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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

關(guān)于IGBT導通延遲時間的精確測量方法

  • IGBT以其輸入阻抗高，開關(guān)速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當今功率半導體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導通延遲時間，目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上，利用其優(yōu)良的特性，設(shè)計一套高精度的IGBT導通延遲時間的測量系統(tǒng)，所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  導通  精確測量  方法    

IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。 　　AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術(shù)，大幅度降低了傳導和開關(guān)損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
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中國南車建成大功率半導體產(chǎn)業(yè)基地

  • 　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內(nèi)最大的大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。 　　為滿足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，歷經(jīng)22個月后實現(xiàn)正式投產(chǎn)。 　　位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
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中國最大大功率半導體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

  • 　　中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來，高端半導體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷，該基地的投產(chǎn)運行將加速推動國產(chǎn)化大功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化進程。 　　大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來，國內(nèi)高端半導體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導體  晶閘管  IGBT  

基于雙IGBT的斬波式串級調(diào)速系統(tǒng)的研究

  • 從普通串級調(diào)速原理入手，簡要分析影響串級調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調(diào)速、新型GTO串級調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調(diào)速控制方案。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  斬波  串級調(diào)速  系統(tǒng)    

英飛凌再度稱雄功率電子市場

  • 　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%。現(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 　　隨著汽車、消費和工
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本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀

  • 　　經(jīng)濟領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內(nèi)空白，告別同類產(chǎn)品依賴進口的局面。 　　剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術(shù);二是擁有
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IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護

  • IGBT綜述
    1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
    IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器
  • 關(guān)鍵字： IGBT  600  系統(tǒng)  逆變器    

基于EXB841的IGBT驅(qū)動和保護電路研究

  • 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
  • 關(guān)鍵字： 電路  研究  保護  驅(qū)動  EXB841  IGBT  基于  電源  

新IGBT技術(shù)提高應用性能

  • 在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機械
  • 關(guān)鍵字： IGBT  性能    

大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術(shù)

  • 摘要：本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGB
  • 關(guān)鍵字： 技術(shù)  保護  IGBT  逆變電源  大功率  電源  

IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算

  • 摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅(qū)動器的合理設(shè)計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅(qū)動
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

  • 　　新聞事件： 　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響： 　　將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場 　　LS預計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 　　合
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