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nand flash 文章 最新資訊

Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用

  • 1. E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
    E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內(nèi)核,但將微處理器的內(nèi)核,ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體,構(gòu)成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn)
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FSI國(guó)際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

  •   美國(guó)明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估??蛻?hù)
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FSI國(guó)際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

  •   全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶(hù)對(duì)制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
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業(yè)界稱(chēng)Windows 7將推動(dòng)NAND閃存芯片需求

  • 3月21日消息,內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)Windows 7的將推動(dòng)NAND閃存芯片的需求,因?yàn)檫@種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行了優(yōu)化。在當(dāng)前的市場(chǎng)不確定的情況下,優(yōu)化固態(tài)硬盤(pán)以便適應(yīng)Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)廠商和筆記本電腦廠商的重點(diǎn)。
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NAND多空未明 市場(chǎng)仍在觀望

  •         集邦科技(DRAMeXchange)表示,2月下旬NAND Flash(閃存)合約價(jià)格呈現(xiàn)上揚(yáng),現(xiàn)貨價(jià)格方面卻已經(jīng)開(kāi)始下跌;然而,目前現(xiàn)貨市場(chǎng)仍處于多空未明狀態(tài),觀望氣氛濃厚,買(mǎi)家不敢貿(mào)然搶進(jìn)。         集邦表示,2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)約上漲8%到36%,SLC合約價(jià)則維持平盤(pán),價(jià)格上漲的主要原因是今年首季國(guó)際大
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DRAMeXchange:2009年NAND flash產(chǎn)能預(yù)計(jì)將減小59%

  •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道,市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。         2009年NAND flash位增長(zhǎng)幅度將較2008大64%,而2007年位增長(zhǎng)率高達(dá)133%。如果需求在下半年恢復(fù)且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出增長(zhǎng),那供應(yīng)過(guò)剩的局面可能得到改善,NAN
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%

  •    市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化,2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬(wàn)美元,2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元,年?duì)I收下跌14.6%,2008年平均銷(xiāo)售價(jià)格較2007年下跌63%。   Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬(wàn)美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
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Adobe與蘋(píng)果聯(lián)手開(kāi)發(fā)iPhone版Flash軟件

  •   日前,Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)在出席達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇時(shí)表示,將與蘋(píng)果合作研發(fā)iPhone手機(jī)的Flash軟件。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,納拉延認(rèn)為與蘋(píng)果的合作是一項(xiàng)高難度的技術(shù)挑戰(zhàn),這需要雙方的協(xié)作。納拉延對(duì)目前雙方所取得的工作進(jìn)展表示非常滿意。   去年3月份,蘋(píng)果創(chuàng)始人史蒂夫·喬布斯(Steve Jobs)曾表示,因?yàn)殡娔X版Flash軟件占用資源過(guò)大,iPhone的處理器和內(nèi)存無(wú)法適應(yīng)。而
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嵌入式操作系統(tǒng)自更新機(jī)制的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

2008年存儲(chǔ)市場(chǎng)忽上忽下,令人難忘

  •   2008年對(duì)于全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要階段,發(fā)生了幾件改變市場(chǎng)的大事: ? 一種高清DVD格式落敗,而另一種格式則成為產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 ? 固態(tài)存儲(chǔ)作為硬盤(pán)的替代品,地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟(jì)滑坡破壞了整體科技產(chǎn)業(yè)的前景 HD-DVD之死   一年以前,緊接著2008年1月的國(guó)際消費(fèi)電子展會(huì)(CES),華納兄弟作出了令業(yè)內(nèi)震驚的聲明,表示將放棄原來(lái)以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內(nèi)容的計(jì)劃,轉(zhuǎn)而完全采用藍(lán)光標(biāo)準(zhǔn)。   HD DVD陣營(yíng)為此遭到當(dāng)頭一棒,領(lǐng)頭者東芝也不再支持該格
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基于JTAG的DSP外部FLASH在線編程與引導(dǎo)技術(shù)

  • 在以DSP為核心的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中,通常將可執(zhí)行代碼存放在非易失性存儲(chǔ)器,在系統(tǒng)加電或復(fù)位時(shí)通過(guò)DSP的引導(dǎo)...
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解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

系統(tǒng)斷電時(shí)FPGA數(shù)據(jù)保護(hù)方法

  • 從消費(fèi)電子設(shè)備到工業(yè)控制設(shè)備,越來(lái)越多的系統(tǒng)都在使用FPGA。這些應(yīng)用通常需要設(shè)備在斷電時(shí)存儲(chǔ)一些數(shù)據(jù),比如...
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受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)

  •   12月25日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐,終止先前下跌趨勢(shì),至少都以平盤(pán)以上開(kāi)出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng),將有助創(chuàng)見(jiàn)、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫(kù)存跌價(jià)損失壓力。   業(yè)者指出,這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn),主要是反應(yīng)日本東芝與韓國(guó)海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對(duì)力保價(jià)格不跌有了堅(jiān)定共識(shí),也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢(shì)已逐步確立。   根據(jù)集邦科技昨日最新報(bào)價(jià),NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤(pán)以上開(kāi)出,其中以16Gb主流規(guī)格
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東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量

  •   東芝宣布,削減30%的閃存芯片產(chǎn)量,以應(yīng)對(duì)需求降低,庫(kù)存增加的考驗(yàn)。   東芝還說(shuō),位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天,以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。   東芝在一份聲明中說(shuō):“全球經(jīng)濟(jì)不景氣以及消費(fèi)低迷正在對(duì)半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴(yán)重沖擊。尤其是NAND閃存芯片,由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過(guò)剩,其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形,決   定降低四日市工廠的產(chǎn)量。”   東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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nand flash介紹

 Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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