)收?qǐng)?bào)告,去年四季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收86.4億美元,相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%,但產(chǎn)能增長(zhǎng)16%。 集邦科技指出,廠商們?cè)谏a(chǎn)工藝上的升級(jí)使得產(chǎn)能上漲,但50nm級(jí)和40nm級(jí)工藝的邁進(jìn)使得四季度的DRAM價(jià)格下降。在加上PC對(duì)DRAM需求較低、PC內(nèi)存容量的升級(jí)緩慢,最終的結(jié)果就是產(chǎn)能過剩拉低了芯片價(jià)格。 四季度2GB DDR3內(nèi)存平均期貨價(jià)已經(jīng)從三季度的40美元降低到24美元,而現(xiàn)貨市
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爾必達(dá)2010年第四季度大虧3.6億美元
- 存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)報(bào)(2010年10~12月),受存儲(chǔ)器價(jià)格大跌拖累,爾必達(dá)第3季大虧296億日?qǐng)A(約3.6億美元)。 2010 會(huì)計(jì)年度第3季爾必達(dá)營(yíng)收為970.7億日?qǐng)A,較前1年同期的1,510.1億日?qǐng)A大幅萎縮36%,第3季凈損為296億日?qǐng)A,較前1年同期凈賺 210.5億日?qǐng)A大幅惡化。此外,爾必達(dá)第3季的虧損較路透(Reuters)調(diào)查、分析師預(yù)估的凈損161.7億日?qǐng)A還大。 爾必達(dá)虧損龐大的主因?yàn)镈RAM價(jià)格崩盤,受個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求
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DRAM價(jià)跌破0.9美元防線
- 韓國(guó)主要出口產(chǎn)品DRAM和液晶顯示器(LCD)面板價(jià)格,近期皆再度出現(xiàn)跌幅。其中,自2009年3月以來,歷經(jīng)22個(gè)月之后,DRAM價(jià)格又再度跌破0.9美元防線。 韓國(guó)媒體引述市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)表示,1Gb DDR3 DRAM交易價(jià)格已較1月初的0.91美元下跌3.3%,目前為0.88美元。1Gb DDR3 DRAM既是三星電子(Samsung Electronics)的代表性商品,也是目前全球DRAM半導(dǎo)體市場(chǎng)上交易量最大的產(chǎn)品?! ?/li>
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瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲(chǔ)器產(chǎn)品
- 瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。 與公司原有288Mb 低時(shí)延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品最大的特點(diǎn)是其存儲(chǔ)容量提升至原有產(chǎn)品的2倍,實(shí)現(xiàn)了大容量化。此
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