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紅海的取勝策略

  • 手機(jī)是典型的紅海市場(chǎng),很多歐美公司因此放棄了此塊業(yè)務(wù),轉(zhuǎn)向工業(yè)、個(gè)人科技等利潤(rùn)較高的藍(lán)海領(lǐng)域。而手機(jī)卻是我國(guó)本土芯片廠商活躍的地帶。
  • 關(guān)鍵字: 格科  CMOS  201304  

手持式觸摸屏系統(tǒng)的低功耗設(shè)計(jì)

  • 摘要:觸摸屏在移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越受歡迎。但觸摸屏消耗的平均電流可能很大,從而會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電池的電量快速耗盡。本文將主要探討以下內(nèi)容:功耗的基礎(chǔ)知識(shí)、影響功耗的不同因素以及為需要提供強(qiáng)大性能同時(shí)節(jié)省電池使用壽命的器件設(shè)計(jì)低功耗觸摸屏系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字: 觸摸屏  CMOS  CPU  201304  

2012年第四季度的緩解并未給半導(dǎo)體制造商帶來(lái)安慰

  •   盡管在第四季度出現(xiàn)了高于預(yù)期的增長(zhǎng),2012年對(duì)于半導(dǎo)體市場(chǎng)和供應(yīng)商來(lái)說(shuō)仍然是慘淡的一年,前25家芯片制造商中僅有8家勉強(qiáng)維持收入增長(zhǎng)——但是,9家芯片制造商遭受兩位數(shù)下滑。   根據(jù)信息及分析公司IHS(紐約證券交易所:IHS)的IHS iSuppli競(jìng)爭(zhēng)格局分析工具(CLT)的最終結(jié)果,與2011年相比,2012年的全球半導(dǎo)體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發(fā)布的初步預(yù)測(cè)報(bào)告中預(yù)計(jì)下降2.3%。最終結(jié)果的適度改善來(lái)自第四季度的同比增長(zhǎng),該增長(zhǎng)稍微高于預(yù)期,最高實(shí)現(xiàn)了2
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用先進(jìn)的負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質(zhì)量

  • 傳統(tǒng)模擬 X 射線成像系統(tǒng)以專門的感光膠片為介質(zhì),將通過(guò)的 X 射線轉(zhuǎn)變成可視圖像。為了完成這一任務(wù),該膠片必須經(jīng)過(guò)一種化學(xué)顯影過(guò)程,這個(gè)過(guò)程可能需要幾分鐘,因此推遲了開始對(duì)病人進(jìn)行治療的時(shí)間。此外,顯影過(guò)程完成以后,醫(yī)療團(tuán)隊(duì)可能會(huì)發(fā)現(xiàn),由于 X 射線曝光不正確,該圖像需要重新攝取。
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PIC單片機(jī)學(xué)習(xí)方法

  • 為了給前一段時(shí)間學(xué)習(xí)PIC16F616型單片機(jī)的一個(gè)總結(jié)和方便大家的交流,我寫了這篇關(guān)于PIC單片機(jī)的學(xué)習(xí)心得,都 ...
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一種采用CMOS 0.18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片

  • 采用標(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長(zhǎng)1.6 nm的偶極子天線以及一對(duì)一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進(jìn)行了仿真和測(cè)試,結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz,具有小型化的性能,同時(shí)具備三次諧波抑制的功能。
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CCD對(duì)比CMOS傳感器優(yōu)劣之分淺析

  • CCD及CMOS在從事機(jī)器視覺(jué)或攝影等行業(yè)的朋友來(lái)說(shuō)一點(diǎn)也不陌生,目前雖然在價(jià)格上CMOS更有優(yōu)勢(shì)并且在技術(shù)上的進(jìn)步也在穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中,但CCD在一些重點(diǎn)領(lǐng)域中的應(yīng)用并不見(jiàn)減少。圖像傳感器有CCD和CMOS兩種,是機(jī)器視覺(jué)攝
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隔離技術(shù)與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應(yīng)用

  • 醫(yī)療領(lǐng)域與其它領(lǐng)域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用,它必須是強(qiáng)健和可靠的,并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術(shù)的發(fā)展,更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了,如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應(yīng)器和隔離柵驅(qū)動(dòng)器。
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GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

  •   GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn),使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。   GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁BruceKleinman表示:“‘55n
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寬動(dòng)態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析

  • 寬動(dòng)態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析,寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)到現(xiàn)在為止,究竟經(jīng)歷了幾代,沒(méi)能講得清楚。就技術(shù)而言,不算背光補(bǔ)償技術(shù),寬動(dòng)態(tài)現(xiàn)有二種重要實(shí)現(xiàn)方式:CCD+DSP技術(shù)和CMOS+DPS技術(shù)。CCD+DSP技術(shù):DSP芯片是一種特殊的微處理器,根據(jù)數(shù)字信號(hào)處理理論
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GLOBALFOUNDRIES推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

  •   GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?!?5nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn),使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。   GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Bruce Kleinman表示:&ldqu
  • 關(guān)鍵字: GLOBALFOUNDRIES  CMOS  55nm  

CMOS圖像傳感器基本原理與應(yīng)用簡(jiǎn)介

  • 摘要:本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點(diǎn)、問(wèn)題及應(yīng)對(duì)措施,以及CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)狀況和一些...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  電信號(hào)  

嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

  • 過(guò)去,由于缺乏低成本系統(tǒng)部件,或因全息多路技術(shù)過(guò)于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料,使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  成像器  全息數(shù)據(jù)檢索  

IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出,從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
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從頭到尾構(gòu)建混合信號(hào)高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5):電路仿真

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