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存儲(chǔ)器3Q景氣NAND Flash略?xún)?yōu)于DRAM

  • 　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)。　
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。 　　雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  50納米  

傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠(chǎng)

  • 　　茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠(chǎng)有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)幣100億元，想買(mǎi)茂德12吋廠(chǎng)，且推測(cè)背后應(yīng)是獲得臺(tái)積電默許，主要系因驅(qū)動(dòng)IC未來(lái)采12吋廠(chǎng)生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢(shì)，世界先進(jìn)可趁此機(jī)會(huì)撿便宜。不過(guò)，茂德和世界先進(jìn)對(duì)此事都予以否認(rèn)?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 茂德中科  DRAM  

瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠(chǎng)

  • 　　瑞晶董事會(huì)日前通過(guò)30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬(wàn)片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠(chǎng)。此外，董事會(huì)也通過(guò)，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，持續(xù)添購(gòu)重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤(rùn)機(jī)臺(tái)等?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

  • 　　力成科技積極自?xún)?nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買(mǎi)下茂德廠(chǎng)房以作為實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠(chǎng)也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)以開(kāi)發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級(jí)封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計(jì)開(kāi)發(fā)時(shí)程約1年，屆時(shí)新竹廠(chǎng)正好開(kāi)始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時(shí)于2012~2013年發(fā)酵。　
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華芯預(yù)計(jì)內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過(guò)億元

  • 　　華芯半導(dǎo)體公司市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)部經(jīng)理殷和國(guó)6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對(duì)《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》透露，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來(lái)超過(guò)1億元的收入。 　　
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iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

  • 　　據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  

爾必達(dá)宣布開(kāi)始銷(xiāo)售DDR3 DRAM樣品芯片

  • 　　日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過(guò)TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： DDR3  DRAM  

爾必達(dá)開(kāi)發(fā)出全球最薄的DRAM

  • 　　日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。 　　超薄DRAM將有助于減少智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

Rambus指責(zé)海力士美光非法共謀

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商Rambus在周一加利福尼亞州開(kāi)審的反壟斷訴訟案中指出，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商海力士和美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商美光科技曾使用了“非法的陰謀”，欲將Rambus趕出計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。Rambus在此訴訟案中，針對(duì)海力士和美光科技侵犯公司DRAM存儲(chǔ)芯片的行為，提出了高達(dá)129億美元的索賠要求。Rambus表示，依據(jù)加利福尼亞 州的相關(guān)法律，該公司43億美元的損害賠償將自動(dòng)增加兩倍，達(dá)到129億美元。截至目前，海力士與美光科技對(duì)此報(bào)道未置可否。　
  • 關(guān)鍵字： Rambus  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)：美日聯(lián)合抗三星

  • 　　DRAM價(jià)格持續(xù)處于跌價(jià)泥淖，不只臺(tái)系DRAM廠(chǎng)陸續(xù)轉(zhuǎn)型、退出，國(guó)際大廠(chǎng)也在尋求長(zhǎng)遠(yuǎn)生存之道，近日傳出爾必達(dá)(Elpida)、美光 (Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來(lái)可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點(diǎn)，因此也傳出爾必達(dá)對(duì)華亞科的股權(quán)有興趣，為此和美光、臺(tái)塑接洽;業(yè)界認(rèn)為DRAM產(chǎn)業(yè)未來(lái)在技術(shù)、資金等門(mén)檻越來(lái)越高下，若要有效對(duì)抗三星電子(Samsung Electronics)，美日結(jié)盟勢(shì)為必走之路。 　　
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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)整合之路迫在眉睫

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)走過(guò)2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠(chǎng)都把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做其它產(chǎn)品，如Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，PC DRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此集成的議題持續(xù)被討論;金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)不集成只有死路一條;某臺(tái)廠(chǎng) DRAM廠(chǎng)高層即表示，整并最恰當(dāng)?shù)姆绞绞?家母廠(chǎng)(美光、爾必達(dá))先自行整并，臺(tái)灣DRAM廠(chǎng)自然會(huì)集成。　
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Mobile RAM防線(xiàn)恐失守

  • 　　行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠(chǎng)最佳避風(fēng)港，然在各家存儲(chǔ)器大廠(chǎng)一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過(guò)于求警訊，日廠(chǎng)爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿(mǎn)的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠(chǎng)12寸廠(chǎng)產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM
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爾必達(dá)2Gbit LPDDR2產(chǎn)品使用HKMG技術(shù)

  • 　　日本爾必達(dá)公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術(shù)的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級(jí)別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術(shù)即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(shù)(縮寫(xiě)為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術(shù)的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能。　
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