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新式儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)能加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛嗎？

  • 　　MRAM新創(chuàng)公司STT開(kāi)發(fā)出一種存儲(chǔ)器專(zhuān)有技術(shù)，據(jù)稱(chēng)可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎?　　磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開(kāi)發(fā)出MRAM專(zhuān)用技術(shù)，據(jù)稱(chēng)能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
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如何給汽車(chē)系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲(chǔ)器

  • 　　汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。　　目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)，MRAM
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基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究

  • 　　摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)1，以棋盤(pán)格方式進(jìn)行全空間讀寫(xiě)測(cè)試。另外，針對(duì)MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如T
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全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

  • 　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 　　據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開(kāi)始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫(xiě)緩存(WriteCa
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迎接嵌入式存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

  • 　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 　　據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開(kāi)始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫(xiě)緩存(Write
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  MRAM  

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  • 　　隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman在日前受訪(fǎng)時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來(lái)前景。 　　或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過(guò)，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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DIGITIMES：MRAM的進(jìn)展與研發(fā)方向

  • 　　MRAM是新興的存儲(chǔ)器，為晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲(chǔ)器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線(xiàn)路為主的晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。 　　MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場(chǎng)良性競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。MRAM相關(guān)制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設(shè)備，最近新機(jī)型的濺鍍?cè)O(shè)備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
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臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM

  • 　　晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬(wàn)倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。 　　臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成日前在臺(tái)積電技術(shù)論壇，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺(tái)積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)和智能汽車(chē)等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。
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新一代STT-MRAM容量達(dá)Gb水準(zhǔn)

  • 　　被視為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲(chǔ)器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國(guó)際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開(kāi)了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過(guò)1Gb的產(chǎn)品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實(shí)證。 　　MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器科技中出現(xiàn)較早的一種，其記憶單元以磁隧結(jié)(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問(wèn)世

  • 　　在今年即將于美國(guó)加州舉行的國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)上，來(lái)自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 　　此外，三星的研發(fā)團(tuán)隊(duì)以及旗下LSI業(yè)務(wù)部門(mén)顯然也將再次發(fā)表其致力于開(kāi)發(fā)MEMS的最新成果。 　　三星將分別透過(guò)口頭簡(jiǎn)報(bào)以及海報(bào)展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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MRAM大勢(shì)將至　產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計(jì)劃推動(dòng)

  • 　　臺(tái)灣磁性技術(shù)協(xié)會(huì)邀請(qǐng)產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專(zhuān)題論壇，針對(duì)該主題介紹市場(chǎng)與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項(xiàng)技術(shù)的看法，對(duì)于磁性存儲(chǔ)器(MRAM)的市場(chǎng)前景樂(lè)觀，并認(rèn)為臺(tái)灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動(dòng)的必要性。 　　在市場(chǎng)發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存市場(chǎng)會(huì)由非揮發(fā)性存儲(chǔ)器所主宰，在低耗電市場(chǎng)上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲(chǔ)器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運(yùn)算市場(chǎng)上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲(chǔ)器以及
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從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元

  • 磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，正在作為一種主流的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)被業(yè)界所廣泛接受。它集成了一個(gè)磁阻器件和一個(gè)硅基選擇矩陣。MRAM的關(guān)鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無(wú)限次讀寫(xiě)的耐用性、快速
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STT-MRAM存儲(chǔ)技術(shù)詳解

  • 存儲(chǔ)器是當(dāng)今每一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、存儲(chǔ)方案和移動(dòng)設(shè)備都使用的關(guān)鍵部件之一。存儲(chǔ)器的性能、可擴(kuò)展性，可靠性和成本是決定推向市場(chǎng)的每個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)上成功或失敗的主要標(biāo)準(zhǔn)。目前，幾乎所有產(chǎn)品都使用一種或組合使用
  • 關(guān)鍵字： MRAM    存儲(chǔ)器  

MRAM的黃金時(shí)代即將來(lái)臨？

  • 　　MRAM市場(chǎng)可能會(huì)在明年開(kāi)始變得越來(lái)越“擁擠”──開(kāi)發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國(guó)業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標(biāo)是在明年第一季開(kāi)始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。 　　STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hobe
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三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開(kāi)MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 　　韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲(chǔ)器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫(xiě)入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過(guò)少量電力就可以驅(qū)動(dòng)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不使用時(shí)也完全不需要電力。
  • 關(guān)鍵字： 三星  MRAM  
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