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igbt fs7 文章 進(jìn)入igbt fs7技術(shù)社區(qū)
IR推出高功率、高速度、高密度的分立解決方案

- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出適用于DC-DC節(jié)能汽車(chē)應(yīng)用的 AUIRS2191S 600V 驅(qū)動(dòng) IC 和 AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 。 新器件具有非??斓拈_(kāi)關(guān)速度和高功率密度,非常適合高頻 DC-DC 應(yīng)用,包括用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)的高功率 DC-DC 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 轉(zhuǎn)換器。 AUIRS2191S
- 關(guān)鍵字: IR IGBT
采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)的500W太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)
- 在全球的綠色能源發(fā)展趨勢(shì)下,越來(lái)越多的家用電器、照明設(shè)備、電動(dòng)工具、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)以及其它工業(yè)設(shè)備開(kāi)始采用太陽(yáng)能供電,將太陽(yáng)能量轉(zhuǎn)換為所需的交流(AC)或直流(DC)電壓?! 楦咝实禺a(chǎn)生這些設(shè)備所需
- 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)能 逆變器 設(shè)計(jì) 500W 開(kāi)關(guān) IGBT 作為 功率 采用
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析
- 1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
- 關(guān)鍵字: IGBT 柵極電阻 開(kāi)關(guān)特性 分析
扶持政策出臺(tái) 高壓變頻上游利好
- 據(jù)悉,在高壓變頻器中,約有一半的成本來(lái)自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器,這類(lèi)產(chǎn)品的價(jià)格與質(zhì)量對(duì)高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對(duì)電力電子元器件行業(yè)的關(guān)注從來(lái)沒(méi)有放松過(guò)。2010年,他們發(fā)現(xiàn)國(guó)家對(duì)于電力電子元器件的重視程度也越來(lái)越高。 2010年3月19日,國(guó)家發(fā)改委辦公廳發(fā)布《關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)的通知》,明確指出將組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng),以大力推進(jìn)新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展,努力掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片和器件的設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字: 高壓變頻器 IGBT
IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具

- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計(jì),包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽(yáng)能逆變器和焊接。 IR全新的IGBT在線選擇工具能評(píng)估總線電壓、開(kāi)關(guān)頻率和短路保護(hù)要求等應(yīng)用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT,不但可以提供預(yù)估損耗,還可以建議一些能夠在給定限制條件內(nèi)運(yùn)行的器件。該工具還為每個(gè)零件提供了定價(jià),使設(shè)計(jì)人員能夠考慮有關(guān)器件的選擇對(duì)系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: IR IGBT
IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具優(yōu)化電源管理設(shè)計(jì)

- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計(jì),包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽(yáng)能逆變器和焊接。 IR全新的IGBT在線選擇工具能評(píng)估總線電壓、開(kāi)關(guān)頻率和短路保護(hù)要求等應(yīng)用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT,不但可以提供預(yù)估損耗,還可以建議一些能夠在給定限制條件內(nèi)運(yùn)行的器件。該工具還為每個(gè)零件提供了定價(jià),使設(shè)計(jì)人員能夠考慮有關(guān)器件的選擇對(duì)系統(tǒng)
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士蘭微擬1.35億元組建功率模塊生產(chǎn)線項(xiàng)目
- 士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內(nèi)組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線,計(jì)劃從2010年起在未來(lái)的2--3年內(nèi)安排投資13,500萬(wàn)元,其中2010年投資2,500萬(wàn)元。 士蘭微7月29日發(fā)布公告稱(chēng),公司第四屆董事會(huì)第九次會(huì)議審議通過(guò)《關(guān)于控股子公司組建功率模塊生產(chǎn)線項(xiàng)目的議案》。 多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優(yōu)點(diǎn),而越來(lái)越受到市場(chǎng)的關(guān)注,應(yīng)用的領(lǐng)域也越來(lái)越廣。目前采用芯片設(shè)計(jì)與制造一體化運(yùn)行的士蘭微電子,通過(guò)芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)、工藝開(kāi)發(fā)等
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Infineon EconoDUAL3 600A1200V汽車(chē)驅(qū)動(dòng)方案
- Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車(chē)柴油發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應(yīng)用電路以及EconoDUAL?3模塊驅(qū)動(dòng)板主要特性,評(píng)估板電路,以及IGBT各種驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)板材料清單(BOM). The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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力挺新能源應(yīng)用 中國(guó)IGBT企業(yè)可另辟蹊徑
- 【 導(dǎo)讀:在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件,與歐洲、日本和美國(guó)相比,中國(guó)在該領(lǐng)域還相對(duì)落后,盡管?chē)?guó)內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)在進(jìn)行研發(fā),但產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢,技術(shù)上也落后于國(guó)外?!? 今年6月,功率半導(dǎo)體業(yè)界的盛會(huì)“PCIMChina2010”在上海光大會(huì)展中心舉行,國(guó)內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會(huì)觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到,功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會(huì)的熱點(diǎn),而中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展
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IGBT助變頻器實(shí)現(xiàn)高效能低損耗
- ·隨著IGBT升級(jí)換代,變頻器性能不斷提高,體積不斷減小。 ·三菱電機(jī)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)就是貼近系統(tǒng)用戶。 日本從上世紀(jì)80年代開(kāi)始使用工業(yè)用的變頻器,還有家庭用的變頻空調(diào),在市場(chǎng)上變頻技術(shù)得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管,但是后來(lái)出現(xiàn)了用在變頻器上的IGBT。通過(guò)使用IGBT,功率損耗大幅降低。同時(shí),經(jīng)過(guò)25年的發(fā)展,出現(xiàn)了各種各樣的研究開(kāi)發(fā)成果,目前三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)發(fā)展到第6代??梢耘e一個(gè)直觀的例子來(lái)說(shuō)明IGBT的發(fā)展水平:如果
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng),iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元,增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元,IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體
新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗
- 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場(chǎng)終
- 關(guān)鍵字: IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗
igbt fs7介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條igbt fs7!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)igbt fs7的理解,并與今后在此搜索igbt fs7的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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