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美光科技斥資12.7億美元收購(gòu)恒億半導(dǎo)體

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)最大的電腦存儲(chǔ)芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布，將斥資12.7億美元收購(gòu)閃存芯片制造商恒憶半導(dǎo)體(Numonyx Holdings BV)，借此增強(qiáng)其閃存芯片業(yè)務(wù)。 　　收購(gòu)恒億 　　美光科技科技在聲明中表示，將向恒憶半導(dǎo)體的投資者——英特爾、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以及私募股權(quán)公司Francisco Partners——定向增發(fā)1.4億股股票。除此之外，美光科技還會(huì)向恒憶
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創(chuàng)造消費(fèi)價(jià)值是關(guān)鍵

  • 　　32位MCU強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng) 　　從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場(chǎng)情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長(zhǎng)曲線看，32位微控制器在過(guò)去5年增長(zhǎng)了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長(zhǎng)。從銷售額來(lái)看，在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過(guò)8位，到10月底時(shí)，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來(lái)說(shuō)，32位下降較少，NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，這
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為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

  • 　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。 　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
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張汝京下課 中芯大漲

  • 　　為中芯解開(kāi)多年無(wú)法突破的經(jīng)營(yíng)困境，而與臺(tái)積電未來(lái)如能合作，將會(huì)是個(gè)雙贏的局面。張汝京的下臺(tái)，為臺(tái)積電、中芯國(guó)際都找到下一個(gè)春天。 　　11月11日，臺(tái)灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞：中芯國(guó)際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長(zhǎng)張汝京宣布辭職;董事會(huì)即刻宣布由王寧國(guó)接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 　　中芯將分5年賠償臺(tái)積電2億美元，并且無(wú)償授予臺(tái)積電8%的中芯股權(quán)，且臺(tái)積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購(gòu)2%的中芯股權(quán)。 　　這件事情所以在臺(tái)灣
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消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期市場(chǎng)傳出中芯國(guó)際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺(tái)。 　　臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國(guó)際CEO王寧國(guó)見(jiàn)面，但王寧國(guó)未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來(lái)成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 　　據(jù)報(bào)道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
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NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯，NOR成明日黃花

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí)，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢(shì)越明顯，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場(chǎng)變化迅速，現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年，NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)“長(zhǎng)壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
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手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)愈加明顯，NOR風(fēng)光不再

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)"長(zhǎng)壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
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STM32-FSMC機(jī)制的NOR Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)

  • 引 言
    STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專門(mén)設(shè)計(jì)的，具有突出的能效比和處理速度。通過(guò)采用Thumb－2高密度指令集，Cor
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傳Spansion將出售日本300mm工廠

  • 　　據(jù)來(lái)自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。 　　Spansion高層拒絕對(duì)這座名為SP1工廠的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn)，目前正在對(duì)可能的重組方案進(jìn)行評(píng)估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作，并通過(guò)我們內(nèi)部和外部的資源，對(duì)客戶的要求進(jìn)行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。 　　2007年，Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
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年內(nèi)必有存儲(chǔ)廠商倒閉 Spansion進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整

  • 　　“2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì)，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來(lái)了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。 　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門(mén)出品閃存的企業(yè)。 　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)

  • 　　全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會(huì)了外高橋保稅區(qū)管委會(huì)主任助理、功能區(qū)域黨工委副書(shū)記、管委會(huì)副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證了這一重要?dú)v史時(shí)刻。 　　恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門(mén)組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
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恒憶與三星合作的生意經(jīng)

  • 　　2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，兩大存儲(chǔ)器廠商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒(méi)有永遠(yuǎn)的對(duì)手”。 　　韓國(guó)三星電子稱霸存儲(chǔ)器行業(yè)已有多時(shí)，其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(zhǎng)期無(wú)可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲(chǔ)器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過(guò)一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM，并利
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恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM

  • 　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。 　　相較于
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三星電子和Numonyx將聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代記憶體PCM

  • 　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開(kāi)發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級(jí)聽(tīng)筒、移動(dòng)電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫(xiě)速度非常快，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。   　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  NOR  PCM  相變化記憶體  

瞄準(zhǔn)亞洲存儲(chǔ)增長(zhǎng)商機(jī) 恒憶積極開(kāi)拓經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)

  • 　　全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強(qiáng)、世平、文曄、東棉、金龍等授權(quán)經(jīng)銷商合作，在中國(guó)大陸地區(qū)銷售恒憶產(chǎn)品，并提供支持服務(wù)。通過(guò)這個(gè)穩(wěn)固的經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)，恒憶在亞洲區(qū)的產(chǎn)品與技術(shù)布局將更加完整，足以滿足亞洲快速增長(zhǎng)的嵌入式與無(wú)線市場(chǎng)需求，尤其是在數(shù)字消費(fèi)電子、通信和手持裝置等領(lǐng)域。 　　亞洲市場(chǎng)規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿?，在恒憶的全球布局中始終占有關(guān)鍵性地位，中國(guó)大陸及臺(tái)灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長(zhǎng)最快、爆發(fā)力最強(qiáng)的市場(chǎng)。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示，2
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nor介紹

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？? [ 查看詳細(xì) ]

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