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ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

  • 　　ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品?；诘谒拇嚯娖絾卧?MLC)技術(shù)，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現(xiàn)有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶升級現(xiàn)有系統(tǒng)提供了一條捷徑，同時還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。 　　為滿足移動應(yīng)用市場對高分辨相機(jī)、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達(dá)到133MHz，編程速度達(dá)到1.0-MB/s，支持深關(guān)斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、L
  • 關(guān)鍵字： 65nm  NOR閃存  ST  單片機(jī)  多電平單元  裸片最小的1-Gbit和512-Mbit  嵌入式系統(tǒng)  
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nor閃存介紹

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。 由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是 [ 查看詳細(xì) ]

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