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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> npn(nmos)

接近開(kāi)關(guān)pnp與npn區(qū)別

  • 　　光電傳感器有NPN型輸出型(電流流入)和PNP輸出型(電流流出)兩種，當(dāng)電流流出的傳感器(PNP輸出型)在接通時(shí)， 電流是從電源經(jīng)傳感器的輸出端(output)流到負(fù)載(load)上，進(jìn)入負(fù)載, 然后流到接地端。 　　而電流流入(NPN輸出型)的傳感器接通時(shí)，電流是從電源經(jīng)負(fù)載流到傳感器的輸出端(output)，然后流到接地端(GND)，最后進(jìn)入系統(tǒng)的地(GND)。 　　PNP與NPN型傳感器一般有三條引出線，即電源線VCC、GND，OUT信號(hào)輸出線; 　　1、NPN類(lèi)NPN是指當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，
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可控硅(晶閘管)原理圖及可控硅工作原理分析

  • 　　可控硅(晶閘管)原理圖 　　可控硅T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成可控硅的主電路，可控硅的門(mén)極G和陰極K與控制可控硅的裝置連接，組成可控硅的控制電路。 　　從可控硅的內(nèi)部分析工作過(guò)程： 　　可控硅是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2 　　   　　當(dāng)可控硅承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使可控硅導(dǎo)銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集
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【E問(wèn)E答】用MOS管防止電源反接的原理？

  • 　　一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減。　　MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計(jì)?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過(guò)的電流為1A(這個(gè)電流已經(jīng)很大了)，在他上面的壓降只有6.5毫伏。　　由于MOS管越來(lái)越便宜，所以人們逐漸開(kāi)始使用MOS管防電源反接了。　　NMOS管防止電源反接電路：　　   &
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圖說(shuō)三極管的三個(gè)工作狀態(tài)

  • 　　大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開(kāi)三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng)，還是那句話只談應(yīng)用不談原理，希望通過(guò)下面的“圖解”讓初學(xué)者對(duì)三極管有一個(gè)形象的認(rèn)識(shí)?！　∪龢O管是一個(gè)以b(基極)電流Ib 來(lái)驅(qū)動(dòng)流過(guò)CE 的電流Ic 的器件，它的工作原理很像一個(gè)可控制的閥門(mén)?！　?nbsp;   　　圖1　　左邊細(xì)管子里藍(lán)色的小水流沖動(dòng)杠桿使大水管的閥門(mén)開(kāi)大，就可允許較大紅色的水流通過(guò)這
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關(guān)于NPN和PNP三極管的簡(jiǎn)單判斷

  • 　　對(duì)于NPN或者PNP這個(gè)東西在電路里面經(jīng)常遇到，本文提供一種簡(jiǎn)單的判斷方式?！　∈紫日J(rèn)識(shí)一下PNP或者NPN，其主要包括三極管和場(chǎng)效應(yīng)管　　此處不談放大啥的，只說(shuō)通短的判斷。　　    　　先說(shuō)三極管的通斷：　　三極管的通斷總結(jié)一點(diǎn)就是：集電極正向偏置，發(fā)射極反向偏置?！　≌f(shuō)的直白一點(diǎn)，簡(jiǎn)而言之：　　對(duì)于P型：c>b>e　　對(duì)于N型：e>b>c　　介紹一種電路的應(yīng)用：分離元器件實(shí)現(xiàn)RS232電平和TTL的電平轉(zhuǎn)換，如圖：　　  
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NPN傳感器PNP傳感器原理和分類(lèi)

  • 　　PNP與NPN型傳感器其實(shí)就是利用三極管的飽和和截止，輸出兩種狀態(tài)，屬于開(kāi)關(guān)型傳感器。但輸出信號(hào)是截然相反的，即高電平和低電平。PNP輸出是高電平1，NPN輸出的是低電平0?！　NP與NPN型傳感器(開(kāi)關(guān)型)分為六類(lèi)：　　1、NPN-NO(常開(kāi)型)nomal open　　2、NPN-NC(常閉型)nomal close　　3、NPN-NC+NO(常開(kāi)、常閉共有型)　　4、PNP-NO(常開(kāi)型)　　5、PNP-NC(常閉型)　　6、PNP-NC+NO(常開(kāi)、常閉共有型)　　PNP與NPN型傳感器一般有
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一個(gè)電路教會(huì)你設(shè)計(jì)NPN三極管放大電路

  • 　　現(xiàn)在踏足到消費(fèi)類(lèi)電子，為了保持超高的性價(jià)比，在日常設(shè)計(jì)中經(jīng)常用分離元器件。比如聲音功放，需要一個(gè)電壓和電流放大，兩個(gè)三極管幾個(gè)電阻電容完成。但是后端還需要DSP的處理了。別的不說(shuō)，現(xiàn)在就分析下三極管設(shè)計(jì)的前前后后。 　　我們常見(jiàn)的交流信號(hào)放大電路如圖所示： 　　首先要計(jì)算出靜態(tài)工作點(diǎn)： 　　對(duì)于交流信號(hào)，我們進(jìn)行如下分析：假如輸入電壓引變化 ，則射極電流變化 ，由于 ，那么集電極上變化的電壓為 　　由于C2為“隔直通交”的作用，在基極引入的直流電壓被過(guò)濾掉，
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npn和pnp的區(qū)別

  • 　　導(dǎo)讀：據(jù)我所知，大多數(shù)人在應(yīng)用PNP與NPN的時(shí)候，都以為這兩個(gè)是相同的類(lèi)型。其實(shí)，PNP與NPN的區(qū)別是有很多的，但是區(qū)別到底有哪些呢?接下來(lái)就隨小編一起學(xué)習(xí)一下吧~~~ 1.npn和pnp的區(qū)別--簡(jiǎn)介 　　晶體三極管是由形成二個(gè)PN結(jié)的三部分半導(dǎo)體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。pnp型三極管，是由2塊P型半導(dǎo)體中間夾著1塊N型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱(chēng)為PNP型三極管。npn型三極管，是由2塊n型半導(dǎo)體中間夾著1塊p型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱(chēng)為npn型三極管。我國(guó)生產(chǎn)的鍺三極管多為P
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MOS管工作原理，就是這么簡(jiǎn)單

  • 1. MOS管工作原理--MOS管簡(jiǎn)介 　　MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。 2. MOS管工作原理--Mos管的
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Diodes低壓升壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器有效提升效率

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出低壓1MHz升壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器PAM2401，旨在滿足備用電池、無(wú)線電話及全球定位系統(tǒng)接收器等便攜式產(chǎn)品對(duì)效率愈見(jiàn)嚴(yán)格的要求。這款同步轉(zhuǎn)換器可維持高達(dá)95%的工作效率，提供真正的輸出斷接功能以防漏電，并確保產(chǎn)品在低至1V的輸入電壓下安全啟動(dòng)。 　　PAM2401為0.9V到4.75V較低的工作電壓輸入范圍提供1.0A到3.0A的可編程電流限制。為了盡量延長(zhǎng)電池壽命，該器件在驅(qū)動(dòng)輕載時(shí)自動(dòng)設(shè)定為高效率的脈沖跳躍模式。器件在關(guān)閉狀態(tài)下
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設(shè)計(jì)超低功耗的嵌入式應(yīng)用：簡(jiǎn)化電源域

  • 　　不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見(jiàn)本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡(jiǎn)單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng)，設(shè)計(jì)復(fù)雜性進(jìn)一步提高。 　　 ? 　　圖3：手表的高層次方框圖 　　一個(gè)符合邏輯的辦法是將整個(gè)系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng)，并分析各個(gè)子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡(jiǎn)化電源域的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)低功耗功能。 　　顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動(dòng)和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計(jì)都針對(duì)顯示屏采用基于定時(shí)器的超時(shí)斷電模式。一般說(shuō)來(lái)，在固定時(shí)間T1后，背光會(huì)降
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一款四象限 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的實(shí)現(xiàn)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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德州儀器 (TI)推出首款 7 通道 NMOS低側(cè)驅(qū)動(dòng)器 可取代高電壓系統(tǒng)中的達(dá)林頓晶體管陣列

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款 7 通道 NMOS 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，該款驅(qū)動(dòng)器使用插槽兼容型低功耗集成電路 (IC) 取代標(biāo)準(zhǔn)達(dá)林頓晶體管陣列。此款 TPL7407L 可將此前驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電流所需晶體管陣列減少一半，依舊可驅(qū)動(dòng)同級(jí)別的負(fù)載電流，這為從前需要大量晶體管陣列或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高電壓系統(tǒng)提供了一個(gè)新的選擇。這款最新驅(qū)動(dòng)器不僅可將功耗降低 40%，而且還可高效驅(qū)動(dòng)高電壓應(yīng)用中的 LED 矩陣、繼電器或步進(jìn)電機(jī)，適用于大型家用電器、樓宇自動(dòng)化、照明以及 HVAC 等。如欲了解更多詳情或訂購(gòu)樣片
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便攜式多媒體處理器供電問(wèn)題的解決方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

  • 前面我說(shuō)過(guò)，要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇，以及各自的利弊吧。
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