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用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性

  • 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達(dá)晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠(yuǎn)高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
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NMOS和PMOS詳解

  • 一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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用MOS管防止電源反接的原理？

  • 一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用
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34063+NPN(NMOS)實現(xiàn)擴(kuò)流的車充方案電路原理圖

  • 34063+NPN(NMOS)實現(xiàn)擴(kuò)流的車充方案電路原理圖優(yōu)點：在[1]方案的基礎(chǔ)上擴(kuò)流來滿足不斷增長的充電電流能力的需求；缺點：同樣存在[1]方案中類似的不足...
  • 關(guān)鍵字： NPN(NMOS)  車充方案  電路原理  

【E問E答】用MOS管防止電源反接的原理？

  • 　　一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減?！　OS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計。現(xiàn)在的MOS管可以做到幾個毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過的電流為1A(這個電流已經(jīng)很大了)，在他上面的壓降只有6.5毫伏。　　由于MOS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。　　NMOS管防止電源反接電路：　　   &
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圖說三極管的三個工作狀態(tài)

  • 　　大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動，還是那句話只談應(yīng)用不談原理，希望通過下面的“圖解”讓初學(xué)者對三極管有一個形象的認(rèn)識?！　∪龢O管是一個以b(基極)電流Ib 來驅(qū)動流過CE 的電流Ic 的器件，它的工作原理很像一個可控制的閥門?！　?nbsp;   　　圖1　　左邊細(xì)管子里藍(lán)色的小水流沖動杠桿使大水管的閥門開大，就可允許較大紅色的水流通過這
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MOS管工作原理，就是這么簡單

  • 1. MOS管工作原理--MOS管簡介 　　MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 2. MOS管工作原理--Mos管的
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Diodes低壓升壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器有效提升效率

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出低壓1MHz升壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器PAM2401，旨在滿足備用電池、無線電話及全球定位系統(tǒng)接收器等便攜式產(chǎn)品對效率愈見嚴(yán)格的要求。這款同步轉(zhuǎn)換器可維持高達(dá)95%的工作效率，提供真正的輸出斷接功能以防漏電，并確保產(chǎn)品在低至1V的輸入電壓下安全啟動。 　　PAM2401為0.9V到4.75V較低的工作電壓輸入范圍提供1.0A到3.0A的可編程電流限制。為了盡量延長電池壽命，該器件在驅(qū)動輕載時自動設(shè)定為高效率的脈沖跳躍模式。器件在關(guān)閉狀態(tài)下
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設(shè)計超低功耗的嵌入式應(yīng)用：簡化電源域

  • 　　不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng)，設(shè)計復(fù)雜性進(jìn)一步提高。 　　 ? 　　圖3：手表的高層次方框圖 　　一個符合邏輯的辦法是將整個系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng)，并分析各個子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡化電源域的設(shè)計，從而實現(xiàn)低功耗功能。 　　顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計都針對顯示屏采用基于定時器的超時斷電模式。一般說來，在固定時間T1后，背光會降
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一款四象限 DC/DC 開關(guān)穩(wěn)壓器的實現(xiàn)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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德州儀器 (TI)推出首款 7 通道 NMOS低側(cè)驅(qū)動器 可取代高電壓系統(tǒng)中的達(dá)林頓晶體管陣列

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款 7 通道 NMOS 低側(cè)驅(qū)動器，該款驅(qū)動器使用插槽兼容型低功耗集成電路 (IC) 取代標(biāo)準(zhǔn)達(dá)林頓晶體管陣列。此款 TPL7407L 可將此前驅(qū)動大負(fù)載電流所需晶體管陣列減少一半，依舊可驅(qū)動同級別的負(fù)載電流，這為從前需要大量晶體管陣列或電機(jī)驅(qū)動器的高電壓系統(tǒng)提供了一個新的選擇。這款最新驅(qū)動器不僅可將功耗降低 40%，而且還可高效驅(qū)動高電壓應(yīng)用中的 LED 矩陣、繼電器或步進(jìn)電機(jī)，適用于大型家用電器、樓宇自動化、照明以及 HVAC 等。如欲了解更多詳情或訂購樣片
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  NMOS  達(dá)林頓晶體管  

便攜式多媒體處理器供電問題的解決方案

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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

  • 前面我說過，要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇，以及各自的利弊吧。
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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-2

  • 在上一個帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設(shè)計。
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正確使用MOS集成電路的注意事項

  • 所有MOS集成電路（包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路）都有一層絕緣柵，以防止電壓...
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nmos介紹

nmos簡介 　　英文全稱為：N-Mental-Oxide-Senmiconductor。 　　Metal-Oxide-SemIConductor的意思為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為MOS晶體管。 　　有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由 [ 查看詳細(xì) ]

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