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三星將推AI揚(yáng)聲器Galaxy Home Mini，外觀曝光

  • 2月3日下午消息，三星將于2月12日舉行新品發(fā)布會(huì)，除了Galaxy S20系列手機(jī)和Galaxy Z Flip折疊屏手機(jī)外，還將推出新款智能揚(yáng)聲器Galaxy Home Mini。早在2018年，三星就有一款A(yù)I音箱跟隨自家的Galaxy Note 9一起發(fā)布，它是Galaxy Home，不過(guò)一直都沒(méi)有向市場(chǎng)推出。從目前來(lái)看，這款更小版本的AI音箱就是Galaxy Home Mini。根據(jù)曝光的信息來(lái)看，三星Galaxy Home Mini配備了三星的AI平臺(tái)Bixby和Haman的AKG的5W揚(yáng)聲器。
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Micro LED有望2021年進(jìn)軍OLED小尺寸領(lǐng)地

  • Micro LED有望2021年進(jìn)軍OLED小尺寸領(lǐng)地? ? ? ?新形態(tài)的Micro LED顯示器不只亮度與對(duì)比效果超越OLED，又具備反應(yīng)迅速、低功耗與高可靠度特性，若成功商業(yè)化量產(chǎn)上市，前景可謂一片亮麗。據(jù)集邦咨詢預(yù)估，2023年Micro LED市場(chǎng)產(chǎn)值將達(dá)42億美元。然而，現(xiàn)階段Micro LED顯示器的最大的挑戰(zhàn)仍在如何降低成本。包括從生產(chǎn)設(shè)備的改良、檢測(cè)方式的革新以及巨量轉(zhuǎn)移的開(kāi)發(fā)等。由于短期內(nèi)降低成本的困難度仍大，因此多數(shù)廠商選擇投入利基型的超大尺寸
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Mini-LED顯示與Micro-LED 顯示淺析

  • 　　林偉瀚，楊梅慧（康佳集團(tuán)股份有限公司, 廣東 深圳 518053）　　摘要：液晶面板LCD顯示因技術(shù)成熟、性價(jià)比高目前仍占顯示行業(yè)主導(dǎo)地位。Micro-LED由于其優(yōu)秀顯示特性已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點(diǎn)，Mini-LED則是其過(guò)渡產(chǎn)品。對(duì)比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED顯示特性。Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可變性等方面性能優(yōu)異。而Mini-LED結(jié)合8K及QD技術(shù)將達(dá)到OLED畫(huà)質(zhì)，并且可靠性和成本占優(yōu)勢(shì)?！　￡P(guān)鍵詞：Mini-LED顯示；Micro-LED顯示；LCD
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為平板M5青春版/iPad mini 5對(duì)比評(píng)測(cè)：誰(shuí)才是8英寸最強(qiáng)板？

工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

  • 一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單......
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發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？

  • 發(fā)光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門(mén)且普及率高，很多新手在進(jìn)行入門(mén)學(xué)習(xí)時(shí)經(jīng)常會(huì)選擇發(fā)光二極管來(lái)入手。本文將對(duì)發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系
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同步整流器與開(kāi)關(guān)MOS在功率電源的耗散

  • 在大功率電源當(dāng)中，MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將
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Mini LED需求強(qiáng)勁 三星加碼三安光電Mini LED產(chǎn)能

  • 　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子幾乎訂購(gòu)了中國(guó)LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門(mén)的Mini LED產(chǎn)能，以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應(yīng)。 　　消息人士稱，三星已經(jīng)為此次芯片供應(yīng)預(yù)付了1683萬(wàn)美元。 　　中國(guó)LED芯片制造商華燦光電和廈門(mén)乾照光電也已開(kāi)始了MicroLED和Mini LED技術(shù)的研發(fā)，而中國(guó)的LED封裝服務(wù)提供商佛山國(guó)星光電則于2018年3月初設(shè)立了MicroLED和Mini LED研究中心，以便在2020年能夠封裝0.5-1.0mm的Mini
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大尺寸TV等領(lǐng)域 Mini LED或有機(jī)會(huì)與OLED競(jìng)爭(zhēng)

  • 　　根據(jù)TrendForce光電研究最新“新型顯示技術(shù)成本”報(bào)告，由于Mini LED作為L(zhǎng)CD背光的架構(gòu)與現(xiàn)行LCD顯示器的LED背光架構(gòu)相仿，在設(shè)計(jì)上并無(wú)太大改變，因此也被廠商寄予厚望，希望其可成為Micro LED量產(chǎn)前的過(guò)渡產(chǎn)品。但不論是手機(jī)或電視等消費(fèi)性電子產(chǎn)品，Mini LED勢(shì)必將直接面對(duì)來(lái)自O(shè)LED的競(jìng)爭(zhēng)，短期而言，大尺寸電視及高階IT產(chǎn)品是Mini LED有機(jī)會(huì)與OLED一較高下的應(yīng)用領(lǐng)域。 　　以電視來(lái)看，WitsView指出，由于OLED的印刷上色技術(shù)尚未成
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研華發(fā)布支持寬溫工作的超薄Mini-ITX主板AIMB-217

  • 　　全球智能系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商研華科技今天發(fā)布新型工業(yè)級(jí)無(wú)風(fēng)扇超薄Mini-ITX主板AIMB-217。該產(chǎn)品搭載最新Intel? Pentium?、Celeron?和Atom? N4200/N3350/x7-E3950處理器(ATOM第六代Apollo Lake)，相較于上一代產(chǎn)品而言CPU性能和顯示性能分別實(shí)現(xiàn)了30%和45%的顯著提升。同時(shí)，AIMB-217還捆綁研華專屬WISE-PaaS/RMM軟件套件，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程設(shè)備管理。 AIMB-217的顯示性能已提升
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如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

  • 如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
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揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
  • 關(guān)鍵字： MOS  電源  

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： MOS  FinFET  

拯救EMI輻射超標(biāo)，開(kāi)關(guān)電源能做點(diǎn)啥？

  • 作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
  • 關(guān)鍵字： EMI  開(kāi)關(guān)電源  MOS  

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來(lái)，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。眾所周知，這種高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級(jí)氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應(yīng)變得原來(lái)越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
  • 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì)  天線  天線效應(yīng)  充電損害  MOS  
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