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lpddr5x dram 文章 最新資訊

國內(nèi)廠商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓，有望實現(xiàn)“彎道超車”

  • 中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關鍵技術與引入半導體巨頭，有望實現(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  存儲器  

DRAM終迎降價潮 會是國產(chǎn)廠商的利好嗎？

  • DRAM在過去九個季度中價格持續(xù)上漲，但隨著技術漸入瓶頸，加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響，市場中DRAM漸趨供過于求，進而使得DRAM價格持續(xù)下跌。這種情況，對于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢?
  • 關鍵字： DRAM  存儲器  

聚焦安全芯片，紫光國微將DRAM業(yè)務2.2億轉讓給紫光存儲

  • 　　10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)?！　“凑展娴恼f法，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設計領域的先進技術，持續(xù)加大產(chǎn)品開發(fā)投入，但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制，短期內(nèi)無法達到規(guī)模經(jīng)濟，經(jīng)營壓力加大，資產(chǎn)負債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營，給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力，其
  • 關鍵字： 紫光  DRAM  

“三足鼎立”的DRAM芯片市場是如何形成的？

  • DRAM芯片漲價不斷，三家壟斷企業(yè)賺翻了天，凈利潤高達50%以上，對于很多中小企業(yè)而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業(yè)現(xiàn)狀，但仍舊無濟于事。
  • 關鍵字： DRAM  芯片  

DRAM內(nèi)存市場已經(jīng)為寡頭壟斷，時代變了，別再等漲跌循環(huán)了

  • 內(nèi)存漲價今年底也要到頭了，投行機構也看衰內(nèi)存行業(yè)前景，認為明年內(nèi)存價格會跌，不過在內(nèi)存業(yè)內(nèi)廠商來看，內(nèi)存市場已經(jīng)變天了，已經(jīng)變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來看待了。
  • 關鍵字： DRAM，  

紫光國微：公司DRAM芯片與三星有很大差距，DDR4仍是主流產(chǎn)品

  • 今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對此，有投資者在互動平臺上提問，這是否會對紫光國微的DDR4前景造成影響?
  • 關鍵字： 紫光國微，DRAM  

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

  • 　　近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  3D NAND  

今年全球半導體支出將首次突破1000億美元，內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂

  • 　　IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長?！　∪鐖D所示，超過一半的行業(yè)資本支出預計用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設施的升級?？偟膩碚f，預計今年內(nèi)存將占到半導體資本支出的53%，達到
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

全球前15大半導體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

  • 　　8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

集邦咨詢：DRAM價格已近高點

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應用類別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右?！　≌雇谌緝r格走勢，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價格。就一線大廠定價來看，均價已來到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
  • 關鍵字： DRAM  美光  

新一輪手機漲價潮，供應鏈和新技術要“背鍋”

  • 智能手機的漲價潮已然是一種普遍現(xiàn)象，Galaxy Note 9的定價邏輯或許只是新一輪漲價潮的開始，曾經(jīng)標售1999元的旗艦機早已漸行漸遠。
  • 關鍵字： 手機  DRAM  

第三季利基型DRAM價格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調(diào)查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預期DDR4利基型內(nèi)存報價水平將較接近主流標準型與服務器內(nèi)存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結構，報價預期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內(nèi)存價格走勢預估將持平。　　DDR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內(nèi)存主流　　就產(chǎn)品應用種類觀察，首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺。不過
  • 關鍵字： DRAM  DDR3  

閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

  • 　　幾年前突然“大火”的存儲行情，給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續(xù)到 2019 上半年?！　RAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能，是推動這一趨勢的主要原因。
  • 關鍵字： 閃存  DRAM  

IC Insights預測：全球IC增長和全球GDP增長關聯(lián)日益密切

  • 　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數(shù)將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯(lián)，以及到2022年的最新預測?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數(shù)為0.88，這是一個強勁的數(shù)字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權

  • 　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響?！　《S著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注?！　∧壳?，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?！　〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
  • 關鍵字： NAND  DRAM  
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