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存儲(chǔ)器價(jià)格為何居高不下？

  • 存儲(chǔ)器價(jià)格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш狻?/li>
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

存儲(chǔ)器“漲”勢(shì)不停 中國(guó)有望填補(bǔ)產(chǎn)能缺口

  • 存儲(chǔ)器作為智能手機(jī)，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無(wú)貨可用的尷尬。
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服務(wù)器DRAM大熱賣、報(bào)價(jià)季季漲 南亞科宜鼎受惠

  • 　　今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺(tái)，英特爾Purley平臺(tái)已經(jīng)開(kāi)始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開(kāi)始放量出貨，而在云端運(yùn)算、人工智能的帶動(dòng)下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報(bào)價(jià)又調(diào)漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢(shì)無(wú)疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢(shì)下，專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會(huì)大受益。 　　DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開(kāi)出，業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長(zhǎng)，帶動(dòng)今年以來(lái)DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價(jià)今年上半年已大漲逾4成幅度
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全球半導(dǎo)體企業(yè)紛紛爭(zhēng)霸 中國(guó)成為“攪局者”

  • 　　在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)云變幻，傳統(tǒng)代表廠商相互競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。而中國(guó)正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購(gòu)拉開(kāi)了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)登上國(guó)際舞臺(tái)的序幕。然而現(xiàn)在來(lái)看，前途仍然充滿荊棘! 　　國(guó)內(nèi)掀起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購(gòu)熱 　　半導(dǎo)體作為世界性產(chǎn)業(yè)，體現(xiàn)著一個(gè)國(guó)家的綜合實(shí)力。在日本，半導(dǎo)體被稱為“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。 　　8月23日晚，中國(guó)紫光集團(tuán)斥資240億美元開(kāi)始興建國(guó)內(nèi)首座先進(jìn)存儲(chǔ)芯片廠，消息一經(jīng)傳出，引得國(guó)
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全球DRAM供應(yīng)量不足 HPE內(nèi)存價(jià)格暴漲

  • 　　據(jù)消息人士透露，HPE公司自今日起將其服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格提高了20%，由于目前正處于全球范圍內(nèi)DRAM供應(yīng)量短缺的恢復(fù)階段，因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高，從而導(dǎo)致了此番HPE服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格上漲。與此同時(shí)，各DRAM廠商亦迎來(lái)創(chuàng)紀(jì)錄的銷售額新高。 　　   　　在一封發(fā)送給貿(mào)易客戶的郵件中，HPE公司談到了涉及了這一定價(jià)變動(dòng)，并解釋稱：“8月21日星期一，HPE將老版本與低容量?jī)?nèi)存SKU的建議銷售價(jià)格提升10%至20%。” 　　以下內(nèi)存產(chǎn)品將受到影響：
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  • 　　隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來(lái)前景。 　　或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過(guò)，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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三星移動(dòng)DRAM逆勢(shì)調(diào)漲 SK海力士或可望受惠

  • 　　傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機(jī)業(yè)者，協(xié)商提高移動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)價(jià)格過(guò)程占了上風(fēng)，將有助于2017年下半的半導(dǎo)體事業(yè)獲利表現(xiàn)。三星電子這項(xiàng)舉動(dòng)，可望讓同為韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠的SK海力士(SK Hynix)跟著受惠。 　　韓媒Business Post引述業(yè)界看法，指出三星電子預(yù)計(jì)從2017年第4季起，針對(duì)大中華地區(qū)智能手機(jī)業(yè)者，祭出10~20%的移動(dòng)DRAM價(jià)格調(diào)漲策略，部分韓媒則是指出，三星電子這項(xiàng)舉動(dòng)僅針對(duì)部分中低價(jià)智能手機(jī)業(yè)者。 　　韓國(guó)業(yè)界
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紫光國(guó)芯又有動(dòng)作 下一代DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利

  • 　　8月21日晚，據(jù)紫光國(guó)芯發(fā)布的2017上半年財(cái)報(bào)顯示，公司上半年盈利1.23億元，同比下降17.86%。新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面，紫光國(guó)芯最新開(kāi)發(fā)完成的NAND Flash已經(jīng)開(kāi)始了市場(chǎng)推廣，下一代DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利。 　　作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)，紫光國(guó)芯表示，受公司持續(xù)加大可編程系統(tǒng)芯片、存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響，使得上半年凈利潤(rùn)下滑。 　　據(jù)了解，紫光國(guó)芯主營(yíng)業(yè)務(wù)為集成電路芯片設(shè)計(jì)與銷售，并致力于向用戶提供先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)品以及專業(yè)的芯片解決方案。產(chǎn)品主要包括智能卡芯片、特種集成
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圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)布局，紫光國(guó)芯下一代DRAM開(kāi)發(fā)順利

  • 　　今年以來(lái)，全球集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策引導(dǎo)、市場(chǎng)需求拉動(dòng)的雙重作用下，繼續(xù)保持了平穩(wěn)快速的發(fā)展。其中，頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國(guó)芯股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“紫光國(guó)芯”)以“自主創(chuàng)新”與“國(guó)際合作”相結(jié)合的發(fā)展路徑，圍繞芯片設(shè)計(jì)核心業(yè)務(wù)，同時(shí)開(kāi)拓了存儲(chǔ)器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應(yīng)用市場(chǎng)。 　　8月21日晚間，紫光國(guó)芯發(fā)布了2017上半年財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示，公司上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.01億元，同比增長(zhǎng)24.01%;歸
  • 關(guān)鍵字： 紫光國(guó)芯  DRAM  

DRAM持續(xù)火爆 再迎創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收總值

  • 雖然全球DRAM供應(yīng)短缺的問(wèn)題正得到逐步緩解，但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續(xù)迎來(lái)創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收總值。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  芯片  

臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣

  • 　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來(lái)勢(shì)必成為大陸首要爭(zhēng)取合作的對(duì)象。 　　大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢(shì)力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營(yíng)業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
  • 關(guān)鍵字： DRAM  聯(lián)電  

三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢(shì)最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長(zhǎng)約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。 　　集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問(wèn)題更嚴(yán)重。 　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

臺(tái)媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺(tái)灣

  • 　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，大陸積極發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術(shù)防線，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺(tái)廠扮演關(guān)鍵少數(shù)的重要性，業(yè)界分析臺(tái)廠未來(lái)勢(shì)必成為大陸首要爭(zhēng)取合作的對(duì)象。 　　大陸的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團(tuán)、合肥睿力及福建晉華等三大勢(shì)力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調(diào)查，緊盯三大廠竊取專利和營(yíng)業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 　　另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
  • 關(guān)鍵字： DRAM  SK海力士  

第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成，全球DRAM營(yíng)收季增16.9%

  • 　　集邦咨詢內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于客戶端已經(jīng)將庫(kù)存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成，行動(dòng)式內(nèi)存則因中國(guó)品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量，價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場(chǎng)面，受惠于平均銷售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn)，全球DRAM市場(chǎng)第二
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NOR  

并購(gòu)路不易走 中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)如何實(shí)現(xiàn)自主替代？

  • 在海外并購(gòu)道路障礙重重的情況下，我們通過(guò)培養(yǎng)積蓄人才來(lái)為中國(guó)創(chuàng)“芯”積攢力量，向2020年實(shí)現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標(biāo)前進(jìn)，是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實(shí)現(xiàn)自主替代的路徑。
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  
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