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一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%

  • 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
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閃存芯片將掀起新一輪漲價潮

  • 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過去幾年，隨著整個半導體市場的變化，NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導致當年的價格進入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后，NOR Flash 價格在 2
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NAND Flash和NOR Flash的異同

  • NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進行擦寫和再編程。· 兩者在寫之前都要先
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預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應商產(chǎn)能利用率提早拉升
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SSD 正迎來量價齊升

  • 2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲行情終在四季度發(fā)生逆轉(zhuǎn)，尤其以 Flash Wafer 為代表的產(chǎn)品在 9 月、10 月、11 月的價格連續(xù)上漲，站在目前的時間節(jié)點，雖然從需求端看完全改善還需時日，但在各大原廠積極減產(chǎn)的作用下，供應已經(jīng)大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場數(shù)據(jù)，自 10 月份以來，現(xiàn)貨市場 NAND Flash 價格指數(shù)漲幅已達 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價的第一槍。NAND 大漲價！近日，全球第四大 NAND Flash 供應商西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信。在信中
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
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日本東芝正式退市

  • 據(jù)日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
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明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？

  • 今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經(jīng)觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術(shù)情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

  • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代

  • IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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越便宜越?jīng)]人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

  • 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產(chǎn)，導致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
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一文看懂TSV技術(shù)

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛尽Ｔ?000年的第一個月，Santa Clara Universi
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務數(shù)
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兆易創(chuàng)新車規(guī)閃存產(chǎn)品成功應用于懸架控制器，在奇瑞多款車型實現(xiàn)量產(chǎn)

  • 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動懸架控制器（CDC）出貨量已超數(shù)萬臺，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產(chǎn)。在汽車底盤懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場景中穩(wěn)定運行，標志著兆易創(chuàng)新車規(guī)級SPI NOR Flash的可靠性得到進一步驗證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統(tǒng)被動式、半主動式和主動式三類，而主動式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車輛的運動狀態(tài)和路面情況自適應調(diào)節(jié)減振器阻尼力，使其更好地適用于當前路段，懸架
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