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全球12吋晶圓產(chǎn)線續(xù)增 18吋晶圓之路漸行漸遠(yuǎn)
- 由于12吋晶圓持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用至非存儲(chǔ)器領(lǐng)域,使得全球12吋晶圓生產(chǎn)線持續(xù)增加,2015年已超過90條產(chǎn)線,較5年前增加約20條產(chǎn)線,且預(yù)計(jì)未來4年將再增加近20條產(chǎn)線,相較之下,18吋晶圓商用化時(shí)程則會(huì)再往后延緩,業(yè)界預(yù)期2020年之前將不會(huì)有采用18吋晶圓進(jìn)行大量生產(chǎn)的產(chǎn)線。 12吋晶圓除應(yīng)用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片,亦持續(xù)擴(kuò)大使用在非存儲(chǔ)器產(chǎn)品,包括電源管理芯片、影像感測(cè)器等,甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等,且為因應(yīng)市場需求,將芯片產(chǎn)量最大化,半導(dǎo)體廠在1
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三星DRAM報(bào)價(jià)下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營收不樂觀
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià),調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期,DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺(tái)積電前天無預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè),市場消息傳出,全球DRAM市占率達(dá)四成的三星,將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價(jià)格持續(xù)走低,市場需
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DRAM報(bào)價(jià) 傳出三星調(diào)降20%
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià),調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期,國內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺(tái)積電前天無預(yù)警下修第四季財(cái)測(cè),市場消息傳出,全球DRAM市占率達(dá)四成的三星,將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價(jià)格持續(xù)走低,市
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲(chǔ)器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中,充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成,由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu),所以可以單元讀/寫。技術(shù)上,F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
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18吋晶圓技術(shù)成本過高 12吋將續(xù)為業(yè)者主力
- 雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓,但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片,因此經(jīng)驗(yàn)顯示,就每單位芯片成本而言,大尺寸晶圓技術(shù)至少會(huì)比小尺寸晶圓降低20%。 然而在實(shí)務(wù)上,要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù),業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費(fèi)。因此在資金和技術(shù)的障礙下,各業(yè)者往往會(huì)采用將現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行效率最大化的方式進(jìn)行生產(chǎn),而不是對(duì)新開發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行投資。 以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例,就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
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大陸景氣低迷 韓國存儲(chǔ)器廠前景恐難卜
- 雖然大陸景氣疲軟,2015年韓國存儲(chǔ)器廠的業(yè)績展望相對(duì)明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減,2016年移動(dòng)DRAM價(jià)格可能下滑,2016年前景反而不透明。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo),全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會(huì)與當(dāng)初預(yù)期相近,或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮,但對(duì)下半年暫時(shí)不會(huì)有太大影響。 三星下半年IT及移動(dòng)裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑,但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲(chǔ)器和系統(tǒng)晶
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布,規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元),在南韓興建兩座新廠,預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào),市場憂心,SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn),長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出,投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資,因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩,或引爆價(jià)格戰(zhàn),這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響,南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
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研調(diào):DRAM價(jià)未來幾季續(xù)跌
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,DRAM市場第2季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響,雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長,總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退,來到114億美金。在淡季影響下,各DRAM廠營收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì),然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn),毛利并未大幅縮減,三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%,因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來的幾個(gè)季度。在需求端如筆電與智慧型手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱,但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升,該機(jī)構(gòu)
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第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退

- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響,雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加,總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退,來到114億美元。 在淡季影響下,各DRAM廠第二季營收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì),然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn),毛利并未大幅縮減,三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%,因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型
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這是在鬧哪樣?徹底取消合約機(jī) 還要收取聯(lián)網(wǎng)費(fèi)

- 美國最大的移動(dòng)運(yùn)營商Verizon周五宣布,對(duì)于新入網(wǎng)用戶,將停止提供帶補(bǔ)貼的合約機(jī),不再要求用戶簽訂兩年的使用合約。在此之前美國第四大移動(dòng)運(yùn)營商T-Mobile已經(jīng)取消了合約機(jī)。或許,Verizon徹底取消合約機(jī)的做法將在整個(gè)美國移動(dòng)通信行業(yè)引起連鎖反應(yīng)。 Verizon認(rèn)為,通過取消合約而專注于不同的數(shù)據(jù)流量套餐,將簡化用戶的選擇。Verizon的新套餐將于8月13日上線,其中包括4種選擇,分別為30美元包1GB流量、45美元包3GB流量、60美元包6GB流量,以及80美元包12GB流量。這
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三星降低DRAM產(chǎn)量 為滿足蘋果新iPhone的內(nèi)存需求

- 猶如國內(nèi)股市,今年內(nèi)存持續(xù)降價(jià),已經(jīng)降回多年前的低位。但現(xiàn)在壞消息來了,世界上最大的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商三星宣布將降低DRAM顆粒的生產(chǎn)量,下個(gè)月可能會(huì)引起內(nèi)存的價(jià)格反彈。 據(jù)臺(tái)媒CTIMES News報(bào)道,三星將降低30%的普通DRAM顆粒產(chǎn)量,以騰出生產(chǎn)線用于生產(chǎn)手機(jī)用的LPDDR內(nèi)存顆粒,預(yù)計(jì)在8月到9月,普通內(nèi)存的價(jià)格將會(huì)提高。 傳聞蘋果的新一代iPhone將搭載2GB LPDDR4內(nèi)存,這意味著蘋果需要采購比去年更多的內(nèi)存顆粒,而現(xiàn)有的供應(yīng)商海力士和鎂光無法
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào):DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫,在需求端拉貨力道不振下,即便原廠力守價(jià)格,代理商對(duì)市場信心依然持續(xù)減弱,并出現(xiàn)降價(jià)求售,使整體市場價(jià)格出現(xiàn)明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示,由于PC端需求依舊疲軟,標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張,也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊,DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯,7月底 8GB/16GB均價(jià)來到64與116美元,月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星輝煌已成過去 為保留市場份額苦苦爭斗
- 憑借著Galaxy系列智能手機(jī)在市場中的巨大成功,三星電子過去四年通過與蘋果爭奪高端智能手機(jī)市場收獲了數(shù)十億美元。不過這家韓國科技巨頭的前景并不樂觀,因?yàn)闉榱嗽谥械投耸袌龅钟鶃碜孕∶?、華為等中國智能手機(jī)制造商發(fā)起的沖擊,該公司已被迫下調(diào)產(chǎn)品價(jià)格,并接受降低手機(jī)部門利潤率的現(xiàn)實(shí)。 三星電子當(dāng)前所面臨的現(xiàn)實(shí),是這家公司無法擺脫與低成本競爭對(duì)手共同采用Android操作系統(tǒng)的窘境,而后者已能夠自主開發(fā)出功能更多的智能手機(jī)。Stratechery.com分析師本·湯普森(Ben Thomp
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào):DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫,在需求端拉貨力道不振下,即便原廠力守價(jià)格,代理商對(duì)市場信心依然持續(xù)減弱,并出現(xiàn)降價(jià)求售,使整體市場價(jià)格出現(xiàn)明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示,由于PC端需求依舊疲軟,標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張,也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊,DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯,7月底 8GB/16GB均價(jià)來到64與116美元,月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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