nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲器工業(yè)控制

JTAG口及其對F1aSh的在線編程

本文介紹一種通過JTAG對Flash進(jìn)行的在線編程方法。
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適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越多地在控制類、消費類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號處理與人機交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲與管理是不容回避的問題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數(shù)據(jù)非易失、無機械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲管理增
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Flash 編程器的FPGA實現(xiàn)

1 引言閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器（ROM）使用。現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲器件的首選。由于在研制實時信號處理系統(tǒng)時，需要一塊大容量的Flash來存儲坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
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外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計

本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗證，并且整個過程操作起來非常方便快捷。
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計與實現(xiàn)

1 引言 FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點FLASH是一種非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
關(guān)鍵字： FLASH 單片機嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)存儲存儲器

分頁燒寫Flash的多頁程序并行自舉方法

以TMS320VC5410為例，介紹對Am29LV200B Flash存儲器進(jìn)行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
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Micron35億美金押寶NAND閃存

美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計算機產(chǎn)品、消費電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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SanDisk擬降NAND價格將再引業(yè)界地震

據(jù)臺灣SanDisk公司內(nèi)部人士透露，公司將在本周將其NAND閃存的價格降低10％到15％。　　知情人士稱，SanDisk公司此次對其NAND閃存制成品的價格調(diào)整將在全球范圍內(nèi)同時展開，而不是針對某一地區(qū)市場進(jìn)行。這將是SanDisk公司在今年進(jìn)行的第四次產(chǎn)品降價，業(yè)內(nèi)觀察員指出，每次SanDisk公司對產(chǎn)品價格進(jìn)行調(diào)整都會對整個業(yè)界的價格體系造成一定影響。　　業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，Sandisk公司即將進(jìn)行的產(chǎn)品價格調(diào)整可能會在業(yè)內(nèi)
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大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

為配合某電力測量儀表的開發(fā)，對Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進(jìn)行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動串行模式下完成對XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點。
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ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄

單片多級單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強大的5位糾錯機制降低下傳時間50% 意法半導(dǎo)體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細(xì)節(jié)，ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)36MB/s, 比今天市場上的最好成績還高大約50%。新芯片內(nèi)嵌一個功能強大的糾錯處理器，每頁可以改正最多五個錯誤，為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證，同時還簡化了存儲系統(tǒng)的設(shè)計，在舊金山國際固態(tài)電路大會(ISSCC) 上，意法半導(dǎo)體和韓國現(xiàn)代海力士（Hynix）的研究人員
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蘋果iPod降價舉動波及亞洲NAND制造商

　受蘋果電腦公司調(diào)降其數(shù)字音樂播放器價格影響，三星電子和其它亞洲存儲芯片制造商的股票價格出現(xiàn)不同程度的下滑。　　很明顯，蘋果的降價舉動引發(fā)人們擔(dān)心字音樂播放器里應(yīng)用的芯片價格可能會大幅下降。　　在其數(shù)字音樂播放器里采用NAND芯片的蘋果公司周二調(diào)降了其最廉價機型iPod Shuffle的價格，并推出了中端iPod Nano的一個容量較小的版本。　　據(jù)分析家稱，受淡季需求降低影響，NAND芯片價格最近急劇回落，蘋果的舉動反應(yīng)了這一趨勢，同時也加劇了投資者對芯片制造商的
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三星與索尼就長期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實，正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)。” 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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NAND新應(yīng)用層出不窮價格不斷降低

隨著NAND閃存成本每年下跌40%，對NAND的新應(yīng)用尤其是計算領(lǐng)域的應(yīng)用層出不窮。今年晚些時候，將有帶閃存的硬盤與微軟的新操作系統(tǒng)Vista同時出售。 “理論上，硬盤不必一直運行，”三星（歐洲）公司高級存儲器部門經(jīng)理
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DDR2價格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚

根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價格不愿放貨，導(dǎo)致帶動UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存，使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]